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Memoria(2872)

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W632GU8NB11I TR	4.7347	Richiesta di offerta	8904	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	W632GU8	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-VFBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W632GU8NB11ITR	EAR99	8542.32.0036	2.000	933 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	15ns
W972GG6JB25I	-	Richiesta di offerta	5706	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA	W972GG6	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	84-WBGA (11x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0032	144	200 MHz	Volatile	2Gbit	400 CV	DRAM	128Mx16	Parallelo	15ns
W29N04KZSIBF	7.5822	Richiesta di offerta	5187	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)		FLASH NAND (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	48-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		256-W29N04KZSIBF	3A991B1A	8542.32.0071	96		Non volatile	4Gbit	25 ns	FLASH	512Mx8	ONFI	35ns, 700μs
W25P40VSNIG	-	Richiesta di offerta	5006	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	W25P40	FLASH	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	100	40 MHz	Non volatile	4Mbit		FLASH	512K×8	SPI	5 ms
W957A8MFYA5I	2.8365	Richiesta di offerta	8477	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	24-TBGA	W957A8	HyperRAM	3 V ~ 3,6 V	24-TFBGA, DDP (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W957A8MFYA5I	EAR99	8542.32.0002	480	200 MHz	Volatile	128Mbit	36 ns	DRAM	16Mx8	IperBus	35ns
W25Q64JVZPAM	-	Richiesta di offerta	6113	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	W25Q64	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x5)	-		3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q64JVZPAM			1	133 MHz	Non volatile	64Mbit	6 ns	FLASH	8Mx8	SPI - I/O quadruplo	3 ms
W25Q41EWWS	-	Richiesta di offerta	8421	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	-	-	W25Q41	FLASH-NOR	1,65 V ~ 1,95 V	-	-		3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q41EWWS			1	104 MHz	Non volatile	4Mbit		FLASH	512K×8	SPI - I/O quadruplo	-
W25Q20EWSVIG	-	Richiesta di offerta	1108	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	W25Q20	FLASH-NOR	1,65 V ~ 1,95 V	8-VSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q20EWSVIG	EAR99	8542.32.0071	480	104 MHz	Non volatile	2Mbit	6 ns	FLASH	256K×8	SPI - I/O quadruplo	30 µs, 800 µs
W25N512GWEIR	2.3226	Richiesta di offerta	6850	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	W25N512	FLASH NAND (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	8-WSON (8x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25N512GWEIR	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	Non volatile	512Mbit	7nn	FLASH	64Mx8	SPI - I/O quadruplo	700 µs
W25N01GWZEIT	-	Richiesta di offerta	8410	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	W25N01	FLASH NAND (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	8-WSON (8x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25N01GWZEIT	3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	Non volatile	1Gbit	8 ns	FLASH	128Mx8	SPI - I/O quadruplo	700 µs
W9751G8KB25ITR	-	Richiesta di offerta	6096	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	60-TFBGA	W9751G8	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	60 WBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0028	2.500	400 MHz	Volatile	512Mbit	400 CV	DRAM	64Mx8	Parallelo	15ns
W25M02GVSFITTR	-	Richiesta di offerta	3993	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	W25M02	FLASH NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	16-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25M02GVSFITTR	OBSOLETO		1.000	104 MHz	Non volatile	2Gbit	7nn	FLASH	256Mx8	SPI - I/O quadruplo	700 µs
W25Q81EWSNSG	-	Richiesta di offerta	9161	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	W25Q81	FLASH-NOR	1,65 V ~ 1,95 V	8-SOIC	-		3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q81EWSNSG			1	104 MHz	Non volatile	8Mbit		FLASH	1M x 8	SPI - I/O quadruplo	-
W25Q81DVSNAG	-	Richiesta di offerta	8031	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	W25Q81	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	-		3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q81DVSNAG			1	80 MHz	Non volatile	8Mbit		FLASH	1M x 8	SPI - I/O quadruplo	-
W25Q64FWZPIG TR	-	Richiesta di offerta	7531	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	W25Q64	FLASH-NOR	1,65 V ~ 1,95 V	8-WSON (6x5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	5.000	104 MHz	Non volatile	64Mbit		FLASH	8Mx8	SPI - Quad I/O, QPI	5 ms
W29GL256SL9T TR	-	Richiesta di offerta	7267	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	W29GL256	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	56-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	1.000		Non volatile	256Mbit	90 ns	FLASH	16Mx16	Parallelo	90ns
W25X40VZPIG	-	Richiesta di offerta	2852	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	L25X40	FLASH	2,7 V ~ 3,6 V	8-WSON (6x5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	100	75 MHz	Non volatile	4Mbit		FLASH	512K×8	SPI	3 ms
W25Q32FWSFIG	-	Richiesta di offerta	4774	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	W25Q32	FLASH-NOR	1,65 V ~ 1,95 V	16-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	44	104 MHz	Non volatile	32Mbit		FLASH	4M x 8	SPI - Quad I/O, QPI	60μs, 5ms
W25Q64JWZPSM	-	Richiesta di offerta	6831	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	W25Q64	FLASH-NOR	1,7 V ~ 1,95 V	8-WSON (6x5)	-		3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q64JWZPSM			1	133 MHz	Non volatile	64Mbit	6 ns	FLASH	8Mx8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	3 ms
W94AD6KBHX6I TR	3.9774	Richiesta di offerta	3772	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	60-TFBGA	W94AD6	SDRAM: LPDDR mobile	1,7 V ~ 1,95 V	60-VFBGA (8x9)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W94AD6KBHX6ITR	EAR99	8542.32.0032	2.500	166 MHz	Volatile	1Gbit	5 ns	DRAM	64Mx16	LVCMOS	15ns
W25N04KWTCIRTR	6.1856	Richiesta di offerta	3353	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA		FLASH NAND (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	24-TFBGA (8x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		256-W25N04KWTCIRTR	3A991B1A	8542.32.0071	2.000	104 MHz	Non volatile	4Gbit	8 ns	FLASH	512Mx8	SPI - I/O quadruplo	700 µs
W74M00AVSSIG	0,8390	Richiesta di offerta	3218	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm)		FLASH-NAND	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W74M00AVSSIG	3A991B1A	8542.32.0071	300	80 MHz	Non volatile	-		FLASH		-	-
W25Q80DVWB	-	Richiesta di offerta	2523	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	W25Q80	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	-	-		3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q80DVWB			1	104 MHz	Non volatile	8Mbit	6 ns	FLASH	1M x 8	SPI - I/O quadruplo	30 µs, 3 ms
W631GG8NB-15	3.2150	Richiesta di offerta	4645	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	W631GG8	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	78-VFBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W631GG8NB-15	EAR99	8542.32.0032	242	667 MHz	Volatile	1Gbit	20 ns	DRAM	128Mx8	SSTL_15	15ns
W25N02JWZEIF TR	4.5750	Richiesta di offerta	9925	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	W25N02	FLASH NAND (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	8-WSON (8x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25N02JWZEIFTR	3A991B1A	8542.32.0071	4.000	166 MHz	Non volatile	2Gbit	6 ns	FLASH	256Mx8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	700 µs
W25R64JWZPIQ TR	-	Richiesta di offerta	7635	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	W25R64	FLASH-NOR	1,7 V ~ 1,95 V	8-WSON (6x5)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25R64JWZPIQTR	3A991B1A	8542.32.0071	5.000	104 MHz	Non volatile	64Mbit		FLASH	8Mx8	SPI	-
W632GG8KB15I TR	-	Richiesta di offerta	2613	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-TFBGA	W632GG8	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	78-WBGA (10,5×8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0036	2.000	667 MHz	Volatile	2Gbit	20 ns	DRAM	256Mx8	Parallelo	-
W25Q16JWUUSQ	-	Richiesta di offerta	9036	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 8-UFDFN	W25Q16	FLASH-NOR	1,65 V ~ 1,95 V	8-USO (4x3)	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W25Q16JWUUSQ			1	133 MHz	Non volatile	16Mbit	6 ns	FLASH	2Mx8	SPI: quattro I/O, QPI, DTR	3 ms
W29N02KWDIBF	-	Richiesta di offerta	3011	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-VFBGA	W29N02	FLASH NAND (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V	48-VFBGA (8x6,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W29N02KWDIBF	3A991B1A	8542.32.0071	260		Non volatile	2Gbit	22 ns	FLASH	128Mx16	Parallelo	25ns
W634GU8QB09I TR	6.0300	Richiesta di offerta	9129	Elettronica Winbond	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	W634GU8	SDRAM-DDR3L	1,283 V ~ 1,45 V	78-VFBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	256-W634GU8QB09ITR	EAR99	8542.32.0036	2.000	1,06GHz	Volatile	4Gbit	20 ns	DRAM	512Mx8	Parallelo	15ns