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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Numero di I/O Processore principale Dimensione del nucleo Velocità Connettività Periferiche Dimensioni della memoria del programma Tipo di memoria del programma Dimensioni EEPROM Dimensioni della RAM Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) Convertitori di dati Tipo di oscillatore
TMPM4G8FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G8FDFG(DBB) 11.7800
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 ECAD 1123 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Attivo -40°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM4G8 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 60 122 ARM® Cortex®-M4F Single-core a 32 bit 160 MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512KBx8) FLASH 32K×8 128K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 24x12b; D/A 2x8b Interno
TMP86PH06UG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PH06UG(C,JZ) -
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 ECAD 9854 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-870/C Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 44-LQFP TMP86 44-LQFP (10x10) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.31.0001 450 8 - 8 bit 16 MHz EBI/EMI - 16KB (16Kx8) OTP - 512×8 1,8 V ~ 5,5 V - Esterno
TMPM330FDFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM330FDFG(C) 5.0908
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 ECAD 2960 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM330 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 200 79 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SIO, UART/USART POR, WDT 512KB (512KBx8) FLASH - 32K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 12x10b Esterno
TMP86FS49BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BUG(C,JZ) -
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 ECAD 2353 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-870/C Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-LQFP TMP86 64-LQFP (10x10) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.31.0001 10 56 870/C 8 bit 16 MHz I²C, SIO, UART/USART LED, PWM, WDT 60KB (60KBx8) FLASH - 2K×8 2,7 V ~ 5,5 V A/D 16x10b Interno
TMPM067FWQG(EL,Z) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM067FWQG(EL,Z) 4.2400
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 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX00 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 48-VFQFN Tampone esposto TMPM067 48-QFN (7x7) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS EAR99 8542.31.0001 2.000 32 ARM® Cortex®-M0 Single-core a 32 bit 24 MHz I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 16K×8 1,8 V ~ 3,6 V A/D 8x10b Esterno
TMPM4G6F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6F10FG(DBB) 11.7800
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 ECAD 8616 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Attivo -40°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM4G6 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® Cortex®-M4F Single-core a 32 bit 160 MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1MB (1Mx8) FLASH 32K×8 192K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 16x12b; D/A 2x8b Interno
TMPM4G9F15FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9F15FG(DBB) -
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 ECAD 4560 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Obsoleto -40°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM4G9 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F Single-core a 32 bit 160 MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1,5 MB (1,5 milioni x 8) FLASH 32K×8 192K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 24x12b; D/A 2x8b Interno
TMPM362F10FG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM362F10FG(C) 8.6152
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 ECAD 2024 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Design non per nuovi -20°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 144-FQFP TMPM362 144-LQFP (20x20) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 200 104 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 64 MHz EBI/EMI, I²C, Microcavo, SIO, SPI, SSP, UART/USART DMA, WDT 1MB (1Mx8) FLASH - 64K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 16x10b Esterno
TMPM3HQF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HQF10BFG 14.3800
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 ECAD 60 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TXZ+ Vassoio Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 144-LQFP 144-LQFP (20x20) - Conformità ROHS3 3 (168 ore) 264-TMPM3HQF10BFG 60 134 ARM® Cortex®-M3 32 bit 120 MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, controllo motore PWM, POR, WDT 1MB (1Mx8) FLASH 32K×8 128K×8 2,7 V ~ 5,5 V SAR A/D 21x12b; D/A 2x8b Esterno, Interno
TMPM333FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FYFG(C) 4.0755
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 ECAD 4483 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM333 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 200 78 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SIO, UART/USART POR, WDT 256KB (256Kx8) FLASH - 16K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 12x10b Esterno
TMPM4G9F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9F10FG(DBB) -
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 ECAD 4453 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Obsoleto -40°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM4G9 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F Single-core a 32 bit 160 MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1MB (1Mx8) FLASH 32K×8 192K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 24x12b; D/A 2x8b Interno
TMPM332FWUG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM332FWUG(C) 2.6477
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 ECAD 6546 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-LQFP TMPM332 64-LQFP (10x10) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 450 44 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SIO, UART/USART POR, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 8K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 8x10b Esterno
TMP86FS49BFG(ZHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BFG(ZHZ) -
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 ECAD 6089 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-870/C Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-BQFP TMP86 64-QFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.31.0001 10 56 870/C 8 bit 16 MHz I²C, SIO, UART/USART LED, PWM, WDT 60KB (60KBx8) FLASH - 2K×8 2,7 V ~ 5,5 V A/D 16x10b Interno
TMPM037FWUG(KY,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM037FWUG(KY;JZ) 3.7900
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 ECAD 5507 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX00 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-LQFP TMPM037 64-LQFP (10x10) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS TMPM037FWUG(KYJZ) EAR99 8542.31.0001 150 51 ARM® Cortex®-M0 Single-core a 32 bit 20 MHz I²C, SIO, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 16K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 8x10b Esterno
TMPM066FWUG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM066FWUG 2.7720
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 ECAD 3758 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX00 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-LQFP TMPM066 64-LQFP (10x10) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TMPM066FWUG(JZ) 3A991A2 8542.31.0001 160 48 ARM® Cortex®-M0 Single-core a 32 bit 24 MHz I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 16K×8 1,8 V ~ 3,6 V A/D 8x10b Esterno
TMPM333FWFG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FWFG(C,J) 4.7190
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 ECAD 3866 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM333 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) TMPM333FWFG(CJ) 3A991A2 8542.31.0001 200 78 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SIO, UART/USART POR, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 8K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 12x10b Esterno
TMPM383FWUG(JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM383FWUG(JZ) 4.9600
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 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-LQFP TMPM383 64-LQFP (10x10) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 160 47 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, Microcavo, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART POR, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 10K×8 3,9 V ~ 5,5 V A/D 10x12b Esterno
TMPM061FWFG(C,OHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM061FWFG(C,OHZ) -
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 ECAD 4666 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX00 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM061 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS TMPM061FWFG(COHZ) EAR99 8542.31.0001 900 64 ARM® Cortex®-M0 Single-core a 32 bit 16 MHz I²C, SIO, UART/USART LCD, LVD, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 8K×8 1,8 V ~ 3,6 V A/D2x10b Interno
TMP91FW27UG Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FW27UG -
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 ECAD 8461 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-900/L1 Vassoio Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-LQFP TMP91 64-LQFP (10x10) - 3 (168 ore) TMP91FW27UG(JZ) 3A991A2 8542.31.0001 10 53 900/L1 16 bit 27 MHz EBI/EMI, I²C, IrDA, UART/USART DMA, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 12K×8 2,2 V ~ 3,6 V A/D4x10b Interno
TMPM4G9FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9FEFG(DBB) 12.7000
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 ECAD 9982 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Attivo -40°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM4G9 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F Single-core a 32 bit 160 MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 768KB (768KBx8) FLASH 32K×8 128K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 24x12b; D/A 2x8b Interno
TMPM370FYDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM370FYDFG 7.8320
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 ECAD 6368 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-BQFP TMPM370 100-QFP (14x20) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 1 74 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 80 MHz I²C, SIO, UART/USART DMA, PWM, WDT 256KB (256Kx8) FLASH - 10K×8 4,5 V ~ 5,5 V A/D 22x12b SAR Interno
TMPM3HNF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HNF10BFG 13.0700
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 ECAD 90 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TXZ+ Vassoio Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 100-LQFP 100-LQFP (14x14) - Conformità ROHS3 3 (168 ore) 264-TMPM3HNF10BFG 90 92 ARM® Cortex®-M3 32 bit 120 MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, controllo motore PWM, POR, WDT 1MB (1Mx8) FLASH 32K×8 128K×8 2,7 V ~ 5,5 V SAR A/D 17x12b; D/A 2x8b Esterno, Interno
TMPM36BF10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM36BF10FG(DBB) 11.5500
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 ECAD 281 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM36 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 90 72 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 64 MHz EBI/EMI, I²C, IrDA, Microcavo, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1MB (1Mx8) FLASH - 258K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 16x12b Esterno
TMPM4NRF15FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4NRF15FG -
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 ECAD 3495 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TXZ+ Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 176-LQFP 176-LQFP (20x20) scaricamento 264-TMPM4NRF15FG 1 146 ARM® Cortex®-M4F 32 bit 200 MHz CANbus, EBI/EMI, Ethernet, FIFO, I²C, IrDA, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 1,5 MB (1,5 milioni x 8) FLASH 32K×8 256K×8 2,7 V ~ 3,6 V SAR A/D 24x12b; D/A 2x8b Esterno, Interno
TMPM3HMFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG 9.9300
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 ECAD 3683 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TXZ+ Vassoio Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 80-LQFP 80-LQFP (12x12) - Conformità ROHS3 3 (168 ore) 264-TMPM3HMFDAFG 119 73 ARM® Cortex®-M3 32 bit 120 MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, controllo motore PWM, POR, WDT 512KB (512KBx8) FLASH 32K×8 64K×8 2,7 V ~ 5,5 V SAR A/D 12x12b; D/A 2x8b Esterno, Interno
TMPM4GNFDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4GNFDFG -
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 ECAD 2266 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TXZ+ Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 100-LQFP 100-LQFP (14x14) scaricamento 264-TMPM4GNFDFG 1 91 ARM® Cortex®-M4F 32 bit 200 MHz EBI/EMI, FIFO, I²C, IrDA, SIO, SPI, UART/USART DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 512KB (512KBx8) FLASH 32K×8 192K×8 2,7 V ~ 3,6 V SAR A/D 24x12b; D/A 2x8b Esterno, Interno
TMP86FHDMG(KYZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FHDMG(KYZ) -
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 ECAD 4784 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-870/C Vassoio Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 30-LSSOP (0,220", larghezza 5,60 mm) TMP86 30-SSOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8542.31.0001 10 24 870/C 8 bit 16 MHz I²C, SEI, UART/USART PWM, WDT 16KB (16Kx8) FLASH - 512×8 2,7 V ~ 5,5 V A/D6x10b Interno
TMP89FS60FG(Z Toshiba Semiconductor and Storage TMP89FS60FG(Z 4.9538
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 ECAD 4498 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-870/C1 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-BQFP TMP89 64-QFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8542.31.0001 200 56 TLCS-870 8 bit 8 MHz I²C, SIO, UART/USART LED, PWM, WDT 60KB (60KBx8) FLASH - 3K×8 2,7 V ~ 5,5 V A/D 16x10b Interno
TMPM366FYXBG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM366FYXBG 5.2553
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 ECAD 5683 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 109-TFBGA TMPM366 109-TFBGA (9x9) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 200 73 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 48 MHz I²C, SIO, SPI, UART/USART DMA, LVD, WDT 256KB (256Kx8) FLASH - 48K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 12x12b Interno
TMPM036FWFG(KY,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM036FWFG(KY,JZ) 4.3700
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 ECAD 7270 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX00 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM036 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) TMPM036FWFG(KYJZ) EAR99 8542.31.0001 90 85 ARM® Cortex®-M0 Single-core a 32 bit 20 MHz I²C, SIO, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 16K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 8x12b Esterno
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    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

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    Unità di prodotto standard

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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