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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Numero di I/O Processore principale Dimensione del nucleo Velocità Connettività Periferiche Dimensioni della memoria del programma Tipo di memoria del programma Dimensioni EEPROM Dimensioni della RAM Tensione - Alimentazione (Vcc/Vdd) Convertitori di dati Tipo di oscillatore
TMP87P808MG(KYZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP87P808MG(KYZ) -
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 ECAD 8889 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -30°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 28-SOIC (0,345", larghezza 8,77 mm) TMP87 28-SOP scaricamento 3 (168 ore) EAR99 8542.31.0001 100 20 870 8 bit 8 MHz - - 8KB (8Kx8) OTP - 256×8 2,7 V ~ 5,5 V A/D6x8b Esterno
TMPM475FYFG(A,DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM475FYFG(A,DBB) -
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 ECAD 6200 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 100-LQFP 100-LQFP (14x14) - Conformità ROHS3 264-TMPM475FYFG(ADBB) 1 79 ARM® Cortex®-M4F 32 bit 120 MHz CANbus, I²C, SIO, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 256KB (256Kx8) FLASH - 18K×8 4,5 V ~ 5,5 V A/D 23x12b SAR Esterno, Interno
TMP91FY22FG Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FY22FG -
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 ECAD 4517 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-900/L1 Vassoio Obsoleto -20°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 100-BQFP TMP91 100-QFP (20x14) scaricamento 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 20 81 900/L1 16 bit 27 MHz EBI/EMI, IrDA, UART/USART DMA 256KB (256Kx8) FLASH - 16K×8 - A/D 8x10b Interno
TMP19A43FDXBG Toshiba Semiconductor and Storage TMP19A43FDXBG 13.5910
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 ECAD 7080 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX19 Vassoio Design non per nuovi -20°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 193-FBGA TMP19 - Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 168 143 TX19A 16/32 bit 40 MHz EBI/EMI, I²C, UART/USART DMA, WDT 512KB (512KBx8) FLASH - 24K×8 1,35 V ~ 3,6 V A/D 16x10b; D/A 2x8b Esterno
TMP91FY42FG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FY42FG(C,JZ) -
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 ECAD 6684 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-900/L1 Vassoio Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMP91 100-LQFP (14x14) - 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 10 81 900/L1 16 bit 27 MHz EBI/EMI, I²C, IrDA, UART/USART DMA, PWM, WDT 256KB (256Kx8) FLASH - 16K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 8x10b Interno
TMPM4GNF10FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4GNF10FG -
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 ECAD 7226 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TXZ+ Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 100-LQFP 100-LQFP (14x14) scaricamento 264-TMPM4GNF10FG 1 91 ARM® Cortex®-M4F 32 bit 200 MHz EBI/EMI, FIFO, I²C, IrDA, SIO, SPI, UART/USART DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 1MB (1Mx8) FLASH 32K×8 256K×8 2,7 V ~ 3,6 V SAR A/D 24x12b; D/A 2x8b Esterno, Interno
TMPM366FYFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM366FYFG -
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 ECAD 2436 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM366 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 200 73 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 48 MHz I²C, SIO, UART/USART DMA, LVD, WDT 256KB (256Kx8) FLASH - 48K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 12x12b Interno
TMP86PM47AUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PM47AUG(C,JZ) -
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 ECAD 5896 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-870/C Vassoio Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 44-LQFP TMP86 44-LQFP (10x10) scaricamento 3 (168 ore) TMP86PM47AUG(CJZ) EAR99 8542.31.0001 1 35 - 8 bit 16 MHz SIO, UART/USART PWM, WDT 32KB (32Kx8) OTP - 1K x 8 1,8 V ~ 5,5 V A/D 8x10b Esterno
TMPM380FWFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM380FWFG 5.1480
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 ECAD 8413 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM380 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 200 83 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SIO, UART/USART DMA, LVD, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 12K×8 4 V ~ 5,5 V A/D 18x12b Esterno
TMPM3H2FSQG,A,EL Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3H2FSQG,A,EL 2.6334
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 ECAD 5609 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 48-VFQFN Tampone esposto TMPM3H2 48-VQFN (6x6) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 4.000 40 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 16KB (16Kx8) FLASH - 8K×8 2,7 V ~ 5,5 V A/D 8x12b; D/A 1x8b Interno
TMPM462F15FG(BDBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM462F15FG(BDBB) 12.0065
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 ECAD 9466 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 176-LQFP TMPM462 176-LQFP (20x20) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 60 139 ARM® Cortex®-M4F Single-core a 32 bit 120 MHz EBI/EMI, I²C, IrDA, Microcavo, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART DMA, LVD, WDT 1,5 MB (1,5 milioni x 8) FLASH - 193K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 20x12b Esterno
TMPM3HQFDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HQFDFG(DBB) 9.1600
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 ECAD 375 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 144-FQFP TMPM3 144-LQFP (20x20) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 60 134 ARM® Cortex®-M4 Single-core a 32 bit 80 MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512KBx8) FLASH 32K×8 64K×8 2,7 V ~ 5,5 V A/D 21x12b; D/A 2x8b Interno
TMPM3HQFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HQFDAFG 11.1800
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 ECAD 60 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TXZ+ Vassoio Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 144-LQFP 144-LQFP (20x20) - Conformità ROHS3 3 (168 ore) 264-TMPM3HQFDAFG 60 135 ARM® Cortex®-M3 32 bit 120 MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, controllo motore PWM, POR, WDT 512KB (512KBx8) FLASH 32K×8 64K×8 2,7 V ~ 5,5 V SAR A/D 21x12b; D/A 2x8b Esterno, Interno
TMPM3HNFDADFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HNFDADFG 7.1800
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 ECAD 6936 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TXZ+ Vassoio Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 100-BQFP 100-QFP (14x20) - Conformità ROHS3 3 (168 ore) 264-TMPM3HNFDADFG 90 93 ARM® Cortex®-M3 32 bit 120 MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, controllo motore PWM, POR, WDT 512KB (512KBx8) FLASH 32K×8 64K×8 2,7 V ~ 5,5 V SAR A/D 17x12b; D/A 2x8b Esterno, Interno
TMPM4G6FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6FEFG(DBB) -
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 ECAD 2379 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Obsoleto -40°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM4G6 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® Cortex®-M4F Single-core a 32 bit 160 MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 768KB (768KBx8) FLASH 32K×8 128K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 16x12b; D/A 2x8b Interno
TMPM3HPF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HPF10BFG 8.5600
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 ECAD 3815 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TXZ+ Vassoio Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 128-LQFP 128-LQFP (14x14) - Conformità ROHS3 3 (168 ore) 264-TMPM3HPF10BFG 180 118 ARM® Cortex®-M3 32 bit 120 MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, controllo motore PWM, POR, WDT 1MB (1Mx8) FLASH 32K×8 128K×8 2,7 V ~ 5,5 V SAR A/D 19x12b; D/A 2x8b Esterno, Interno
TMPM3H6FWFG,A,J Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3H6FWFG,A,J 4.0172
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 ECAD 4413 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM3H6 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 90 87 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 128KB (128Kx8) FLASH 32K×8 16K×8 2,7 V ~ 5,5 V A/D 16x12b; D/A 2x8b Interno
TMPM4G6FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6FDFG(DBB) -
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 ECAD 7500 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Obsoleto -40°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM4G6 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM® Cortex®-M4F Single-core a 32 bit 160 MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512KB (512KBx8) FLASH 32K×8 128K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 16x12b; D/A 2x8b Interno
TMP86FS49FG Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49FG -
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 ECAD 2336 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-870/C Vassoio Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-BQFP TMP86 64-QFP (14x14) scaricamento 3 (168 ore) EAR99 8542.31.0001 100 56 870/C 8 bit 16 MHz I²C, SIO, UART/USART PWM, WDT 60KB (60KBx8) FLASH - 2K×8 3 V ~ 5,5 V A/D 16x10b Interno
TMP86PM29BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PM29BUG(C,JZ) -
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 ECAD 3291 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-870/C Vassoio Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-LQFP TMP86 64-LQFP (10x10) - 3 (168 ore) TMP86PM29BUG(CJZ) EAR99 8542.31.0001 1 39 - 8 bit 16 MHz SIO, UART/USART LCD, PWM, WDT 32KB (32Kx8) OTP - 1,5Kx8 1,8 V ~ 5,5 V A/D 8x10b Esterno
TMP91FW27UG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FW27UG(C,JZ) -
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 ECAD 1384 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-900/L1 Vassoio Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-LQFP TMP91 64-LQFP (10x10) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS TMP91FW27UG(CJZ) 3A991A2 8542.31.0001 200 53 900/L1 16 bit 27 MHz EBI/EMI, I²C, IrDA, UART/USART DMA, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 12K×8 2,2 V ~ 3,6 V A/D4x10b Interno
TMP86FS49BFG(CZHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BFG(CZHZ) 5.0980
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 ECAD 7443 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-870/C Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-BQFP TMP86 64-QFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 450 56 870/C 8 bit 16 MHz I²C, SIO, UART/USART LED, PWM, WDT 60KB (60KBx8) FLASH - 2K×8 2,7 V ~ 5,5 V A/D 16x10b Interno
TMPM369FDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM369FDFG 12.0000
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 ECAD 9281 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 144-FQFP TMPM369 144-LQFP (20x20) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 200 102 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 80 MHz CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, Microwire, SIO, SPI, SSP, UART/USART, USB DMA, POR, WDT 512KB (512KBx8) FLASH - 128K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 16x12b; D/A 2x10b Interno
TMP95C061BFG(Z) Toshiba Semiconductor and Storage TMP95C061BFG(Z) -
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 ECAD 5202 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLCS-900/H Tubo Obsoleto -20°C ~ 70°C (TA) Montaggio superficiale 100-BFQFP TMP95 100-QFP (14x14) scaricamento 3 (168 ore) EAR99 8542.31.0001 1 56 900/H 16 bit 25 MHz EBI/EMI, SIO, UART/USART DMA, WDT - Senza ROM - - 4,5 V ~ 5,5 V A/D4x10b Esterno
TMPM333FDFG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FDFG(C,J) 3.6400
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 ECAD 7282 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM333 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 1 78 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SIO, UART/USART POR, WDT 512KB (512KBx8) FLASH - 32K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 12x10b Esterno
TMPM46BF10FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM46BF10FG 6.8200
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 ECAD 5136 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX04 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM46 100-LQFP (14x14) - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TMPM46BF10FG(DBB) 5A002A1 8542.31.0001 90 71 ARM® Cortex®-M4F Single-core a 32 bit 120 MHz EBI/EMI, I²C, IrDA, Microcavo, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1MB (1Mx8) FLASH - 514K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 8x12b Interno
TMPM361F10FG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM361F10FG(C,J) 8.2236
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 ECAD 4325 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM361 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) TMPM361F10FG(CJ) 3A991A2 8542.31.0001 200 68 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 64 MHz I²C, SIO, UART/USART DMA, PWM, WDT 1MB (1Mx8) FLASH - 64K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 8x10b Interno
TMPM375FSDMG(J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM375FSDMG(J) -
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 ECAD 3818 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 105°C Montaggio superficiale 30-LSSOP (0,220", larghezza 5,60 mm) 30-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 264-TMPM375FSDMG(J)TR 840 21 ARM® Cortex®-M3 32 bit 40 MHz I²C, SIO, UART/USART LVD, POR, PWM, WDT 64KB (64Kx8) FLASH - 4K×8 4,5 V ~ 5,5 V A/D 4x12b SAR Esterno, Interno
TMPM380FYFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM380FYFG 5.6782
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 ECAD 5995 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -40°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 100-LQFP TMPM380 100-LQFP (14x14) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 200 83 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SIO, UART/USART DMA, LVD, WDT 256KB (256Kx8) FLASH - 16K×8 4,5 V ~ 5,5 V A/D 18x12b Esterno
TMPM332FWUG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM332FWUG(C) 2.6477
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 ECAD 6546 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TX03 Vassoio Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Montaggio superficiale 64-LQFP TMPM332 64-LQFP (10x10) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) 3A991A2 8542.31.0001 450 44 ARM® Cortex®-M3 Single-core a 32 bit 40 MHz I²C, SIO, UART/USART POR, WDT 128KB (128Kx8) FLASH - 8K×8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 8x10b Esterno
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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