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Prodotti a semiconduttore discreti(1081)

Immagine	Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	ECAD	Quantità disponibile	Peso(Kg)	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tecnologia	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
	RFM12N10	1.0000	Richiesta di offerta		5559	0.00000000	Harris Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	MOSFET (ossido di metallo)	TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	21	CanaleN	100 V	12A (Tc)	10 V	200 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	±20 V	850 pF a 25 V	-	75 W (Tc)