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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
IRFU421 Harris Corporation IRFU421 0,4000
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ECAD 900 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA MOSFET (ossido di metallo) I-PAK scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 450 V 2,5 A (TC) 10 V 3 Ohm a 1,3 A, 10 V 4 V a 250 µA 19 nC a 10 V ±20 V 350 pF a 25 V - 50 W (Tc)
HIP2060ASE Harris Corporation HIP2060ASE 1.8300
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo HIP2060 - - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1 -
RFP45N03L Harris Corporation RFP45N03L 0,6700
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ECAD 41 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 30 V 45A (Tc) 5 V 22 mOhm a 45 A, 5 V 2 V a 250 µA 60 nC a 10 V ±10 V 1650 pF a 25 V - 90 W (Tc)
RHRG5040 Harris Corporation RHRG5040 2.2700
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ECAD 9833 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante TO-247-2 Valanga TO-247-2 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 30 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 2,1 V a 50 A 50 n 500 µA a 400 V -65°C ~ 175°C 50A -
IRFD111 Harris Corporation IRFD111 -
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ECAD 5736 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) MOSFET (ossido di metallo) 4-DIP, esadecimale scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 108 CanaleN 80 V 1A(Tc) 10 V 600 mOhm a 800 mA, 10 V 4 V a 250 µA 7 nC a 10 V ±20 V 135 pF a 25 V - 1W (Tc)
RHRU50120 Harris Corporation RHRU50120 3.4700
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ECAD 425 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Montaggio su telaio TO-218-1 Valanga TO-218 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1200 V 3,2 V a 50 A 100 n 500 µA a 1200 V -65°C ~ 175°C 50A -
RURG3010CC Harris Corporation RURG3010CC 2.8600
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ECAD 768 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante TO-247-3 Valanga TO-247 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 30A 1 V a 30 A 50 n 500 µA a 100 V -65°C ~ 175°C
IRF830 Harris Corporation IRF830 1.4600
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ECAD 329 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 0000.00.0000 1 CanaleN 500 V 4,5 A(Tc) 1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 32 nC a 10 V ±20 V 600 pF a 25 V - 75 W (Tc)
IRFR9110 Harris Corporation IRFR9110 0,6500
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ECAD 554 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MOSFET (ossido di metallo) D-PAK (TO-252AA) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 0000.00.0000 1 Canale P 100 V 3,1 A(Tc) 1,2 Ohm a 1,9 A, 10 V 4 V a 250 µA 8,7 nC a 10 V ±20 V 200 pF a 25 V - 2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
IRFD9113 Harris Corporation IRFD9113 0,6200
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo - Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) IRFD9113 MOSFET (ossido di metallo) 4-DIP, esadecimale, HVMDIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 0000.00.0000 1 Canale P 60 V 600mA (Ta) 1,6 Ohm a 300 mA, 10 V - 15 nC a 15 V 250 pF a 25 V - -
HGTG12N60C3DR Harris Corporation HGTG12N60C3DR 1.0000
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ECAD 2155 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 Standard 104 W TO-247 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 480 V, 12 A, 25 Ohm, 15 V 37 nn - 600 V 24A 48A 2,2 V a 15 V, 12 A 400μJ (acceso), 340μJ (spento) 71 nC 37ns/120ns
2N6475 Harris Corporation 2N6475 1.1300
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ECAD 6073 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 40 W TO-220-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 200 100 V 4A 1mA PNP 2,5 V a 2 A, 4 A 15 a 1,5 A, 4 V 4 MHz
IRFP251 Harris Corporation IRFP251 1.8700
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ECAD 265 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 150 V 33A(Tc) 10 V 85 mOhm a 17 A, 10 V 4 V a 250 µA 120 nC a 10 V ±20 V 2000 pF a 25 V - 180 W(Tc)
1N5059 Harris Corporation 1N5059 0,1700
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ECAD 7918 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante SOD-57, assiale Standard SOD-57 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 1.360 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,1 V a 2 A 4 µs 5 µA a 200 V -55°C ~ 175°C 3A 40 pF a 0 V, 1 MHz
RFD16N05LSM Harris Corporation RFD16N05LSM 1.0000
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ECAD 2354 0.00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 RFD16 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento RoHS non conforme EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 50 V 16A (Tc) 4V, 5V 47 mOhm a 16 A, 5 V 2 V a 250 mA 80 nC a 10 V ±10 V - 60 W (Tc)
HGT1S12N60B3 Harris Corporation HGT1S12N60B3 1.2600
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ECAD 917 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA Standard 104 W I2PAK (TO-262) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 480 V, 12 A, 25 Ohm, 15 V - 600 V 27A 110A 2,1 V a 15 V, 12 A 304μJ (acceso), 250μJ (spento) 68 nC 26ns/150ns
IGT5E10CS Harris Corporation IGT5E10CS 1.4100
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ECAD 564 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo - Non applicabile 3 (168 ore) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1
IRF640S2470 Harris Corporation IRF640S2470 1.0000
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ECAD 2957 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo IRF640 - - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1 -
2N6792 Harris Corporation 2N6792 1.5900
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ECAD 10 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-205AF Lattina di metallo MOSFET (ossido di metallo) TO-205AF (TO-39) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 189 CanaleN 400 V 2A(Tc) 10 V 1,8 Ohm a 1,25 A, 10 V 4 V a 1 mA ±20 V 600 pF a 25 V - 20 W (Tc)
IRF626 Harris Corporation IRF626 0,5300
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ECAD 997 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 275 V 3,8 A(Tc) 10 V 1,1 Ohm a 1,4 A, 10 V 4 V a 250 µA 22 nC a 10 V ±20 V 340 pF a 25 V - 40 W (Tc)
RURP3040 Harris Corporation RURP3040 1.3600
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ECAD 5 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante TO-220-2 Valanga TO-220AC scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,5 V a 30 A 60 ns 500 µA a 400 V -55°C ~ 175°C 30A -
RFP50N06R4034 Harris Corporation RFP50N06R4034 0,6100
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ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo RFP50 - - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1 -
RFM10N50 Harris Corporation RFM10N50 -
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ECAD 3405 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-204AA, TO-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 500 V 10A (Tc) 10 V 600 mOhm a 5 A, 10 V 4 V a 1 mA ±20 V 3000 pF a 25 V - 150 W(Tc)
IRFU220 Harris Corporation IRFU220 0,8700
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ECAD 13 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA IRFU2 MOSFET (ossido di metallo) TO-251AA scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 0000.00.0000 1 CanaleN 200 V 4,8 A(Tc) 800 mOhm a 2,9 A, 10 V 4 V a 250 µA 14 nC a 10 V 260 pF a 25 V -
RURU15040RA Harris Corporation RURU15040RA 6.3500
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ECAD 420 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1
RFP2N12 Harris Corporation RFP2N12 0,4600
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 120 V 2A(Tc) 10 V 1,75 Ohm a 2 A, 10 V 4 V a 250 µA ±20 V 200 pF a 25 V - 25 W (Tc)
IRF9621 Harris Corporation IRF9621 -
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ECAD 4095 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 Canale P 150 V 3,5 A (TC) 10 V 1,5 Ohm a 1,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 22 nC a 10 V ±20 V 350 pF a 25 V - 40 W (Tc)
IRF433 Harris Corporation IRF433 -
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ECAD 8910 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo - Foro passante TO-204AA MOSFET (ossido di metallo) TO-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 154 CanaleN 450 V 4A - - - - - 75 W
BD244B Harris Corporation BD244B 0,1900
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ECAD 2813 0.00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 65 W TO-220-3 scaricamento RoHS non conforme EAR99 8541.29.0095 271 80 V 6A 700μA PNP 1,5 V a 1 A, 6 A 15 a 3 A, 4 V 3 MHz
RFP45N02L Harris Corporation RFP45N02L 0,4600
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 20 V 45A (Tc) 5 V 22 mOhm a 45 A, 5 V 2 V a 250 µA 60 nC a 10 V ±10 V 1300 pF a 15 V - 90 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock