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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
IGTM10N50 Harris Corporation IGTM10N50 1.5500
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ECAD 234 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo - Foro passante TO-204AA, TO-3 Standard TO-3 scaricamento Non applicabile 3 (168 ore) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1 - - 500 V 10A - - -
RF1S30P05 Harris Corporation RF1S30P05 0,8100
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo RF1S - - RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 0000.00.0000 1 -
RFH30N12 Harris Corporation RFH30N12 3.4600
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ECAD 268 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante Scheda isolata TO-218-3, TO-218AC MOSFET (ossido di metallo) Isolamento TO-218 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 120 V 30A (Tc) 10 V 75 mOhm a 15 A, 10 V 4 V a 1 mA ±20 V 3000 pF a 25 V - 150 W(Tc)
RURD1540 Harris Corporation RURD1540 -
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ECAD 6602 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante Scheda isolata TO-218-3, TO-218AC Valanga Isolamento TO-218 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 400 V 15A 1,25 V a 15 A 60 ns 10 µA a 400 V -55°C ~ 175°C
IRFD9110 Harris Corporation IRFD9110 0,3700
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ECAD 15 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) IRFD9110 MOSFET (ossido di metallo) 4-DIP, esadecimale, HVMDIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 0000.00.0000 807 Canale P 100 V 700mA (Ta) 10 V 1,2 Ohm a 420 mA, 10 V 4 V a 250 µA 8,7 nC a 10 V ±20 V 200 pF a 25 V - 1,3 W(Ta)
D45C4 Harris Corporation D45C4 -
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ECAD 7680 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 30 W TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 115 45 V 4A 10 µA PNP 500 mV a 100 mA, 1 A 25 @ 1A, 1V 40 MHz
RHRD440S Harris Corporation RHRD440S 0,4700
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ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 Valanga TO-252-3 (DPAK) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 2,1 V a 4 A 35 ns 100 µA a 400 V -65°C ~ 175°C 4A -
RFL1P08 Harris Corporation RFL1P08 0,5200
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ECAD 2428 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-205AF Lattina di metallo MOSFET (ossido di metallo) TO-205AF (TO-39) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 4 Canale P 80 V 1A(Tc) 10 V 3,65 Ohm a 1 A, 10 V 4 V a 250 µA ±20 V 150 pF a 25 V - 8,33 W(Tc)
HGTP7N60B3D Harris Corporation HGTP7N60B3D 1.0800
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ECAD 16 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Standard 60 W TO-220AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 480 V, 7 A, 50 Ohm, 15 V 37 nn - 600 V 14A 56A 2,1 V a 15 V, 7 A 160μJ (acceso), 120μJ (spento) 37 nC 26ns/130ns
RURD640S Harris Corporation RURD640S 0,5600
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 Standard TO-252, (D-Pak) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1 V a 6 A 60 ns 100 µA a 400 V -65°C ~ 175°C 6A -
A115E Harris Corporation A115E 0,4100
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Obsoleto Foro passante scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 1,3 V a 3 A 150 µs 2 µA a 500 V -65°C ~ 175°C 3A 40 pF a 4 V, 1 MHz
RHRP3050 Harris Corporation RHRP3050 1.4600
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ECAD 9116 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante TO-220-2 Valanga TO-220AC scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 150 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 2,1 V a 30 A 45 ns 1 mA a 500 V -65°C ~ 175°C 30A -
IRF232 Harris Corporation IRF232 -
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ECAD 2234 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-204AA, TO-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 201 CanaleN 200 V 8A (Tc) 10 V 600 mOhm a 5 A, 10 V 4 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 600 pF a 25 V - 75 W (Tc)
IRFP142R Harris Corporation IRFP142R -
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ECAD 7056 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 6 CanaleN 100 V 27A(Tc) 10 V 99 mOhm a 19 A, 10 V 4 V a 250 µA 59 nC a 10 V ±20 V 1275 pF a 25 V - 180 W(Tc)
RFP6N50 Harris Corporation RFP6N50 1.8800
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 500 V 6A (Tc) 10 V 1,25 Ohm a 3 A, 10 V 4 V a 1 mA ±20 V 1500 pF a 25 V - 75 W (Tc)
RFP2P10 Harris Corporation RFP2P10 0,5100
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ECAD 11 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 Canale P 100 V 2A(Tc) 10 V 3,5 Ohm a 1 A, 10 V 4 V a 1 mA ±20 V 150 pF a 25 V - 25 W (Tc)
2N6761 Harris Corporation 2N6761 -
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ECAD 9759 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-204AA, TO-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 450 V 4A(Tc) 10 V 2 Ohm a 2,5 A, 10 V 4 V a 1 mA ±20 V 800 pF a 25 V - 75 W (Tc)
HP4936DYT Harris Corporation HP4936DYT 0,2700
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ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) HP4936 MOSFET (ossido di metallo) 2 W (Ta) 8-SOIC scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 2 canali N (doppio) 30 V 5,8A(Ta) 37 mOhm a 5,8 A, 10 V 1 V a 250 µA 25nC a 10V 625 pF a 25 V Porta a livello logico
IRFD123 Harris Corporation IRFD123 0,8700
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ECAD 40 0.00000000 Harris Corporation - Tubo Obsoleto Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) MOSFET (ossido di metallo) 4-HVMDIP scaricamento RoHS non conforme EAR99 8541.29.0095 346 CanaleN 100 V 1,3A(Ta) 270 mOhm a 780 mA, 10 V 4 V a 250 µA 16 nC a 10 V 360 pF a 25 V -
D44Q3121 Harris Corporation D44Q3121 0,6900
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ECAD 586 0.00000000 Harris Corporation * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito 1
IRF532 Harris Corporation IRF532 1.2100
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ECAD 4371 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 195 CanaleN 100 V 12A (Tc) 10 V 230 mOhm a 8,3 A, 10 V 4 V a 250 µA 26 nC a 10 V ±20 V 600 pF a 25 V - 79 W(Tc)
RF1S25N06SM Harris Corporation RF1S25N06SM 0,6000
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ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo - Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MOSFET (ossido di metallo) TO-263AB scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 60 V 25A - - - - - -
RF1S15N08L Harris Corporation RF1S15N08L 0,6500
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ECAD 800 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo - Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MOSFET (ossido di metallo) TO-263AB scaricamento Non applicabile 3 (168 ore) Venditore non definito EAR99 8542.39.0001 1 CanaleN 80 V 45A - - - - - -
HGTD10N40F1S Harris Corporation HGTD10N40F1S 0,8400
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 Standard 75 W TO-252, (D-Pak) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 - - 400 V 12A 2,5 V a 10 V, 5 A - 13,4 nC -
RURD3040 Harris Corporation RURD3040 3.1500
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ECAD 250 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante Scheda isolata TO-218-3, TO-218AC Valanga Isolamento TO-218 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 400 V 30A 1,5 V a 30 A 60 ns 30 µA a 400 V -55°C ~ 175°C
IRF231 Harris Corporation IRF231 0,8700
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ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-204AA, TO-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 150 V 9A (Tc) 10 V 400 mOhm a 5 A, 10 V 4 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 600 pF a 25 V - 75 W (Tc)
RF1S9540 Harris Corporation RF1S9540 2.1300
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ECAD 7 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA MOSFET (ossido di metallo) I2PAK (TO-262) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 0000.00.0000 1 Canale P 100 V 19A(Tc) 10 V 200 mOhm a 10 A, 10 V 4 V a 250 µA 90 nC a 10 V ±20 V 1100 pF a 25 V - 150 W(Tc)
IGT6D11 Harris Corporation IGT6D11 2.0700
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ECAD 8751 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo - Foro passante TO-204AA, TO-3 Standard TO-3 scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 13 - - 400 V - - -
RURG1570CC Harris Corporation RURG1570CC -
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ECAD 1174 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante TO-247-3 Valanga TO-247 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.10.0080 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 700 V 15A 1,8 V a 15 A 125 n 100 µA a 700 V -65°C ~ 175°C
A114EX119 Harris Corporation A114EX119 -
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ECAD 2124 0.00000000 Harris Corporation - Massa Attivo Foro passante - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito 1.507 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 500 V 1,3 V a 1 A 150 µs 2 µA a 500 V -65°C ~ 175°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock