Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Prodotti a semiconduttore discreti(1062)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
PBSS4130QAZ	0,0700	Richiesta di offerta	243	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto				325 mW	DFN1010D-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS4130QAZ-954	EAR99	8541.29.0075	1																				30 V	1A		100nA (ICBO)			NPN	245 mV a 50 mA, 1 A	180 a 1 A, 2 V	190 MHz
BZV55-C16,115	0,0200	Richiesta di offerta	75	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento			REACH Inalterato	2156-BZV55-C16,115-954			1																		900 mV a 10 mA	50 nA a 11,2 V					16 V	40 Ohm
BZX79-C13,133	0,0200	Richiesta di offerta	170	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-C13,133-954			1																		900 mV a 10 mA	100 nA a 8 V					13 V	30 Ohm
BZV85-C18,113	0,0400	Richiesta di offerta	23	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1,3 W	DO-41	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV85-C18,113-954			1																		1 V a 50 mA	50 nA a 12,5 V					18 V	20 Ohm
BZB984-C3V3,115	0,0400	Richiesta di offerta	5822	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-	Montaggio superficiale	SOT-663				265 mW	SOT-663	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZB984-C3V3,115-954	EAR99	8541.10.0050	1	1 paio di anodo comune																	900 mV a 10 mA	5 µA a 1 V					3,3 V	85 Ohm
BZX884-C12.315	0,0300	Richiesta di offerta	18	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-882				250 mW	DFN1006-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX884-C12,315-954	EAR99	8541.10.0070	1																		900 mV a 10 mA	100 nA a 8 V					12 V	10 Ohm
BLS7G2729L-350P,11	-	Richiesta di offerta	1733	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo											-				2156-BLS7G2729L-350P,11			1
BCW61B,215	0,0200	Richiesta di offerta	17	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCW61B,215-954			1																				32 V	100 mA		20nA (ICBO)			PNP	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	180 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK7Y59-60EX	-	Richiesta di offerta	7909	Semiconduttori NXP	TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669			MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BUK7Y59-60EX-954	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					60 V	17A(Tc)	10 V	59 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 1 mA	7,8 nC a 10 V	±20 V	494 pF a 25 V	-	37 W (Tc)
PHPT61006PYX	-	Richiesta di offerta	9296	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669				1,3 W	LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PHPT61006PYX-954	EAR99	8541.29.0075	1																				100 V	6A		100 nA			PNP	130 mV a 50 mA, 1 A	170 a 500 mA, 2 V	116 MHz
BZX585-B20.115	-	Richiesta di offerta	2164	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523				300 mW	SOD-523	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX585-B20,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																		1,1 V a 100 mA	50 nA a 700 mV					20 V	55 Ohm
PDTC144VU,115	0,0200	Richiesta di offerta	14	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTC144VU,115-954			14.990
BZX884-B6V2,315	-	Richiesta di offerta	3976	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-882				250 mW	DFN1006-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX884-B6V2,315-954	EAR99	8541.10.0070	1																		900 mV a 10 mA	3 µA a 4 V					6,2 V	10 Ohm
NZX9V1C,133	-	Richiesta di offerta	5504	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-NZX9V1C,133-954			1																		1,5 V a 200 mA	500 nA a 6 V					9,1 V	20 Ohm
PMBT2222,215	1.0000	Richiesta di offerta	2242	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT2222			250 mW	TO-236AB	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMBT2222,215-954	EAR99	8541.21.0075	1																				30 V	600 mA		10nA (ICBO)			NPN	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	250 MHz
BZX84J-C47,115	-	Richiesta di offerta	9645	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				550 mW	SOD-323F	scaricamento						0000.00.0000	1																		1,1 V a 100 mA	50 nA a 32,9 V					47 V	90 Ohm
BC847.235	0,0200	Richiesta di offerta	50	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC847,235-954	EAR99	8541.21.0075	1																				45 V	100 mA		15nA (ICBO)			NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
MRF6V2010NR1528	30.6600	Richiesta di offerta	8128	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		110 V		Montaggio superficiale	TO-270AA		10 MHz~450 MHz	LDMOS		TO-270-2	-				2156-MRF6V2010NR1528			3	CanaleN		-	30 mA	10 W	23,9 dB a 220 MHz											-					50 V
BZX79-C30,143	0,0200	Richiesta di offerta	165	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-C30,143-954			1																		900 mV a 10 mA	50 nA a 700 mV					30 V	80 Ohm
BUK7509-55A,127	0,5600	Richiesta di offerta	3	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK7509-55A,127-954	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					55 V	75A (Tc)	10 V	9 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	62 nC a 0 V	±20 V	3271 pF a 25 V	-	211 W(Tc)
PBSS5520X,135	-	Richiesta di offerta	7885	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA				2,5 W	SOT-89	-				2156-PBSS5520X,135			1																				20 V	5A		100nA (ICBO)			PNP	270 mV a 500 mA, 5 A	300 a 500 mA, 2 V	100 MHz
BZX79-C36143	0,0200	Richiesta di offerta	90	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
BZX84-C7V5.215	0,0200	Richiesta di offerta	353	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX84-C7V5,215-954			1																		900 mV a 10 mA	1 µA a 5 V					7,5 V	15 Ohm
PZU4.3B,115	0,0300	Richiesta di offerta	21	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				310 mW	SOD-323F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PZU4.3B,115-954			1																		1,1 V a 100 mA	3 µA a 1 V					4,3 V	90 Ohm
AFV10700HR5	537.6400	Richiesta di offerta	27	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		105 V		Montaggio su telaio	NI-780-4		960 MHz ~ 1.215 GHz	LDMOS (doppio)		NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 canali N		1μA	100 mA	700 W	19,2 dB a 1,03 GHz											-					52 V
PDZ3.6B,115	0,0200	Richiesta di offerta	24	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323				400 mW	SOD-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDZ3.6B,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																		1,1 V a 100 mA	5 µA a 1 V					3,6 V	90 Ohm
MMRF1304NR1	25.6700	Richiesta di offerta	410	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		133 V		Montaggio superficiale	TO-270AA		1,8 MHz ~ 2 GHz	LDMOS		TO-270-2	scaricamento	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-MMRF1304NR1	EAR99	8541.29.0075	1			7μA	10 mA	25 W	25,4dB											-					50 V
BC846AW,115	0,0200	Richiesta di offerta	535	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC846AW,115-954			1																				65 V	100 mA		15nA (ICBO)			NPN	400 mV a 5 mA, 100 mA	110 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PDTC124XM,315	-	Richiesta di offerta	2391	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PDTC124			250 mW	DFN1006-3	scaricamento						0000.00.0000	1																				50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 5 V		22 kOhm	47 kOhm
TDZ3V9J,115	-	Richiesta di offerta	1496	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101, TDZxJ	Massa	Attivo	±2,05%		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				500 mW	SC-90	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-TDZ3V9J,115-954			1																		1,1 V a 100 mA	3 µA a 1 V					3,9 V	90 Ohm