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Prodotti a semiconduttore discreti(1062)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente: max	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
BZX84J-B16.115	0,0300	Richiesta di offerta	16	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				550 mW	SOD-323F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX84J-B16,115-954			10.051																				1,1 V a 100 mA		50 nA a 11,2 V									16 V	20 Ohm
BZX79-C13,133	0,0200	Richiesta di offerta	170	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-C13,133-954			1																				900 mV a 10 mA		100 nA a 8 V									13 V	30 Ohm
BUK9540-100A,127	0,3300	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK9540-100A,127-954			1		CanaleN						100 V	39A(Tc)	4,5 V, 10 V	39 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA	48 nC a 5 V	±15 V	3072 pF a 25 V	-	158 W(Tc)
PZU20B2.115	0,0300	Richiesta di offerta	32	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				310 mW	SOD-323F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PZU20B2,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																				1,1 V a 100 mA		50 nA a 15 V									20 V	20 Ohm
BZX84-C3V6,215	0,0200	Richiesta di offerta	554	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX84-C3V6,215-954			1																				900 mV a 10 mA		5 µA a 1 V									3,6 V	90 Ohm
1PS66SB17.115	1.0000	Richiesta di offerta	1033	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						1PS66					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-1PS66SB17,115-954			1
AFT21H350W03SR6	199.4800	Richiesta di offerta	150	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	NI-1230-4S		2,11 GHz ~ 2,17 GHz	LDMOS		NI-1230-4S	-				2156-AFT21H350W03SR6			2	CanaleN		10μA		763 mA	63 W	16,4 dB a 2,11 GHz											-									28 V
PMV50ENEA215	-	Richiesta di offerta	4345	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						PMV50					scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1
BAP65LX,315	0,0800	Richiesta di offerta	4	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto			-65°C ~ 150°C (TJ)		SOD-882					-	-				2156-BAP65LX,315			4.929				100 mA													135 mW							0,37 pF a 20 V, 1 MHz				PIN: singolo	30 V				350 mOhm a 100 mA, 100 MHz
BZV85-C18,113	0,0400	Richiesta di offerta	23	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1,3 W	DO-41	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV85-C18,113-954			1																				1 V a 50 mA		50 nA a 12,5 V									18 V	20 Ohm
BZV55-B5V1.115	0,0200	Richiesta di offerta	115	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV55-B5V1,115-954			1																				900 mV a 10 mA		2 µA a 2 V									5,1 V	60 Ohm
BZV55-C39,115	0,0200	Richiesta di offerta	837	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV55-C39,115-954		0000.00.0000	1																				900 mV a 10 mA		50 nA a 27,3 V									39 V	130 Ohm
BZX79-C36143	0,0200	Richiesta di offerta	90	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
BZX84-C7V5.215	0,0200	Richiesta di offerta	353	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX84-C7V5,215-954			1																				900 mV a 10 mA		1 µA a 5 V									7,5 V	15 Ohm
TDZ3V9J,115	-	Richiesta di offerta	1496	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101, TDZxJ	Massa	Attivo	±2,05%		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				500 mW	SC-90	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-TDZ3V9J,115-954			1																				1,1 V a 100 mA		3 µA a 1 V									3,9 V	90 Ohm
BZX84-A3V9,215	0,1000	Richiesta di offerta	6867	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±1%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX84-A3V9,215-954			1.304																				900 mV a 10 mA		3 µA a 1 V									3,9 V	90 Ohm
PUMB24.115	0,0200	Richiesta di offerta	365	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						PUMB24					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PUMB24,115-954			1
PBLS6004D,115	0,0600	Richiesta di offerta	63	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						PBLS6004					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBLS6004D,115-954			1
PEMH13.315	1.0000	Richiesta di offerta	4656	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	PEMH13			300 mW	SOT-666	scaricamento						0000.00.0000	1																									50 V	100mA				1μA				2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V	-	4,7 kOhm	47kOhm
PMXB56ENZ	1.0000	Richiesta di offerta	7694	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 3-XDFN			MOSFET (ossido di metallo)		DFN1010D-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMXB56ENZ-954	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						30 V	3,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	55 mOhm a 3,2 A, 10 V	2 V a 250 µA	6,3 nC a 10 V	±20 V	209 pF a 15 V	-	400 mW (Ta), 8,33 W (Tc)
PHPT610030PKX	-	Richiesta di offerta	9811	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto			175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	PHPT610030			1,25 W	LFPAK56D	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PHPT610030PKX	EAR99	8541.29.0075	1																									100 V	3A				100 nA				2 PNP (doppio)	360 mV a 200 mA, 2 A	150 a 500 mA, 10 V	125 MHz
MRF300AN	-	Richiesta di offerta	4595	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		133 V		Foro passante	TO-247-3		1,8 MHz ~ 250 MHz	LDMOS		TO-247-3	-				2156-MRF300AN			1	CanaleN		10μA		100 mA	300 W	28,2dB											-									50 V
A2I20H060GNR1	30.9400	Richiesta di offerta	500	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo		65 V		Montaggio superficiale	TO-270WBG-15		1,8GHz~2,2GHz	LDMOS (doppio)		TO-270WBG-15	-				2156-A2I20H060GNR1			10	2 canali N		-		24 mA	12 W	32,4dB											-									28 V
BZB84-C68.215	1.0000	Richiesta di offerta	6985	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZB84-C68			300 mW	TO-236AB	scaricamento						0000.00.0000	1	1 paio di anodo comune																			900 mV a 10 mA		50 nA a 47,6 V									68 V	240 Ohm
1N4531133	-	Richiesta di offerta	9164	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo				Foro passante	DO-204AG, DO-34, assiale			Standard		DO-34	scaricamento					EAR99	8541.10.0070	1																			75 V	1 V a 10 mA	4 ns	25 nA a 20 V	200°C (massimo)	4pF a 0 V, 1 MHz
BAW56SRAZ	0,0300	Richiesta di offerta	6639	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						BAW56					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BAW56SRAZ-954	EAR99	8541.10.0070	1
BUK625R0-40C,118	-	Richiesta di offerta	3532	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK625R0-40C,118-954	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						40 V	90A (Ta)		5 mOhm a 25 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	88 nC a 10 V	±16V	5200 pF a 25 V	-	158 W (Ta)
BZV49-C47,115	0,1600	Richiesta di offerta	6	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-243AA				1 W	SOT-89	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV49-C47,115-954			1																				1 V a 50 mA		50 nA a 32,9 V									47 V	170 Ohm
PDTA123YM,315	-	Richiesta di offerta	5284	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PDTA123			250 mW	DFN1006-3	scaricamento						0000.00.0000	1																									50 V	100 mA				1μA				PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	35 a 5 mA, 5 V		2,2 kOhm	10 kOhm
BAT54VV,115	-	Richiesta di offerta	5705	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						BAT54					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BAT54VV,115-954			1