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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Corrente - Prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tensione - Prova Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
BZT52H-B3V6,115 NXP Semiconductors BZT52H-B3V6,115 0,0200
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ECAD 2584 0.00000000 Semiconduttori NXP Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TA) Montaggio superficiale SOD-123F BZT52 375 mW SOD-123F scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BZT52H-B3V6,115-954 4.000 900 mV a 10 mA 5 µA a 1 V 3,6 V 95 Ohm
BUK6213-30C,118 NXP Semiconductors BUK6213-30C,118 0,2400
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ECAD 17 0.00000000 Semiconduttori NXP Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Venditore non definito REACH Inalterato 2156-BUK6213-30C,118-954 1 CanaleN 30 V 47A(Tc) 10 V 14 mOhm a 10 A, 10 V 2,8 V a 1 mA 19,5 nC a 10 V ±16V 1108 pF a 25 V - 60 W (Tc)
BZX384-B11,115 NXP Semiconductors BZX384-B11.115 -
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ECAD 5376 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BZX384 300 mW SOD-323 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BZX384-B11,115-954 1 1,1 V a 100 mA 100 nA a 8 V 11 V 20 Ohm
BC807-40,235 NXP Semiconductors BC807-40.235 -
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ECAD 4637 0.00000000 Semiconduttori NXP Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 mW TO-236AB scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BC807-40,235-954 1 45 V 500 mA 100nA (ICBO) PNP 700mV a 50mA, 500mA 250 a 100 mA, 1 V 80 MHz
PHD71NQ03LT,118 NXP Semiconductors PHD71NQ03LT,118 -
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ECAD 7622 0.00000000 Semiconduttori NXP TrenchMOS™ Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Venditore non definito REACH Inalterato 2156-PHD71NQ03LT,118-954 1 CanaleN 30 V 75A (Tc) 5 V, 10 V 10 mOhm a 25 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 13,2 nC a 5 V ±20 V 1220 pF a 25 V - 120 W (Tc)
BZX79-B75,133 NXP Semiconductors BZX79-B75,133 0,0200
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ECAD 74 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo ±2% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 400 mW ALF2 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BZX79-B75,133-954 1 900 mV a 10 mA 50 nA a 52,5 V 75 V 255 Ohm
BCV62C,215 NXP Semiconductors BCV62C,215 0,1400
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ECAD 2 0.00000000 Semiconduttori NXP * Massa Attivo BCV62 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BCV62C,215-954 EAR99 8541.21.0075 1
NZH10C,115 NXP Semiconductors NZH10C,115 0,0200
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ECAD 30 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo ±3% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123F 500 mW SOD-123F scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-NZH10C,115-954 1 900 mV a 10 mA 200 nA a 7 V 10 V 8 Ohm
BZX79-C5V6,143 NXP Semiconductors BZX79-C5V6,143 -
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ECAD 5295 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX79-C5V6 400 mW ALF2 scaricamento 0000.00.0000 1 900 mV a 10 mA 1 µA a 2 V 5,6 V 40 Ohm
PZU20BA,115 NXP Semiconductors PZU20BA,115 0,0200
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ECAD 48 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo ±5% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 320 mW SOD-323 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-PZU20BA,115-954 1 1,1 V a 100 mA 50 nA a 15 V 20 V 20 Ohm
BUK7E3R1-40E,127 NXP Semiconductors BUK7E3R1-40E,127 0,7500
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttori NXP Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Venditore non definito REACH Inalterato 2156-BUK7E3R1-40E,127-954 1 CanaleN 40 V 100A (Tc) 10 V 3,1 mOhm a 25 A, 10 V 4 V a 1 mA 79 nC a 10 V ±20 V 6200 pF a 25 V - 234 W(Tc)
MW7IC930GNR1 NXP Semiconductors MW7IC930GNR1 -
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ECAD 3875 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Obsoleto 65 V Montaggio superficiale Variante TO-270-16, ala di gabbiano 920 MHz ~ 960 MHz LDMOS (doppio) TO-270 WBL-16 GABBIANO - 2156-MW7IC930GNR1 1 2 canali N 10 µA 285 mA 3,2 W 35,9dB - 28 V
BZV85-C12,113 NXP Semiconductors BZV85-C12.113 0,0400
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ECAD 19 0.00000000 Semiconduttori NXP Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo ±5% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1 W DO-41 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BZV85-C12,113-954 1 1 V a 50 mA 200 nA a 8,4 V 12 V 10 Ohm
BZV55-B5V1,115 NXP Semiconductors BZV55-B5V1.115 0,0200
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ECAD 115 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo ±2% -65°C ~ 200°C Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 500 mW LLD; MiniMelf scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BZV55-B5V1,115-954 1 900 mV a 10 mA 2 µA a 2 V 5,1 V 60 Ohm
BZX79-C36143 NXP Semiconductors BZX79-C36143 0,0200
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ECAD 90 0.00000000 Semiconduttori NXP * Massa Attivo scaricamento EAR99 8541.10.0050 1
BZX84-C7V5,215 NXP Semiconductors BZX84-C7V5.215 0,0200
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ECAD 353 0.00000000 Semiconduttori NXP Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 mW TO-236AB scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BZX84-C7V5,215-954 1 900 mV a 10 mA 1 µA a 5 V 7,5 V 15 Ohm
TDZ3V9J,115 NXP Semiconductors TDZ3V9J,115 -
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ECAD 1496 0.00000000 Semiconduttori NXP Automobilistico, AEC-Q101, TDZxJ Massa Attivo ±2,05% 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F 500 mW SC-90 - RoHS non conforme Venditore non definito 2156-TDZ3V9J,115-954 1 1,1 V a 100 mA 3 µA a 1 V 3,9 V 90 Ohm
BZX84-A3V9,215 NXP Semiconductors BZX84-A3V9,215 0,1000
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ECAD 6867 0.00000000 Semiconduttori NXP Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo ±1% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 mW TO-236AB scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BZX84-A3V9,215-954 1.304 900 mV a 10 mA 3 µA a 1 V 3,9 V 90 Ohm
PBLS6004D,115 NXP Semiconductors PBLS6004D,115 0,0600
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ECAD 63 0.00000000 Semiconduttori NXP * Massa Attivo PBLS6004 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-PBLS6004D,115-954 1
PEMH13,315 NXP Semiconductors PEMH13.315 1.0000
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ECAD 4656 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 PEMH13 300 mW SOT-666 scaricamento 0000.00.0000 1 50 V 100mA 1μA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 100 mV a 250 µA, 5 mA 100 a 10 mA, 5 V - 4,7 kOhm 47kOhm
PMXB56ENZ NXP Semiconductors PMXB56ENZ 1.0000
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ECAD 7694 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XDFN Tampone esposto MOSFET (ossido di metallo) DFN1010D-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-PMXB56ENZ-954 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 30 V 3,2A(Ta) 4,5 V, 10 V 55 mOhm a 3,2 A, 10 V 2 V a 250 µA 6,3 nC a 10 V ±20 V 209 pF a 15 V - 400 mW (Ta), 8,33 W (Tc)
MRF300AN NXP Semiconductors MRF300AN -
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ECAD 4595 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo 133 V Foro passante TO-247-3 1,8 MHz ~ 250 MHz LDMOS TO-247-3 - 2156-MRF300AN 1 CanaleN 10 µA 100 mA 300W 28,2dB - 50 V
A2I20H060GNR1 NXP Semiconductors A2I20H060GNR1 30.9400
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ECAD 500 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo 65 V Montaggio superficiale TO-270WBG-15 1,8GHz~2,2GHz LDMOS (doppio) TO-270WBG-15 - 2156-A2I20H060GNR1 10 2 canali N - 24 mA 12 W 32,4dB - 28 V
BZB84-C68,215 NXP Semiconductors BZB84-C68.215 1.0000
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ECAD 6985 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo ±5% - Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C68 300 mW TO-236AB scaricamento 0000.00.0000 1 1 paio di anodo comune 900 mV a 10 mA 50 nA a 47,6 V 68 V 240 Ohm
1N4531133 NXP Semiconductors 1N4531133 -
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ECAD 9164 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo Foro passante DO-204AG, DO-34, assiale Standard DO-34 scaricamento EAR99 8541.10.0070 1 75 V 1 V a 10 mA 4nn 25 nA a 20 V 200°C (massimo) 4pF a 0 V, 1 MHz
BAW56SRAZ NXP Semiconductors BAW56SRAZ 0,0300
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ECAD 6639 0.00000000 Semiconduttori NXP * Massa Attivo BAW56 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BAW56SRAZ-954 EAR99 8541.10.0070 1
BUK625R0-40C,118 NXP Semiconductors BUK625R0-40C,118 -
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ECAD 3532 0.00000000 Semiconduttori NXP Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Venditore non definito REACH Inalterato 2156-BUK625R0-40C,118-954 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 40 V 90A (Ta) 5 mOhm a 25 A, 10 V 2,8 V a 1 mA 88 nC a 10 V ±16V 5200 pF a 25 V - 158 W (Ta)
BZV49-C47,115 NXP Semiconductors BZV49-C47,115 0,1600
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ECAD 6 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-243AA 1 W SOT-89 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BZV49-C47,115-954 1 1 V a 50 mA 50 nA a 32,9 V 47 V 170 Ohm
PDTA123YM,315 NXP Semiconductors PDTA123YM,315 -
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ECAD 5284 0.00000000 Semiconduttori NXP - Massa Attivo Montaggio superficiale SC-101, SOT-883 PDTA123 250 mW DFN1006-3 scaricamento 0000.00.0000 1 50 V 100 mA 1μA PNP - Pre-polarizzato 150 mV a 500 µA, 10 mA 35 a 5 mA, 5 V 2,2 kOhm 10 kOhm
BAT54VV,115 NXP Semiconductors BAT54VV,115 -
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ECAD 5705 0.00000000 Semiconduttori NXP * Massa Attivo BAT54 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 2156-BAT54VV,115-954 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock