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Prodotti a semiconduttore discreti(1062)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente: max	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza - RDS(On)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BUK664R4-55C,118	-	Richiesta di offerta	5636	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK664R4-55C,118-954	EAR99	8541.29.0095	124			CanaleN						55 V	100A (Tc)	5 V, 10 V	4,9 mOhm a 25 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	124 nC a 10 V	±16V	7750 pF a 25 V	-	204 W(Tc)
BZX884-C6V2,315	-	Richiesta di offerta	5365	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-882				250 mW	DFN1006-2	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-BZX884-C6V2,315-954			1																					900 mV a 10 mA		3 µA a 4 V													6,2 V	10 Ohm
BZT52H-B68.115	-	Richiesta di offerta	6010	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C (TA)	Montaggio superficiale	SOD-123F	BZT52			375 mW	SOD-123F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZT52H-B68,115-954			1																					900 mV a 10 mA		50 nA a 47,6 V													68 V	160 Ohm
BZV90-C51,115	-	Richiesta di offerta	8346	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA				1,5 W	SOT-223	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																					1 V a 50 mA		50 nA a 35,7 V													51 V	180 ohm
1PS79SB31,115	-	Richiesta di offerta	5059	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523			Schottky		SOD-523	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-1PS79SB31,115-954	EAR99	8541.10.0070	1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																		30 V	500 mV a 200 mA		30 µA a 10 V	125°C (massimo)	200mA	25 pF a 1 V, 1 MHz
PZU4.3B2A,115	-	Richiesta di offerta	7770	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323				320 mW	SOD-323	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PZU4.3B2A,115-954			1																					1,1 V a 100 mA		3 µA a 1 V													4,3 V	90 Ohm
BZX84J-B11.115	1.0000	Richiesta di offerta	7693	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				550 mW	SOD-323F	scaricamento						0000.00.0000	1																					1,1 V a 100 mA		100 nA a 8 V													11 V	10 Ohm
BZV55-B3V0,115	0,0200	Richiesta di offerta	86	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV55-B3V0,115-954			1																					900 mV a 10 mA		10 µA a 1 V													3 V	95 Ohm
BZV55-B6V8,115	0,0200	Richiesta di offerta	67	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV55-B6V8,115-954			1																					900 mV a 10 mA		2 µA a 4 V													6,8 V	15 Ohm
PMBF4391	0,8700	Richiesta di offerta	22	Semiconduttori NXP	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Informazioni REACH disponibili su richiesta	2832-PMBF4391TR	EAR99	8541.21.0080	575			CanaleN						40 V							14 pF a 20 V																40 V	50 mA a 20 V	4 V a 1 nA				30 Ohm
PMDXB550UNE,147	0,0800	Richiesta di offerta	720	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-PMDXB550UNE,147-954	EAR99	8541.21.0095	3.878
PMPB55ENEA/S500X	-	Richiesta di offerta	2132	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo											-				2156-PMPB55ENEA/S500X			1
PBLS4003D,115	0,0700	Richiesta di offerta	66	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						PBLS4003					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBLS4003D,115-954			4.473
PDTA114EK115	0,0300	Richiesta di offerta	30	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-PDTA114EK115-954			1
BZX884-C2V4315	-	Richiesta di offerta	2439	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento						0000.00.0000	1
PMCXB900UEZ	0,0800	Richiesta di offerta	1	Semiconduttori NXP	TrenchFET®	Massa	Attivo			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XFDFN Tampone esposto	PMCXB900		MOSFET (ossido di metallo)	265 mW	DFN1010B-6	scaricamento					EAR99	8541.21.0095	3.557	Canali N e P complementari								20 V	600 mA, 500 mA		620 mOhm a 600 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	0,7 nC a 4,5 V		21,3 pF a 10 V	Porta a livello logico
PDTC123YMB,315	0,0300	Richiesta di offerta	99	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						PDTC123					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTC123YMB,315-954			1
BAP50-04W,115	0,1100	Richiesta di offerta	14	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto			-65°C ~ 150°C (TJ)		2-SMD, senza piombo					CS300	-				2156-BAP50-04W,115			2.645					50 mA													240 mW								0,5 pF a 5 V, 1 MHz				PIN: singolo	50 V								5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
NZX10D,133	0,0200	Richiesta di offerta	110	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-NZX10D,133-954			1																					1,5 V a 200 mA		200 nA a 7 V													10 V	25 Ohm
PZU8.2B2L,315	-	Richiesta di offerta	8532	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-882	PZU8.2			250 mW	DFN1006-2	scaricamento						0000.00.0000	1																					1,1 V a 100 mA		500 nA a 5 V													8,2 V	10 Ohm
PMBT3906,215	0,0200	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMBT3906			250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMBT3906,215-954	EAR99	8541.21.0095	1																											40 V	200 mA							50nA (ICBO)					PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
BZX79-B12143	-	Richiesta di offerta	4369	Semiconduttori NXP	BZX79	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-BZX79-B12143-954			1																					900 mV a 10 mA		100 nA a 8 V													12 V	25 Ohm
2PD601ASL,235	-	Richiesta di offerta	7114	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2PD601			250 mW	TO-236AB	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																											50 V	100 mA							10nA (ICBO)					NPN	250mV a 10mA, 100mA	290 a 2 mA, 10 V	100 MHz
BZV55-B3V9,115	0,0200	Richiesta di offerta	81	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV55-B3V9,115-954	EAR99	8541.10.0070	1																					900 mV a 10 mA		3 µA a 1 V													3,9 V	90 Ohm
1N914B	-	Richiesta di offerta	7402	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo				Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			Standard		DO-35	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-1N914B-954			1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																		100 V	1 V a 200 mA	4 ns	5 µA a 75 V	-65°C ~ 175°C	200mA	4pF a 0 V, 1 MHz
BLC8G27LS-180AVY	-	Richiesta di offerta	7434	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo											-				2156-BLC8G27LS-180AVY			1
PSMN2R8-25MLC115	-	Richiesta di offerta	2760	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1
MRF1517NT1	4.3100	Richiesta di offerta	5	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		25 V		Montaggio superficiale	PLD-1.5		-	LDMOS		PLD-1.5	-				2156-MRF1517NT1			70	CanaleN			4A		150 mA	8 W	14 dB a 520 MHz											-										7,5 V
BZX84-A27,215	-	Richiesta di offerta	1887	Semiconduttori NXP	BZX84	Massa	Attivo	±1%		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-BZX84-A27,215-954			1																					900 mV a 10 mA		50 nA a 18,9 V													27 V	80 Ohm
1N4737A,133	-	Richiesta di offerta	5624	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4737			1 W	DO-41	scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1																					1,2 V a 200 mA		10 µA a 5 V													7,5 V	4 Ohm