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Prodotti a semiconduttore discreti(1062)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (Max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
MW7IC2725NR1	56.4600	Richiesta di offerta	950	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	Variante TO-270-16, conduttori piatti		2,5GHz~2,7GHz	LDMOS (doppio)		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC2725NR1			6	2 canali N			10 µA	275 mA	4 W	28,5dB											-									28 V
BZV85-C3V6,133	0,0300	Richiesta di offerta	30	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1,3 W	DO-41	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV85-C3V6,133-954			1																				1 V a 50 mA	50 µA a 1 V								3,6 V	15 Ohm
PDTC114EMB,315	-	Richiesta di offerta	1308	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	PDTC114			250 mW	DFN1006B-3	scaricamento						0000.00.0000	1																									50 V	100 mA		1μA			NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	230 MHz	10 kOhm	10 kOhm
2PD601BSL,215	0,0200	Richiesta di offerta	16	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-2PD601BSL,215-954			1																									50 V	200 mA		100nA (ICBO)			NPN	250mV a 10mA, 100mA	290 a 2 mA, 10 V	250 MHz
PDTC123TU115	0,0200	Richiesta di offerta	4136	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						PDTC123					scaricamento					EAR99	8541.21.0095	1
BCM847DS/DG/B2115	0,0700	Richiesta di offerta	181	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						BCM847					scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BCM847DS/DG/B2115-954			1
BUK6E2R3-40C,127	0,8900	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK6E2R3-40C,127-954			1			CanaleN					40 V	120A (Tc)	10 V	2,3 mOhm a 25 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	260 nC a 10 V	±16V	15.100 pF a 25 V	-	306 W(Tc)
2PC4617RMB,315	-	Richiesta di offerta	7989	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN	2PC4617			250 mW	DFN1006B-3	scaricamento					EAR99	8541.21.0075	1																									50 V	100 mA		100nA (ICBO)			NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	180 a 1 mA, 6 V	100 MHz
BLF1046.112	67.6000	Richiesta di offerta	20	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BLF1046,112-954			1
PMV160UP235	-	Richiesta di offerta	8538	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		Venditore non definito	Venditore non definito	2156-PMV160UP235-954			1
BZT52H-B2V4,115	0,0200	Richiesta di offerta	19	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C (TA)	Montaggio superficiale	SOD-123F	BZT52			375 mW	SOD-123F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZT52H-B2V4,115-954			1																				900 mV a 10 mA	50 µA a 1 V								2,4 V	85 Ohm
BCX70K,235	-	Richiesta di offerta	7939	Semiconduttori NXP	BCX70	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-BCX70K,235-954			1																									45 V	100 mA		20nA (ICBO)			NPN	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	380 a 2 mA, 5 V	250 MHz
BZV55-B5V1.135	-	Richiesta di offerta	7200	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento						0000.00.0000	1																				900 mV a 10 mA	2 µA a 2 V								5,1 V	60 Ohm
PDTC143TT,215	0,0200	Richiesta di offerta	422	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PDTC143TT,215-954			1
MRF24301HSR5	89.6400	Richiesta di offerta	100	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		32 V			NI-780S		2,4GHz~2,5GHz	LDMOS		NI-780S	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2156-MRF24301HSR5	EAR99	8541.29.0075	1				-		300 W	13,5dB											-
BZX79-B47133	0,0200	Richiesta di offerta	30	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
PEMH18.115	-	Richiesta di offerta	1354	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PEMH18,115-954			1
PEMB2.115	-	Richiesta di offerta	2804	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PEMB2,115-954			1
PMEG4020EP,115	0,0900	Richiesta di offerta	21	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SOD-128			Schottky		SOD-128/CFP5	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMG4020EP,115-954	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																	40 V	490 mV a 2 A	100 µA a 40 V	150°C (massimo)	2A	95 pF a 10 V, 1 MHz
BZX79-B5V1,133	0,0200	Richiesta di offerta	139	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-B5V1,133-954			1																				900 mV a 10 mA	2 µA a 2 V								5,1 V	60 Ohm
PZU2.4BL,315	-	Richiesta di offerta	6739	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-882				250 mW	DFN1006-2	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PZU2.4BL,315-954			1																				1,1 V a 100 mA	50 µA a 1 V								2,4 V	100 ohm
PZU18B1.115	-	Richiesta di offerta	5728	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				310 mW	SC-90	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PZU18B1,115-954			1																				1,1 V a 100 mA	50 nA a 13 V								18 V	20 Ohm
BAS40-07V,115	0,0600	Richiesta di offerta	842	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						BAS40					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BAS40-07V,115-954			5.293
BUK6212-40C,118	0,3300	Richiesta di offerta	5	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK6212-40C,118-954			1			CanaleN					40 V	50A (Ta)		11,2 mOhm a 12 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	33,9 nC a 10 V	±16V	1900 pF a 25 V	-	80W
BAS40-05W,115	0,0300	Richiesta di offerta	294	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						BAS40					-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BAS40-05W,115-954			1
BCP56-10H,115	-	Richiesta di offerta	9329	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BCP56-10H,115-954		0000.00.0000	1
BZX79-C3V0,143	0,0200	Richiesta di offerta	230	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-C3V0,143-954			1																				900 mV a 10 mA	10 µA a 1 V								3 V	95 Ohm
BZX79-C62,113	0,0200	Richiesta di offerta	429	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-C62,113-954			1																				900 mV a 10 mA	50 nA a 43,4 V								62 V	215 Ohm
BZV55-B33,115	0,0200	Richiesta di offerta	207	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV55-B33,115-954			1																				900 mV a 10 mA	50 nA a 23,1 V								33 V	80 Ohm
BZB84-B9V1.215	-	Richiesta di offerta	6918	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				300 mW	TO-236AB	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-BZB84-B9V1,215-954			1																				900 mV a 10 mA	500 nA a 6 V								9,1 V	15 Ohm