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Prodotti a semiconduttore discreti(1062)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PSMN8R0-40PS,127	-	Richiesta di offerta	2848	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	2156-PSMN8R0-40PS,127-954			1		CanaleN					40 V	77A(Tc)	10 V	7,6 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	21 nC a 10 V	±20 V	1262 pF a 12 V	-	86 W (Tc)
PBSS5230QAZ	0,0600	Richiesta di offerta	554	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto				325 mW	DFN1010D-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBSS5230QAZ-954	EAR99	8541.29.0075	1																				30 V	2A		100nA (ICBO)			PNP	210 mV a 50 mA, 1 A	60 a 2A, 2V	170 MHz
BZX384-C43,115	0,0200	Richiesta di offerta	225	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	BZX384			300 mW	SOD-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX384-C43,115-954			1																		1,1 V a 100 mA	5 nA a 30,1 V					43 V	150 Ohm
BCW72.235	0,0300	Richiesta di offerta	130	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BCW72,235-954			1																				45 V	100 mA		100nA (ICBO)			NPN	210 mV a 2,5 mA, 50 mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
MD7IC2755NR1	114.3900	Richiesta di offerta	2	Semiconduttori NXP	-	Massa	Obsoleto		65 V		Montaggio superficiale	Variante TO-270-14, conduttori piatti		2,5GHz~2,7GHz	LDMOS (doppio)		TO-270WB-14	-				2156-MD7IC2755NR1			3	2 canali N		10 µA	275 mA	10 W	25dB											-					28 V
BZX384-C11.115	-	Richiesta di offerta	7400	Semiconduttori NXP	BZX384	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323				300 mW	SOD-323	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-BZX384-C11,115-954			1																		1,1 V a 100 mA	100 nA a 8 V					11 V	20 Ohm
PUMH19.115	-	Richiesta di offerta	2418	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-PUMH19,115-954			1
BZT52H-C7V5.115	0,0200	Richiesta di offerta	24	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C (TA)	Montaggio superficiale	SOD-123F	BZT52			375 mW	SOD-123F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZT52H-C7V5,115-954			1																		900 mV a 10 mA	1 µA a 5 V					7,5 V	10 Ohm
BZX84J-B56,115	-	Richiesta di offerta	8649	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				550 mW	SOD-323F	scaricamento						0000.00.0000	1																		1,1 V a 100 mA	50 nA a 39,2 V					56 V	120 Ohm
NZX18A,133	0,0200	Richiesta di offerta	37	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-NZX18A,133-954			1																		1,5 V a 200 mA	50 nA a 12,6 V					18 V	55 Ohm
BZX884-B11.315	0,0300	Richiesta di offerta	70	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-882				250 mW	DFN1006-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX884-B11,315-954			1																		900 mV a 10 mA	100 nA a 8 V					11 V	10 Ohm
PBLS1503Y,115	0,0700	Richiesta di offerta	222	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo						PBLS1503					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PBLS1503Y,115-954			4.873
BC52-10PASX	0,0600	Richiesta di offerta	59	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 3-UDFN				420 mW	DFN2020D-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BC52-10PASX-954	EAR99	8541.21.0075	1																				60 V	1A		100nA (ICBO)			PNP	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	145 MHz
BZX79-C16.113	0,0200	Richiesta di offerta	240	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-C16,113-954			1																		900 mV a 10 mA	50 nA a 700 mV					16 V	40 Ohm
BZV85-C56,113	0,0400	Richiesta di offerta	88	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1,3 W	DO-41	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV85-C56,113-954			8.435																		1 V a 50 mA	50 nA a 39 V					56 V	150 Ohm
BZX79-C18.113	0,0200	Richiesta di offerta	470	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-C18,113-954			1																		900 mV a 10 mA	50 nA a 12,6 V					18 V	45 Ohm
PBSS4230PAN,115	-	Richiesta di offerta	3391	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	PBSS4230			510 mW	6-HUSON-EP (2x2)	-						0000.00.0000	1																				30 V	2A		100nA (ICBO)			-	290 mV a 200 mA, 2 A	200 a 1 A, 2 V	120 MHz
BZV85-C3V9.113	0,0300	Richiesta di offerta	75	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale				1,3 W	DO-41	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV85-C3V9,113-954			1																		1 V a 50 mA	10 µA a 1 V					3,9 V	15 Ohm
BZV55-B36,115	0,0200	Richiesta di offerta	772	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80				500 mW	LLD; MiniMelf	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZV55-B36,115-954			1																		900 mV a 10 mA	50 nA a 700 mV					36 V	90 Ohm
BUK7575-55A,127	0,3600	Richiesta di offerta	8	Semiconduttori NXP	TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK7575-55A,127-954	EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN					55 V	20,3 A(Tc)	10 V	75 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	483 pF a 25 V	-	62 W (Tc)
NZX22C,133	0,0200	Richiesta di offerta	84	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-NZX22C,133-954			1																		1,5 V a 200 mA	50 nA a 15,4 V					22 V	65 Ohm
BUK7E2R3-40E,127	0,8500	Richiesta di offerta	3	Semiconduttori NXP	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo			-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-BUK7E2R3-40E,127-954			1		CanaleN					40 V	120A (Tc)	10 V	2,3 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	109,2 nC a 10 V	±20 V	8500 pF a 25 V	-	293 W(Tc)
BZX79-B56,113	0,0200	Richiesta di offerta	24	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-B56,113-954			1																		900 mV a 10 mA	50 nA a 39,2 V					56 V	200 ohm
PZU20B1A,115	0,0300	Richiesta di offerta	26	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323				320 mW	SOD-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PZU20B1A,115-954			1																		1,1 V a 100 mA	50 nA a 15 V					20 V	20 Ohm
BZX84-B75.215	0,0200	Richiesta di offerta	158	Semiconduttori NXP	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250 mW	TO-236AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX84-B75,215-954			1																		900 mV a 10 mA	50 nA a 52,5 V					75 V	255 Ohm
PMXB43UNE/S500Z	-	Richiesta di offerta	3938	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto			MOSFET (ossido di metallo)		DFN1010D-3	-				2156-PMXB43UNE/S500Z			1		CanaleN					20 V	3,2A(Ta)	1,5 V, 4,5 V	54 mOhm a 3,2 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	10 nC a 4,5 V	±8 V	551 pF a 10 V	-	400 mW (Ta), 8,33 W (Tc)
PEMB18.115	0,0400	Richiesta di offerta	12	Semiconduttori NXP	*	Massa	Attivo											scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PEMB18,115-954			1
PMSS3906,115	0,0200	Richiesta di offerta	387	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo			150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323				200 mW	SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PMSS3906,115-954			1																				40 V	100 mA		50nA (ICBO)			PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	150 MHz
PZU7.5B,115	0,0300	Richiesta di offerta	110	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±5%		-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F				310 mW	SOD-323F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-PZU7.5B,115-954	EAR99	8541.10.0050	1																		1,1 V a 100 mA	500 nA a 4 V					7,5 V	10 Ohm
BZX79-B4V7,113	0,0200	Richiesta di offerta	120	Semiconduttori NXP	-	Massa	Attivo	±2%		-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				400 mW	ALF2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	2156-BZX79-B4V7,113-954			1																		900 mV a 10 mA	3 µA a 2 V					4,7 V	80 Ohm