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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Corrente: max | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Resistenza @ Se, F | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NMBT3906VL | 0,0200 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | Venditore non definito | REACH Inalterato | 2156-NMBT3906VL-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56W,135 | 0,0200 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | BAW56 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BAW56W,135-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC54PAS115 | 0,0600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | Venditore non definito | REACH Inalterato | 2156-BC54PAS115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B10.115 | 0,0200 | ![]() | 351 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 200°C | Montaggio superficiale | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 500 mW | LLD; MiniMelf | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZV55-B10,115-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 nA a 7 V | 10 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123TT,215 | 0,0200 | ![]() | 108 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-PDTA123TT,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBHV8115TLHR | - | ![]() | 4414 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 mW | SOT23-3 (TO-236) | - | 2156-PBHV8115TLHR | 1 | 150 V | 1A | 100 nA | NPN | 60mV a 10mA, 100mA | 70 a 50 mA, 10 V | 30 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143XT,215 | 0,0200 | ![]() | 547 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-PDTA143XT,215-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B10.215 | 0,0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX84-B10,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 nA a 7 V | 10 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PRMH9147 | - | ![]() | 8150 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | 6-XFDFN Tampone esposto | 325 mW | DFN1412-6 | - | 2156-PRMH9147 | 1 | 50 V | 100mA | 1μA | 2 NPN - Prepolarizzato | 100 mV a 250 µA, 5 mA | 100 a 5 mA, 5 V | 230 MHz | 10kOhm | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B24.215 | 0,0200 | ![]() | 255 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX84-B24,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 16,8 V | 24 V | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMF21.115 | 0,1500 | ![]() | 124 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | Venditore non definito | REACH Inalterato | 2156-PEMF21,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C15.215 | 1.0000 | ![]() | 6356 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | - | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 mW | TO-236AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZB84-C15,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 paio di anodo comune | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 10,5 V | 15 V | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB17.115 | 0,0400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-PEMB17,115-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS66SB17.115 | 1.0000 | ![]() | 1033 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | 1PS66 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-1PS66SB17,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS35.215 | 0,0400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BAS35,215-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C36,113 | 0,0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 400 mW | ALF2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX79-C36,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 25,2 V | 36 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5160QAZ | - | ![]() | 6848 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XDFN Tampone esposto | 325 mW | DFN1010D-3 | scaricamento | RoHS non conforme | Venditore non definito | 2156-PBSS5160QAZ | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1A | 100 nA | PNP | 460 mV a 50 mA, 1 A | 160 a 100 mA, 2 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4021PX,115 | 1.0000 | ![]() | 1763 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2,5 W | SOT-89 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-PBSS4021PX,115-954 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 6,2A | 100 nA | PNP | 265 mV a 345 mA, 6,9 A | 150 a 4 A, 2 V | 105 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN017-30EL,127 | 0,3400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | MOSFET (ossido di metallo) | I2PAK | - | RoHS non conforme | Venditore non definito | 2156-PSMN017-30EL,127 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | CanaleN | 30 V | 32A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 17 mOhm a 10 A, 10 V | 2,15 V a 1 mA | 10,7 nC a 10 V | ±20 V | 552 pF a 15 V | - | 47 W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC56-10PA,115 | 0,0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-PowerUDFN | 420 mW | 3-HUSON (2x2) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BC56-10PA,115-954 | 1 | 80 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 63 a 150 mA, 2 V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMMT591A,215 | 0,0400 | ![]() | 4937 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-PMMT591A,215-954 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.740 | 40 V | 1A | 100 nA | PNP | 500 mV a 100 mA, 1 A | 300 a 100 mA, 5 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ8V2J,115 | 0,0300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101, TDZxJ | Massa | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-90, SOD-323F | TDZ8V2 | 500 mW | SOD-323F | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-TDZ8V2J,115-954 | 10.414 | 1,1 V a 100 mA | 700 nA a 5 V | 8,2 V | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C15.133 | 0,0200 | ![]() | 244 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 400 mW | ALF2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX79-C15,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 10,5 V | 15 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV50ENEA215 | - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | PMV50 | scaricamento | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B10.133 | 0,0200 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 400 mW | ALF2 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX79-B10,133-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 200 nA a 7 V | 10 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PB1219AS,115 | - | ![]() | 6663 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | * | Massa | Attivo | - | RoHS non conforme | Venditore non definito | 2156-2PB1219AS,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V0,215 | 0,0200 | ![]() | 177 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2156-BZX84-C3V0,215-954 | 1 | 900 mV a 10 mA | 10 µA a 1 V | 3 V | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU9.1B2A,115 | 0,0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Attivo | ±2% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | 320 mW | SOD-323 | scaricamento | 0000.00.0000 | 11.632 | 1,1 V a 100 mA | 500 nA a 6 V | 9,1 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP50-04W,115 | 0,1100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | 2-SMD, senza piombo | CS300 | - | 2156-BAP50-04W,115 | 2.645 | 50 mA | 240 mW | 0,5 pF a 5 V, 1 MHz | PIN: singolo | 50 V | 5 Ohm a 10 mA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5130QAZ | 0,0600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconduttori NXP | - | Massa | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XDFN Tampone esposto | 325 mW | DFN1010D-3 | scaricamento | RoHS non conforme | Venditore non definito | 2156-PBSS5130QAZ | 1 | 30 V | 1A | 100 nA | PNP | 240 mV a 100 mA, 1 A | 250 a 100 mA, 2 V | 170 MHz |

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