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Prodotti a semiconduttore discreti(184)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S17005C | 25.7200 |  | 2406 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1700 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 27A | 780pF a 0 V, 1 MHz | |
 | G3S06520P | 11.9400 | | 5761 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 60A | 1170pF a 0 V, 1 MHz | |
 | G3S12015A | 20.6800 | | 4387 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 57A | 1700pF a 0 V, 1 MHz | |
| G5S12002A | 2.8400 | | 9027 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 170 pF a 0 V, 1 MHz |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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