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Prodotti a semiconduttore discreti(184)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S06508C | 4.8000 |  | 7422 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 25,5 A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G4S06515AT | 8.3300 | | 4598 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 36A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06510C | 5.3000 | | 2289 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 34A | 690pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06504C | 3.0800 | | 30 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,5 A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G4S6508Z | 4.8300 | | 4284 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | SiC (carburo di silicio) Schottky | 8-DFN (4,9x5,75) | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 30,5 A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12005C | 7.4500 | | 8658 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 20,95A | 424pF a 0 V, 1 MHz | ||||
 | G5S12030BM | 31.2300 | | 6964 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 55 A (CC) | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||
 | G3S06506D | 4.0700 | | 2800 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 22,5 A | 424pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12010M | 15.1400 | | 7383 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 23,5 A | 765pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12010D | 11.2500 | | 5257 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 33,2A | 765pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12020A | 21.4100 | | 2977 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 63,5A | 1320pF a 0 V, 1 MHz | ||||
| G3S06560B | 37.5400 | | 2593 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 650 V | 95 A (CC) | 1,7 V a 30 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G3S12002A | 3.8200 | | 3116 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 7A | 136pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12008C | 8.0700 | | 3987 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 28,9A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06504D | 3.0800 | | 2828 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,5 A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06510AT | 6.3000 | | 6640 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 36A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12030B | 38.3700 | | 1386 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 42 A (CC) | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
 | G4S06510JT | 4.8600 | | 8183 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | Scheda isolata TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220ISO | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 31.2A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06508HT | 4.6900 | | 4952 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 18,5A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12008A | 8.0700 | | 5697 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 24,8A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12010B | 16.0500 | | 1220 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 39 A (CC) | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
 | G5S06510QT | 6.1800 | | 2141 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-PowerTSFN | SiC (carburo di silicio) Schottky | 4-DFN (8x8) | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 53A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G4S12010PM | 17.6300 | | 6429 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 0 ns | 30 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 33,2A | - | ||||
| G5S12010D | 12.6300 | | 2899 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 30,9A | 825pF a 0 V, 1 MHz | ||||
| G5S06504QT | 3.0800 | | 4440 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-PowerTSFN | SiC (carburo di silicio) Schottky | 4-DFN (8x8) | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,55 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 14A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06508JT | 4.6900 | | 4853 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | Scheda isolata TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220ISO | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 23,5 A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06510DT | 5.7300 | | 6367 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 38A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06510QT | 6.2000 | | 4936 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-PowerTSFN | SiC (carburo di silicio) Schottky | 4-DFN (8x8) | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 44,9A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12040B | 46.4400 | | 4306 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 64,5 A(CC) | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G5S06506DT | 4.8300 | | 4519 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz |
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