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Prodotti a semiconduttore discreti(184)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G5S06506QT | 5.5400 |  | 4125 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-PowerTSFN | SiC (carburo di silicio) Schottky | 4-DFN (8x8) | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 34A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S06504A | 3.0800 | | 2311 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro e scatola (TB) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,5 A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | GAS06520P | 11.1000 | | 4087 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 66,5A | 1390pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S12002D | 3.8200 | | 2563 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 7A | 136pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G4S06515CT | 8.3300 | | 4595 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 35,8A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06508DT | 5.3200 | | 7962 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 32A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S12004B | 6.7200 | | 3127 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 8,5 A (CC) | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G3S17005A | 25.7200 | | 1837 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1700 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 28A | 800pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S12003H | 4.5600 | | 4100 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 100 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 9A | 260 pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12015L | 15.2900 | | 4965 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 55A | 1370pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06515HT | 8.3300 | | 1776 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 23,8A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06508DT | 4.6900 | | 5576 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06508AT | 5.3200 | | 9245 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 30,5 A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12020BM | 21.7500 | | 2082 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 33 A (CC) | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 30 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||
| G5S06505AT | 4.6400 | | 7102 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24,5 A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S17005C | 25.7200 | | 2406 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1700 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 27A | 780pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S12020PM | 30.5100 | | 4007 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,6 V a 20 A | 0 ns | 30 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 64,5A | 2600pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S17010B | 33.3200 | | 2827 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1700 V | 29,5 A (CC) | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G3S06508D | 4.8000 | | 9492 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 25,5 A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06520H | 11.9400 | | 1681 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 26A | 1170pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12015H | 20.6800 | | 8064 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 21A | 1700pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12015PM | 16.5000 | | 6923 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 55A | 1370pF a 0 V, 1 MHz | ||||
| G4S06508CT | 4.6900 | | 1563 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S12020A | 33.5600 | | 8244 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | - | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 120 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 73A | 2600pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12005A | 7.6200 | | 3236 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 22A | 475pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12008D | 8.0700 | | 8712 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 26.1A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06540B | 30.6100 | | 9682 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 650 V | 60 A (CC) | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G4S06506CT | 3.9000 | | 2101 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 13,8A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12020P | 25.0100 | | 4068 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 64,5A | 2600pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12002A | 2.8400 | | 9027 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 170 pF a 0 V, 1 MHz |
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