- Richiesta di offerta
- Distinta base
- Contattaci
Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
- cinese
- Inglese
- francese
- tedesco
- portoghese
- spagnolo
- russo
- giapponese
- coreano
- arabo
- irlandese
- greco
- turco
- Italiano
- danese
- rumeno
- indonesiano
- ceco
- afrikaans
- svedese
- Polacco
- Basco
- catalano
- esperanto
- hindi
- Laotiano
- albanese
- Amarico
- armeno
- Azero
- bielorusso
- bengalese
- Bosniaco
- bulgaro
- Cebuano
- Chichewa
- Corso
- croato
- Olandese
- Estone
- filippino
- finlandese
- Frisone
- galiziano
- georgiano
- Gujarati
- Haitiano
- Hausa
- hawaiano
- ebraico
- Hmong
- ungherese
- islandese
- Igbo
- giavanese
- Kannada
- Kazakistan
- Khmer
- curdo
- Kirghizistan
- latino
- lettone
- lituano
- Lussemburgo..
- macedone
- malgascio
- malese
- Malayalam
- maltese
- Maori
- Marathi
- mongolo
- birmano
- nepalese
- norvegese
- Pashtu
- persiano
- Punjabi
- serbo
- Sesotho
- Singalese
- slovacco
- sloveno
- Somalo
- Samoano
- Gaelico scozzese
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tagico
- Tamil
- Telugu
- tailandese
- ucraino
- Urdu
- Uzbeco
- vietnamita
- gallese
- Xhosa
- yiddish
- Yoruba
- Zulù
- Kinyarwanda
- Tartaro
- Oriya
- turkmeno
- Uiguro
Prodotti a semiconduttore discreti(184)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G4S06510PT | 4.8600 |  | 7075 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 31.2A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06510P | 8.2400 | | 9429 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 32,8A | 690pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S12002C | 2.8400 | | 7902 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 8,8 A | 170 pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S12010A | 17.2000 | | 2786 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 34,8A | 770pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S12020P | 33.5600 | | 3260 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | - | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 64,5A | 2600pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06520P | 11.9400 | | 5761 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 60A | 1170pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06510CT | 4.8600 | | 9621 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 31A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12003C | 4.5600 | | 8435 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 100 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 12A | 260 pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12015A | 20.6800 | | 4387 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 57A | 1700pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S12020H | 26.0000 | | 3136 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 24,6A | 1320pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06505C | 4.3100 | | 3183 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 22,6A | 424pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S06508J | 6.2800 | | 4678 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | Scheda isolata TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220ISO | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 23A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| GAS06520P | 11.1000 | | 4087 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 66,5A | 1390pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12002H | 3.8200 | | 8263 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 7.3A | 136pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06508CT | 5.3200 | | 5536 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 31A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06506HT | 3.9000 | | 3697 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 9,7A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06510AT | 4.8600 | | 7642 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 30,5 A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06540PT | 24.1500 | | 8892 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 40 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 81,8A | 1860pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06506CT | 4.8300 | | 2358 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06504AT | 3.6600 | | 4724 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,6 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,6A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06505CT | 4.6400 | | 7560 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06503A | 2.7300 | | 400 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,5 A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S065100P | 59.4300 | | 6372 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 40 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 20A | 13500pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S17005A | 25.7200 | | 1837 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1700 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 28A | 800pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S06508DT | 5.3200 | | 7962 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 32A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06515CT | 8.3300 | | 4595 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 35,8A | 645pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12002D | 3.8200 | | 2563 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 7A | 136pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S12004B | 6.7200 | | 3127 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 8,5 A (CC) | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G4S06506CT | 3.9000 | | 2101 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 13,8A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12015H | 20.6800 | | 8064 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 15 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 21A | 1700pF a 0 V, 1 MHz |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
Lista dei desideri (0 articoli)