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Prodotti a semiconduttore discreti(184)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S06550P | 37.4900 |  | 7840 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 50 A | 0 ns | 100 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 105A | 4400pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S12016B | 13.9300 | | 4770 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 27,9 A (CC) | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G4S06516BT | 7.6700 | | 2145 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 650 V | 25,9 A(CC) | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||
 | G3S06502H | 2.2800 | | 3507 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 9A | 123pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S06504CT | 3.6600 | | 7292 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,6 V a 4 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 13,8A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12010PM | 13.9300 | | 4807 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 33A | 825pF a 0 V, 1 MHz | ||||
| G3S06508H | 4.8000 | | 3000 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Pacchetto completo | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 14A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S06520A | 11.9400 | | 1774 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 20 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 56,5A | 1170pF a 0 V, 1 MHz | |||
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| G5S12010BM | 13.9300 | | 3293 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 19,35 A (CC) | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||
| G3S12010BM | 14.7900 | | 5239 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 19,8 A(CC) | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
 | G5S12005D | 7.4500 | | 5571 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 21A | 424pF a 0 V, 1 MHz | ||||
| G4S06520BT | 12.1100 | | 9600 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 650 V | 31,2 A(CC) | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G3S12002C | 3.8200 | | 5093 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 8,8 A | 170 pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06510DT | 4.8600 | | 7221 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 32A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06508A | 4.8000 | | 8461 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 25,5 A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S06505DT | 4.6400 | | 1517 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-263 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06506B | 5.0200 | | 1251 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 650 V | 14 A (CC) | 1,7 V a 3 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G3S17005P | 28.5100 | | 8699 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1700 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1700 V | -55°C ~ 175°C | 29,5A | 780pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06506AT | 3.9000 | | 5870 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 11,6A | 181pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G5S12016BM | 14.2800 | | 9360 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AB | scaricamento | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 27,9 A (CC) | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||
| G3S12005C | 7.6200 | | 7511 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252 | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 34A | 475pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06508AT | 4.6900 | | 3519 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 24,5 A | 395pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06502A | 2.2800 | | 2507 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 2 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 9A | 123pF a 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12020B | 22.1100 | | 6821 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 37A (CC) | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||
| G5S12008PM | 9.6100 | | 8975 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Foro passante | TO-247-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247AC | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 50 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 27,9A | 550pF a 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S6506Z | 5.5400 | | 8309 | 0.00000000 | Global Power Technology-GPT | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | SiC (carburo di silicio) Schottky | 8-DFN (4,9x5,75) | scaricamento | 1 (illimitato) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 6 A | 0 ns | 50 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 30,5 A | 395pF a 0 V, 1 MHz |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
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