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Prodotti a semiconduttore discreti(87)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tecnologia Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io)
P3D12040K3 PN Junction Semiconductor P3D12040K3 18.7200
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 ECAD 4655 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12040K3 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 60 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 92A
P3D06008G2 PN Junction Semiconductor P3D06008G2 3.3300
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 ECAD 6822 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06008G2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 36 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 26A
P3D12015K2 PN Junction Semiconductor P3D12015K2 10.8700
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 ECAD 8920 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12015K2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 40A
P3M12080K3 PN Junction Semiconductor P3M12080K3 11.9000
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 ECAD 1973 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12080K3 1 CanaleN 1200 V 47A 15 V 96 mOhm a 20 A, 15 V 2,4 V a 5 mA (tip.) +21V, -8V - 221W
P3M173K0F3 PN Junction Semiconductor P3M173K0F3 5.0800
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 ECAD 8624 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220F-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220F-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M173K0F3 1 CanaleN 1700 V 1,97A 15 V 3,6 Ohm a 0,25 A, 15 V 2,2 V a 1,5 mA (tip.) +19 V, -8 V - 19 W
P3M06025K4 PN Junction Semiconductor P3M06025K4 15.9000
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 ECAD 5048 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06025K4 1 CanaleN 650 V 97A 15 V 34 mOhm a 50 A, 15 V 2,2 V a 50 mA (tip.) +20 V, -8 V - 326W
P3M06300D5 PN Junction Semiconductor P3M06300D5 4.9800
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 ECAD 4032 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DFN5*6 SiCFET (carburo di silicio) DFN5*6 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06300D5TR 1 CanaleN 650 V 9A 15 V 500 mOhm a 4,5 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 26 W
P3M06060G7 PN Junction Semiconductor P3M06060G7 10.3800
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 ECAD 7390 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) D2PAK-7 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06060G7TR EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 650 V 44A 15 V 79 mOhm a 20 A, 15 V 2,2 V a 20 mA (tip.) +20 V, -8 V - 159 W
P3M12040G7 PN Junction Semiconductor P3M12040G7 20.9800
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 ECAD 8324 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) D2PAK-7 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12040G7TR 1 CanaleN 1200 V 69A 15 V 53 mOhm a 40 A, 15 V 2,2 V a 40 mA (tip.) +19 V, -8 V - 357 W
P3M06040K4 PN Junction Semiconductor P3M06040K4 12.1700
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 ECAD 2233 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06040K4 1 CanaleN 650 V 68A 15 V 50 mOhm a 40 A, 15 V 2,4 V a 7,5 mA (tip.) +20 V, -8 V - 254 W
P3M171K0T3 PN Junction Semiconductor P3M171K0T3 6.1000
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 ECAD 9441 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M171K0T3 1 CanaleN 1700 V 6A 15 V 1,4 Ohm a 2 A, 15 V 2,2 V a 2 mA (tip.) +19 V, -8 V - 100 W
P3D06016GS PN Junction Semiconductor P3D06016GS 7.7800
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 ECAD 9820 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263S SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263S scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06016GSTR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 45 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 40A
P3D06010T2 PN Junction Semiconductor P3D06010T2 4.1600
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 ECAD 7698 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06010T2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 30A
P3D12010K2 PN Junction Semiconductor P3D12010K2 6.5400
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 ECAD 7474 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12010K2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 31A
P3M17040K3 PN Junction Semiconductor P3M17040K3 35.8600
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 ECAD 3652 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M17040K3 1 CanaleN 1700 V 73A 15 V 60 mOhm a 50 A, 15 V 2,2 V a 50 mA (tip.) +19 V, -8 V - 536 W
P3D12030K3 PN Junction Semiconductor P3D12030K3 14.9200
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 ECAD 9128 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12030K3 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 94A
P3M06060L8 PN Junction Semiconductor P3M06060L8 10.3800
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 ECAD 5762 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SiCFET (carburo di silicio) PEDAGGIO scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06060L8TR 1 CanaleN 650 V 40A 15 V 79 mOhm a 20 A, 15 V 2,4 V a 5 mA (tip.) +20 V, -8 V - 188 W
P3M06120T3 PN Junction Semiconductor P3M06120T3 9.0500
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 ECAD 8880 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06120T3 1 CanaleN 650 V 29A 15 V 158 mOhm a 10 A, 15 V 2,2 V a 5 mA (tip.) +20 V, -8 V - 153 W
P3D06016K3 PN Junction Semiconductor P3D06016K3 7.7800
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 ECAD 2736 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06016K3 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 36 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 64A
P3M06300K3 PN Junction Semiconductor P3M06300K3 4.9800
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 ECAD 3261 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06300K3 1 CanaleN 650 V 9A 15 V 500 mOhm a 4,5 A, 15 V 2,2 V a 5 mA (tip.) 904 nC a 15 V +20 V, -8 V 338 pF a 400 V - 38 W
P3D12010T2 PN Junction Semiconductor P3D12010T2 6.5400
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 ECAD 6876 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12010T2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 31A
P3D12015T2 PN Junction Semiconductor P3D12015T2 10.8700
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 ECAD 3041 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12015T2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 34A
P3D06006E2 PN Junction Semiconductor P3D06006E2 2.5000
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 ECAD 4528 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-252-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06006E2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 30 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 18A
P3D06020K3 PN Junction Semiconductor P3D06020K3 8.8400
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 ECAD 2386 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06020K3 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 82A
P3M171K0K3 PN Junction Semiconductor P3M171K0K3 6.1000
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 ECAD 5311 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M171K0K3 1 CanaleN 1700 V 6A 15 V 1,4 Ohm a 2 A, 15 V 2,2 V a 2 mA (tip.) +19 V, -8 V - 68W
P3D06010I2 PN Junction Semiconductor P3D06010I2 4.1600
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 ECAD 8136 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220I-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220I-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06010I2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 26A
P3D12040K2 PN Junction Semiconductor P3D12040K2 18.7200
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 ECAD 1468 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12040K2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 70 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 93A
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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