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Prodotti a semiconduttore discreti(87)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F
P3D06002T2 PN Junction Semiconductor P3D06002T2 2.1000
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 ECAD 5217 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06002T2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 10 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 6A
P3D06004G2 PN Junction Semiconductor P3D06004G2 2.1000
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 ECAD 6325 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06004G2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 20 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 14A
P3M12017K4 PN Junction Semiconductor P3M12017K4 39,7500
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 ECAD 7138 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12017K4 1 CanaleN 1200 V 151A 15 V 24 mOhm a 75 A, 15 V 2,5 V a 75 mA (tip.) +25 V, -10 V - 789W
P3M12040K3 PN Junction Semiconductor P3M12040K3 20.9800
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 ECAD 8887 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12040K3 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1200 V 63A 15 V 48 mOhm a 40 A, 15 V 2,2 V a 40 mA (tip.) +21V, -8V - 349 W
P3D12020G2 PN Junction Semiconductor P3D12020G2 12.4100
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 ECAD 4772 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12020G2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 60 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 49A
P3M12080K4 PN Junction Semiconductor P3M12080K4 11.9000
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 ECAD 9034 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12080K4 1 CanaleN 1200 V 47A 15 V 96 mOhm a 20 A, 15 V 2,4 V a 5 mA (tip.) +21V, -8V - 221W
P3M07013K4 PN Junction Semiconductor P3M07013K4 33,9000
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 ECAD 4850 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M07013K4 1 CanaleN 750 V 140A 15 V 16 mOhm a 75 A, 15 V 2,2 V a 75 mA (tip.) +19 V, -8 V - 428 W
P3M12040K4 PN Junction Semiconductor P3M12040K4 20.9800
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 ECAD 2699 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12040K4 1 CanaleN 1200 V 63A 15 V 48 mOhm a 40 A, 15 V 2,2 V a 40 mA (tip.) +21V, -8V - 349 W
P3M12080G7 PN Junction Semiconductor P3M12080G7 11.9000
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 ECAD 1610 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) D2PAK-7 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12080G7TR 1 CanaleN 1200 V 32A 15 V 96 mOhm a 20 A, 15 V 2,2 V a 30 mA (tip.) +19 V, -8 V - 136 W
P3D12010K3 PN Junction Semiconductor P3D12010K3 6.5400
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 ECAD 3747 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12010K3 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 46A
P3M06120K4 PN Junction Semiconductor P3M06120K4 9.0500
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 ECAD 2705 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06120K4 1 CanaleN 650 V 27A 15 V 158 mOhm a 10 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 131 W
P3D12005K2 PN Junction Semiconductor P3D12005K2 4.5000
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 ECAD 6239 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12005K2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 23A
P3D06006T2 PN Junction Semiconductor P3D06006T2 2.5000
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 ECAD 2115 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06006T2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 30 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 23A
P3D06008E2 PN Junction Semiconductor P3D06008E2 3.3300
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 ECAD 2523 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-252-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06008E2TR EAR99 8541.10.0080 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 36 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 22A
PAA12400BM3 PN Junction Semiconductor PAA12400BM3 882.3600
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 ECAD 3564 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN - Vassoio Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo PAA12400 Carburo di silicio (SiC) - Modulo scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-PAA12400BM3 1 2 canali N (mezzo ponte) 1200 V (1,2 kV) 350A 7,3 mOhm a 300 A, 20 V 5 V a 100 mA - 29,5 pF a 1000 V -
P3M171K2K3 PN Junction Semiconductor P3M171K2K3 5.5900
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 ECAD 2230 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M171K2K3 1 CanaleN 1700 V 6A 15 V 1,4 Ohm a 2 A, 15 V 2,2 V a 2 mA (tip.) +19 V, -8 V - 68W
P3D12020K3 PN Junction Semiconductor P3D12020K3 12.4100
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 ECAD 1272 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12020K3 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 70A
P3D12020K2 PN Junction Semiconductor P3D12020K2 12.4100
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 ECAD 5644 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12020K2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 60 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 51A
P3D06020T2 PN Junction Semiconductor P3D06020T2 8.8400
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 ECAD 2609 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo - TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06020T2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,6 V a 20 A 0 ns 100 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 45A 904pF a 0 V, 1 MHz
P3M06120K3 PN Junction Semiconductor P3M06120K3 9.0500
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 ECAD 6996 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06120K3 1 CanaleN 650 V 27A 15 V 158 mOhm a 10 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 131 W
P3D06020I2 PN Junction Semiconductor P3D06020I2 8.8400
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 ECAD 9682 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220I-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220I-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06020I2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 35A
P1H06300D8 PN Junction Semiconductor P1H06300D8 4.9800
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 ECAD 7689 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale GaNFET (nitruro di gallio) DFN8*8 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P1H06300D8TR 1 CanaleN 650 V 10A 6V - +10 V, -20 V - 55,5 W
P3D06016I2 PN Junction Semiconductor P3D06016I2 7.7800
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 ECAD 2155 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220I-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220I-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06016I2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 45 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 28A
P3M12025K4 PN Junction Semiconductor P3M12025K4 28.7400
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 ECAD 30 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12025K4 1 CanaleN 1200 V 112A 15 V 35 mOhm a 50 A, 15 V 2,2 V a 50 mA (tip.) +19 V, -8 V - 577W
P3D12020GS PN Junction Semiconductor P3D12020GS 12.4100
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 ECAD 9668 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263S SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263S scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12020GSTR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 60 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 50A
P3M06060K3 PN Junction Semiconductor P3M06060K3 10.3800
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 ECAD 9755 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06060K3 1 CanaleN 650 V 48A 15 V 79 mOhm a 20 A, 15 V 2,2 V a 20 mA (tip.) +20 V, -8 V - 188 W
P3M12160K3 PN Junction Semiconductor P3M12160K3 8.8300
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 ECAD 8824 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12160K3 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1200 V 19A 15 V 192 mOhm a 10 A, 15 V 2,4 V a 2,5 mA (tip.) +21V, -8V - 110 W
P3D06010F2 PN Junction Semiconductor P3D06010F2 4.1600
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 ECAD 5570 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220F-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220F-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06010F2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 21A
P3D06010G2 PN Junction Semiconductor P3D06010G2 4.1600
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 ECAD 5972 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06010G2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 30A
P3D06008I2 PN Junction Semiconductor P3D06008I2 3.3300
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 ECAD 4460 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220I-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220I-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06008I2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 36 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 21A
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  • Standard Product Unit

    30.000.000

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  • Worldwide Manufacturers

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

Quantità: 1

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