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Prodotti a semiconduttore discreti(87)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tecnologia Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Vg (massimo) Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io)
P3D06008F2 PN Junction Semiconductor P3D06008F2 3.3300
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 ECAD 6959 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220F-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220F-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06008F2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 36 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 18A
P3D06010F2 PN Junction Semiconductor P3D06010F2 4.1600
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 ECAD 5570 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220F-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220F-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06010F2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 21A
P3D06016I2 PN Junction Semiconductor P3D06016I2 7.7800
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 ECAD 2155 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220I-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220I-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06016I2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 45 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 28A
P3D12020GS PN Junction Semiconductor P3D12020GS 12.4100
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 ECAD 9668 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263S SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263S scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12020GSTR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 60 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 50A
P3D06004E2 PN Junction Semiconductor P3D06004E2 2.1000
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 ECAD 8434 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-252-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06004E2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 20 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 12A
P3M171K0F3 PN Junction Semiconductor P3M171K0F3 6.1000
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 ECAD 2987 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220F-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220F-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M171K0F3 1 CanaleN 1700 V 5,5 A 15 V 1,4 Ohm a 2 A, 15 V 2,2 V a 2 mA (tip.) +19 V, -8 V - 51 W
P3D06006I2 PN Junction Semiconductor P3D06006I2 2.5000
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 ECAD 8790 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220I-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220I-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06006I2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 30 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 18A
P3M173K0T3 PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 5.0800
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 ECAD 8943 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M173K0T3 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1700 V 4A 15 V 2,6 Ohm a 600 mA, 15 V 2,2 V a 600 µA (tip.) +19 V, -8 V - 75 W
P3M17040K4 PN Junction Semiconductor P3M17040K4 35.8600
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 ECAD 4762 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M17040K4 1 CanaleN 1700 V 73A 15 V 60 mOhm a 50 A, 15 V 2,2 V a 50 mA (tip.) +19 V, -8 V - 536 W
P3D12005E2 PN Junction Semiconductor P3D12005E2 4.5000
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 ECAD 1816 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-252-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12005E2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 19A
P6D12002E2 PN Junction Semiconductor P6D12002E2 2.6900
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 ECAD 9835 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P6D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-252-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P6D12002E2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 8A
P3M06060K4 PN Junction Semiconductor P3M06060K4 10.3800
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 ECAD 7995 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06060K4 1 CanaleN 650 V 48A 15 V 79 mOhm a 20 A, 15 V 2,4 V a 5 mA (tip.) +20 V, -8 V - 188 W
P3M06300D8 PN Junction Semiconductor P3M06300D8 4.9800
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 ECAD 7160 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DFN8*8 SiCFET (carburo di silicio) DFN8*8 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06300D8TR 1 CanaleN 650 V 9A 15 V 500 mOhm a 4,5 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 32 W
P3D06020F2 PN Junction Semiconductor P3D06020F2 8.8400
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 ECAD 7762 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220F-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220F-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06020F2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 29A
P3D06002G2 PN Junction Semiconductor P3D06002G2 2.1000
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 ECAD 4224 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06002G2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 10 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 7A
P3D06040K3 PN Junction Semiconductor P3D06040K3 13.8400
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 ECAD 2820 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P6D Tubo Attivo TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06040K3 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 100 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 106A
P3D06006G2 PN Junction Semiconductor P3D06006G2 2.5000
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 ECAD 3063 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06006G2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 30 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 21A
P3M173K0K3 PN Junction Semiconductor P3M173K0K3 5.0800
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 ECAD 6554 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M173K0K3 1 CanaleN 1700 V 4A 15 V 3,6 Ohm a 600 mA, 15 V 2,2 V a 600 µA (tip.) +19 V, -8 V - 63 W
P3M171K0G7 PN Junction Semiconductor P3M171K0G7 6.1000
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 ECAD 7429 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SiCFET (carburo di silicio) D2PAK-7 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M171K0G7 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1700 V 7A 15 V 1,4 Ohm a 2 A, 15 V 2,2 V a 2 mA (tip.) +19 V, -8 V - 100 W
P3D12030K2 PN Junction Semiconductor P3D12030K2 14.9200
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 ECAD 2635 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12030K2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 65 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 57A
P3M06300T3 PN Junction Semiconductor P3M06300T3 4.9800
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 ECAD 7695 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06300T3 1 CanaleN 650 V 9A 15 V 500 mOhm a 4,5 A, 15 V 2,2 V a 5 mA +20 V, -8 V - 35 W
P3M12025K3 PN Junction Semiconductor P3M12025K3 28.7400
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 ECAD 2069 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12025K3 1 CanaleN 1200 V 113A 15 V 35 mOhm a 50 A, 15 V 2,4 V a 17,7 mA (tip.) +21V, -10V - 524 W
P3M12025K4 PN Junction Semiconductor P3M12025K4 28.7400
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 ECAD 30 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12025K4 1 CanaleN 1200 V 112A 15 V 35 mOhm a 50 A, 15 V 2,2 V a 50 mA (tip.) +19 V, -8 V - 577W
P3M12160K3 PN Junction Semiconductor P3M12160K3 8.8300
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 ECAD 8824 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12160K3 EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 1200 V 19A 15 V 192 mOhm a 10 A, 15 V 2,4 V a 2,5 mA (tip.) +21V, -8V - 110 W
P3M12160K4 PN Junction Semiconductor P3M12160K4 8.8300
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 ECAD 9289 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M12160K4 1 CanaleN 1200 V 19A 15 V 192 mOhm a 10 A, 15 V 2,4 V a 2,5 mA (tip.) +21V, -8V - 110 W
P3D12040K3 PN Junction Semiconductor P3D12040K3 18.7200
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 ECAD 4655 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12040K3 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 60 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 92A
P3D12005T2 PN Junction Semiconductor P3D12005T2 4.5000
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 ECAD 9356 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Tubo Attivo TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12005T2 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 44 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 21A
P3D12010G2 PN Junction Semiconductor P3D12010G2 6.5400
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 ECAD 7423 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-263-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D12010G2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 33A
P3M06060T3 PN Junction Semiconductor P3M06060T3 10.3800
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 ECAD 8146 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-2 SiCFET (carburo di silicio) TO-220-2L scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3M06060T3 1 CanaleN 650 V 46A 15 V 79 mOhm a 20 A, 15 V 2,2 V a 20 mA (tip.) +20 V, -8 V - 170 W
P3D06002E2 PN Junction Semiconductor P3D06002E2 0,9100
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 ECAD 5306 0.00000000 Semiconduttore con giunzione PN P3D Nastro e bobina (TR) Attivo TO-252-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2 scaricamento Conformità ROHS3 RAGGIUNGERE Interessato 4237-P3D06002E2TR 1 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 0 ns 10 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 9A
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

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    Unità di prodotto standard

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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