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Prodotti a semiconduttore discreti(43)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
MMBD4148SE	0,1100	Richiesta di offerta	14	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		Standard		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-MMBD4148SECT	EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												Connessione in serie da 1 paio	75 V	150mA	1,25 V a 150 mA	4nn	2,5 µA a 75 V	-55°C ~ 150°C
MMBT3904	0,1000	Richiesta di offerta	194	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT390		300 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000																						40 V	200 mA	50nA	NPN	300 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
AS6004	0,5000	Richiesta di offerta	15	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3L	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)				3.000		Canale P	60 V	4A (Ta)	4,5 V, 10 V	120 mOhm a 4 A, 10 V	3 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	930 pF a 30 V	-	1,5 W(Ta)
BSS138	0,1700	Richiesta di offerta	95	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	50 V	220mA (Ta)	4,5 V, 10 V	3 Ohm a 500 mA, 10 V	1,6 V a 250 µA		±20 V	27 pF a 25 V	-	350 mW(Ta)
AS1M025120T	39.5600	Richiesta di offerta	30	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS1M025120T	EAR99	8541.21.0095	30		CanaleN	1200 V	65A (Tc)	20 V	34 mOhm a 50 A, 20 V	4 V a 15 mA	195 nC a 20 V	+25 V, -10 V	4200 pF a 1000 V	-	370 W(Tc)
AS3D040120P2	11.7100	Richiesta di offerta	30	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-3	AS3D04012	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS3D040120P2	EAR99	8541.10.0080	30	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)												1 paio di catodo comune	1200 V	52 A (CC)	1,8 V a 20 A	0 ns	20 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C
40SQ045	1.3200	Richiesta di offerta	97	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	1.500
AS1M080120P	11.9700	Richiesta di offerta	128	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS1M080120P	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	1200 V	36A(Tc)	20 V	98 mOhm a 20 A, 20 V	4 V a 5 mA	79 nC a 20 V	+25 V, -10 V	1475 pF a 1000 V	-	192 W(Tc)
MMBT4401	0,1200	Richiesta di offerta	162	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																						40 V	600 mA	100 nA	NPN	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
BSS84	0,1900	Richiesta di offerta	153	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P	50 V	130mA (Ta)	4,5 V, 10 V	8 Ohm a 150 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA		±20 V	30 pF a 30 V	-	225 mW (Ta)
AS3D020065A	4.6100	Richiesta di offerta	158	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Massa	Attivo		Foro passante	TO-220-2		SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS3D020065A	EAR99	8541.10.0080	50	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)													650 V		1,65 V a 20 A	0 ns	20 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	56A	1190pF a 0 V, 1 MHz
1N4148WS	0,1000	Richiesta di offerta	53	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	1N4148	Standard		SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													75 V		1,25 V a 150 mA	4nn	1 µA a 75 V	-55°C ~ 150°C	150mA	2pF @ 0V, 1MHz
BAV21W	0,1100	Richiesta di offerta	9	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-123	BAV21	Standard		SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													250 V		1,25 V a 200 mA	50 n	100 nA a 250 V	-55°C ~ 150°C	200mA	5 pF a 1 V, 1 MHz