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Prodotti a semiconduttore discreti(43)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
US1D-A	0,1200	Richiesta di offerta	17	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA		Standard		SMA/DO-214AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	2.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													200 V		1 V a 1 A	50 n	5 µA a 200 V	-55°C ~ 150°C	1A	15 pF a 4 V, 1 MHz
AS3D030120P2	9.2100	Richiesta di offerta	30	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-3	AS3D03012	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS3D030120P2	EAR99	8541.10.0080	30	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)												1 paio di catodo comune	1200 V	42A	1,8 V a 15 A	0 ns	20 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C
MMBT2222A	0,1600	Richiesta di offerta	37	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222		350 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																						40 V	600 mA	10nA	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz
AS3D020120C	6.4900	Richiesta di offerta	30	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-2		SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-247-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS3D020120C	EAR99	8541.10.0080	30	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)													1200 V		1,8 V a 20 A	0 ns	20 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	51A	1280pF a 0 V, 1 MHz
AS2302	0,1900	Richiesta di offerta	34	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	20 V	3A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	55 mOhm a 3 A, 4,5 V	1,25 V a 250 µA	3,81 nC a 4,5 V	±10 V	220 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
MMBT5401	0,1200	Richiesta di offerta	27	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																						150 V	600 mA	50nA (ICBO)	PNP	500mV a 5mA, 50mA	60 a 10 mA, 5 V	300 MHz
MMBT4403	0,1200	Richiesta di offerta	126	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																						40 V	600 mA	100 nA	PNP	750mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	200 MHz
AS3401	0,2900	Richiesta di offerta	61	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	4,4A(Ta)	2,5 V, 10 V	55 mOhm a 4,4 A, 10 V	1,4 V a 250 µA	7,2 nC a 10 V	±12V	680 pF a 15 V	-	1,2 W (Ta)
1N4148W	0,1000	Richiesta di offerta	69	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-123	1N4148	Standard		SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													75 V		1,25 V a 150 mA	4nn	2,5 µA a 75 V	-55°C ~ 150°C	150mA	1,5 pF a 0 V, 1 MHz
BC847B	0,1000	Richiesta di offerta	127	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			200 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																						45 V	100 mA	100 nA	NPN	500mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
1N4148WT	0,1000	Richiesta di offerta	45	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	1N4148	Standard		SOD-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	8.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													75 V		1,25 V a 150 mA	4nn	1 µA a 75 V	-55°C ~ 150°C	150mA	2pF @ 0V, 1MHz
AS1M040120T	21.5300	Richiesta di offerta	27	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS1M040120T	EAR99	8541.21.0095	30		CanaleN	1200 V	60A (Tc)	20 V	55 mOhm a 40 A, 20 V	4 V a 10 mA	142 nC a 20 V	+25 V, -10 V	2946 pF a 1000 V	-	330 W(Tc)
BAV21WS	0,1100	Richiesta di offerta	20	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	BAV21	Standard		SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													250 V		1,25 V a 200 mA	50 n	100 nA a 250 V	-55°C ~ 150°C	200mA	5 pF a 0 V, 1 MHz
MMBT5551	0,1200	Richiesta di offerta	36	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-MMBT5551TR	EAR99	8541.21.0095	3.000																						160 V	600 mA	50nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	80 a 10 mA, 5 V	100 MHz
AS2M040120P	21.5100	Richiesta di offerta	7607	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	1200 V	60A (Tc)	20 V	55 mOhm a 40 A, 20 V	4 V a 10 mA	142 nC a 20 V	+25 V, -10 V	2946 pF a 1000 V	-	330 W(Tc)
AS3400	0,2900	Richiesta di offerta	8	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS3400DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	5,6A(Ta)	2,5 V, 10 V	27 mOhm a 5,6 A, 10 V	1,5 V a 250 µA	4,8 nC a 4,5 V	±12V	535 pF a 15 V	-	1,2 W (Ta)
BCP56-16	0,4300	Richiesta di offerta	15	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.500																						80 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	-
AS2324	0,2900	Richiesta di offerta	36	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	100 V	2A (Ta)	4,5 V, 10 V	280 mOhm a 2 A, 10 V	3 V a 250 µA	5,3 nC a 10 V	±20 V	330 pF a 50 V	-	1,2 W (Ta)
AS1M025120P	39.5400	Richiesta di offerta	128	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS1M025120P	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	1200 V	90A (Tc)	20 V	34 mOhm a 50 A, 20 V	4 V a 15 mA	195 nC a 20 V	+25 V, -10 V	3600 pF a 1000 V	-	463 W(Tc)
AS2312	0,2800	Richiesta di offerta	33	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	20 V	6,8A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	18 mOhm a 6,8 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	11,05 nC a 4,5 V	±10 V	888 pF a 10 V	-	1,2 W (Ta)
AS3D020120P2	6.5200	Richiesta di offerta	60	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-3	AS3D02012	SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS3D020120P2	EAR99	8541.10.0080	30	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)												1 paio di catodo comune	1200 V	30 A (CC)	1,8 V a 15 A	0 ns	20 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C
BSS123	0,1400	Richiesta di offerta	73	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	100 V	200mA (Ta)	4,5 V, 10 V	5 Ohm a 200 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	1,8 nC a 10 V	±20 V	14 pF a 50 V	-	350 mW(Ta)
B5819WS	0,1900	Richiesta di offerta	17	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													40 V		600 mV a 1 A		1 mA a 40 V	-55°C ~ 125°C	1A	120 pF a 4 V, 1 MHz
MMBT2907A	0,1200	Richiesta di offerta	40	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0095	3.000																						60 V	800 mA	20nA	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	200 MHz
RS1D-A	0,1000	Richiesta di offerta	17	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA		Standard		SMA/DO-214AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0080	2.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													200 V		1,3 V a 1 A	150 n	5 µA a 200 V	-55°C ~ 150°C	1A	15 pF a 4 V, 1 MHz
AS3D030065C	7.2300	Richiesta di offerta	30	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-2		SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-247-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-AS3D030065C	EAR99	8541.10.0080	30	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)													650 V		1,8 V a 30 A	0 ns	20 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	35A	1805pF a 0 V, 1 MHz
BAV99	0,1100	Richiesta di offerta	125	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV99	Standard		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												Connessione in serie da 1 paio	70 V	215 mA	1,25 V a 150 mA	6 ns	2,5 µA a 70 V	-55°C ~ 150°C
BAV21W	0,1100	Richiesta di offerta	9	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOD-123	BAV21	Standard		SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													250 V		1,25 V a 200 mA	50 n	100 nA a 250 V	-55°C ~ 150°C	200mA	5 pF a 1 V, 1 MHz
MMBD4148SE	0,1100	Richiesta di offerta	14	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		Standard		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-MMBD4148SECT	EAR99	8541.10.0070	3.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												Connessione in serie da 1 paio	75 V	150mA	1,25 V a 150 mA	4nn	2,5 µA a 75 V	-55°C ~ 150°C
2N7002E	0,1400	Richiesta di offerta	44	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITATA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	4530-2N7002ETR	EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	340mA (Ta)	4,5 V, 10 V	5 Ohm a 300 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	2,4 nC a 10 V	±20 V	18 pF a 30 V	-	350 mW(Ta)