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Prodotti a semiconduttore discreti(49)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
TP65H070LSG-TR	13.1200	Richiesta di offerta	12	Trasformare	TP65H070L	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)		3-PQFN (8x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN	650 V	25A (Tc)	10 V	85 mOhm a 16 A, 10 V	4,8 V a 700 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TPH3206PSB	9.8100	Richiesta di offerta	1	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TPH3206	GaNFET (nitruro di gallio)		TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	650 V	16A (Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	6,2 nC a 4,5 V	±18 V	720 pF a 480 V	-	81 W (Tc)
TP65H015G5WS	33.5400	Richiesta di offerta	274	Trasformare	SuperGaN™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		GaNFET (nitruro di gallio)		TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	1707-TP65H015G5WS	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	93A(Tc)	10 V	18 mOhm a 60 A, 10 V	4,8 V a 2 mA	100 nC a 10 V	±20 V	5218 pF a 400 V	-	266 W(Tc)
TPH3205WSB	-	Richiesta di offerta	3868	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		GaNFET (nitruro di gallio)		TO-247-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	180		CanaleN	650 V	36A(Tc)	10 V	60 mOhm a 22 A, 8 V	2,6 V a 700 µA	42 nC a 8 V	±18 V	2200 pF a 400 V	-	125 W (Tc)
TP65H050WS	18.5400	Richiesta di offerta	395	Trasformare	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TP65H050	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	34A(Tc)	12V	60 mOhm a 22 A, 10 V	4,8 V a 700 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1000 pF a 400 V	-	119 W(Tc)
TPH3202LD	-	Richiesta di offerta	3309	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)		4-PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60		CanaleN	600 V	9A (Tc)	10 V	350 mOhm a 5,5 A, 8 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 4,5 V	±18 V	760 pF a 480 V	-	65 W (Tc)
TPD3215M	-	Richiesta di offerta	1288	Trasformare	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Modulo	TPD3215	GaNFET (nitruro di gallio)	470 W	Modulo	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)		600 V	70A (Tc)		34 mOhm a 30 A, 8 V	-	28nC a 8V		2260 pF a 100 V	-
TP65H035G4WSQA	20.0900	Richiesta di offerta	426	Trasformare	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		GaNFET (nitruro di gallio)		TO-247-3	scaricamento		3 (168 ore)	1707-TP65H035G4WSQA	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	47,2A(Tc)	10 V	41 mOhm a 30 A, 10 V	4,8 V a 1 mA	22 nC a 10 V	±20 V	1500 pF a 400 V	-	187 W(Tc)
TPH3205WSBQA	21.9300	Richiesta di offerta	4	Trasformare	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TPH3205	GaNFET (nitruro di gallio)		TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	35A (Tc)	10 V	62 mOhm a 22 A, 8 V	2,6 V a 700 µA	42 nC a 8 V	±18 V	2200 pF a 400 V	-	125 W (Tc)
TP65H070G4LSGB-TR	11.3300	Richiesta di offerta	3891	Trasformare	SuperGaN®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		GaNFET (nitruro di gallio)		8-PQFN (8x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)				3.000		CanaleN	650 V	29A(Tc)	10 V	85 mOhm a 16 A, 10 V	4,6 V a 700 µA	8,4 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TPH3202PD	-	Richiesta di offerta	2776	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		GaNFET (nitruro di gallio)		TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	9A (Tc)	10 V	350 mOhm a 5,5 A, 8 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 4,5 V	±18 V	760 pF a 480 V	-	65 W (Tc)
TP65H150G4LSG-TR	5.4800	Richiesta di offerta	2	Trasformare	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	2-PowerTSFN		GaNFET (nitruro di gallio)		2-PQFN (8x8)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	650 V	13A (Tc)	10 V	180 mOhm a 8,5 A, 10 V	4,8 V a 500 µA	8 nC a 10 V	±20 V	598 pF a 400 V	-	52 W (Tc)
TP65H050WSQA	19.7300	Richiesta di offerta	73	Trasformare	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TP65H050	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	1707-TP65H050WSQA	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	36A(Tc)	10 V	60 mOhm a 25 A, 10 V	4,8 V a 700 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1000 pF a 400 V	-	150 W(Tc)
TP65H050G4BS	13.0300	Richiesta di offerta	425	Trasformare	SuperGaN®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	TP65H050	GaNFET (nitruro di gallio)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	1707-TP65H050G4BS	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	650 V	34A(Tc)	10 V	60 mOhm a 22 A, 10 V	4,8 V a 700 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1000 pF a 400 V	-	119 W(Tc)
TPH3212PS	-	Richiesta di offerta	8548	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TPH3212	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)		TO-220AB	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	650 V	27A(Tc)	10 V	72 mOhm a 17 A, 8 V	2,6 V a 400 uA	14 nC a 8 V	±18 V	1130 pF a 400 V	-	104 W(Tc)
TP65H150BG4JSG-TR	4.1600	Richiesta di offerta	5640	Trasformare	SuperGaN®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		GaNFET (nitruro di gallio)		8-PQFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)				4.000		CanaleN	650 V	16A (Tc)	6V	180 mOhm a 10 A, 6 V	2,8 V a 500 µA	4,9 nC a 10 V	±10 V	400 pF a 400 V	-	83 W (Tc)
TP65H035WS	20.7700	Richiesta di offerta	879	Trasformare	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TP65H035	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	46,5 A(Tc)	12V	41 mOhm a 30 A, 10 V	4,8 V a 1 mA	36 nC a 10 V	±20 V	1500 pF a 400 V	-	156 W(Tc)
TPH3206LD	-	Richiesta di offerta	3473	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)		PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60		CanaleN	600 V	17A(Tc)	10 V	180 mOhm a 11 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	9,3 nC a 4,5 V	±18 V	760 pF a 480 V	-	96 W (Tc)
TP65H035G4WS	18.6500	Richiesta di offerta	533	Trasformare	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C	Foro passante	TO-247-3	TP65H035	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)		TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	1707-TP65H035G4WS	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	46,5 A(Tc)	10 V	41 mOhm a 30 A, 10 V	4,8 V a 1 mA	22 nC a 0 V	±20 V	1500 pF a 400 V	-	156 W(Tc)