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Prodotti a semiconduttore discreti(49)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
TPH3206LSGB	-	Richiesta di offerta	7726	Trasformare	-	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	3-PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)	1707-TPH3206LSGB	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	650 V	16A (Tc)	8 V	180 mOhm a 10 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	6,2 nC a 4,5 V	±18 V	720 pF a 480 V	-	81 W (Tc)
TP65H480G4JSG-TR	3.9800	Richiesta di offerta	3	Trasformare	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, cavo piatto	TP65H480	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)	3-PQFN (5x6)	scaricamento		3 (168 ore)	1707-TP65H480G4JSG-TR	EAR99	8541.29.0095	4.000	CanaleN	650 V	3,6 A(Tc)	8 V	560 mOhm a 3,4 A, 8 V	2,8 V a 500 µA	9 nC a 8 V	±18 V	760 pF a 400 V	-	13,2 W(Tc)
TPH3208PS	-	Richiesta di offerta	9166	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TPH3208	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)	TO-220AB	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	650 V	20A (Tc)	10 V	130 mOhm a 13 A, 8 V	2,6 V a 300 µA	14 nC a 8 V	±18 V	760 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TPH3207WS	-	Richiesta di offerta	6540	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		GaNFET (nitruro di gallio)	TO-247-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	650 V	50A (Tc)	10 V	41 mOhm a 32 A, 8 V	2,65 V a 700 µA	42 nC a 8 V	±18 V	2197 pF a 400 V	-	178 W(Tc)
TP65H150G4LSG	5.0100	Richiesta di offerta	3843	Trasformare	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	2-PowerTSFN	TP65H150	GaNFET (nitruro di gallio)	2-PQFN (8x8)	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	13A(Tc)	10 V	180 mOhm a 8,5 A, 10 V	4,8 V a 500 µA	8 nC a 10 V	±20 V	598 pF a 400 V	-	52 W (Tc)
TP65H070LDG-TR	13.1200	Richiesta di offerta	1543	Trasformare	TP65H070L	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN	TP65H070	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)	3-PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	25A (Tc)	10 V	85 mOhm a 16 A, 10 V	4,8 V a 700 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TP65H300G4LSG-TR	4.8000	Richiesta di offerta	6	Trasformare	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN	TP65H300	GaNFET (nitruro di gallio)	3-PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	650 V	6,5 A(Tc)	8 V	312 mOhm a 5 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	9,6 nC a 8 V	±18 V	760 pF a 400 V	-	21 W (Tc)
TP90H180PS	11.5200	Richiesta di offerta	146	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TP90H180	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)	TO-220AB	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	900 V	15A (Tc)	10 V	205 mOhm a 10 A, 10 V	2,6 V a 500 µA	10 nC a 8 V	±18 V	780 pF a 600 V	-	78 W (Tc)
TPH3208LS	-	Richiesta di offerta	6350	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	3-PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	20A (Tc)	10 V	130 mOhm a 13 A, 8 V	2,6 V a 300 µA	14 nC a 8 V	±18 V	760 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TPH3202LS	-	Richiesta di offerta	8182	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	3-PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	600 V	9A (Tc)	10 V	350 mOhm a 5,5 A, 8 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 4,5 V	±18 V	760 pF a 480 V	-	65 W (Tc)
TP65H150G4PS	6.8700	Richiesta di offerta	7335	Trasformare	-	Tubo	Attivo							-		1 (illimitato)	1707-TP65H150G4PS			50
TP65H070G4PS	8.6500	Richiesta di offerta	1	Trasformare	SuperGaN®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		GaNFET (nitruro di gallio)	TO-220AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	1707-TP65H070G4PS	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	650 V	29A(Tc)	10 V	85 mOhm a 18 A, 10 V	4,7 V a 700 µA	9 nC a 10 V	±20 V	638 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TPH3208LD	-	Richiesta di offerta	5876	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	4-PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	20A (Tc)	10 V	130 mOhm a 13 A, 8 V	2,6 V a 300 µA	14 nC a 8 V	±18 V	760 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TPH3206LS	-	Richiesta di offerta	3589	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	600 V	17A(Tc)	10 V	180 mOhm a 11 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	9,3 nC a 4,5 V	±18 V	760 pF a 480 V	-	96 W (Tc)
TPH3208LSG	-	Richiesta di offerta	5407	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	3-PQFN (8x8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	20A (Tc)	10 V	130 mOhm a 14 A, 8 V	2,6 V a 300 µA	42 nC a 8 V	±18 V	760 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TPH3206LDGB	-	Richiesta di offerta	9500	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	PQFN (8x8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	16A (Tc)	10 V	180 mOhm a 11 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	9,3 nC a 4,5 V	±18 V	760 pF a 480 V	-	81 W (Tc)
TP65H070LSG	-	Richiesta di offerta	6794	Trasformare	TP65H070L	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN	TP65H070	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)	3-PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	25A (Tc)	10 V	85 mOhm a 16 A, 10 V	4,8 V a 700 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	600 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TP65H050G4WS	15.0700	Richiesta di offerta	469	Trasformare	SuperGaN®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TP65H050	GaNFET (nitruro di gallio)	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	1707-TP65H050G4WS	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	650 V	34A(Tc)	10 V	60 mOhm a 22 A, 10 V	4,8 V a 700 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1000 pF a 400 V	-	119 W(Tc)
TPH3208PD	-	Richiesta di offerta	1499	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C	Foro passante	TO-220-3		GaNFET (nitruro di gallio)	TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	650 V	20A (Tc)	10 V	130 mOhm a 13 A, 8 V	2,6 V a 300 µA	14 nC a 8 V	±18 V	760 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TP65H150LSG	-	Richiesta di offerta	1989	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	3-PQFN (8x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	1707-TP65H150LSG	EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	15A (Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 10 V	4,8 V a 500 µA	7,1 nC a 10 V	±20 V	576 pF a 400 V	-	69 W(Tc)
TPH3202PS	-	Richiesta di offerta	7536	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		GaNFET (nitruro di gallio)	TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	9A (Tc)	10 V	350 mOhm a 5,5 A, 8 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 4,5 V	±18 V	760 pF a 480 V	-	65 W (Tc)
TPH3208LDG	10.8100	Richiesta di offerta	150	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	3-PQFN (8x8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	20A (Tc)	10 V	130 mOhm a 13 A, 8 V	2,6 V a 300 µA	14 nC a 8 V	±18 V	760 pF a 400 V	-	96 W (Tc)
TPH3206PD	10.7500	Richiesta di offerta	96	Trasformare	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TPH3206	GaNFET (nitruro di gallio)	TO-220AB	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	17A(Tc)	10 V	180 mOhm a 11 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	9,3 nC a 4,5 V	±18 V	760 pF a 480 V	-	96 W (Tc)
TP90H050WS	17.9700	Richiesta di offerta	9053	Trasformare	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C	Foro passante	TO-247-3	TP90H050	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)	TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	1707-TP90H050WS	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	900 V	34A(Tc)	10 V	63 mOhm a 22 A, 10 V	4,4 V a 700 µA	17,5 nC a 10 V	±20 V	980 pF a 600 V	-	119 W(Tc)
TP65H035WSQA	22.1500	Richiesta di offerta	367	Trasformare	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	TP65H035	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)	TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	47,2A(Tc)	10 V	41 mOhm a 32 A, 10 V	4,5 V a 1 mA	24 nC a 10 V	±20 V	1500 pF a 400 V		187 W(Tc)
TPH3206LSB	-	Richiesta di offerta	7803	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	16A (Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	6,2 nC a 4,5 V	±18 V	720 pF a 480 V	-	81 W (Tc)
TPH3206PS	9.9000	Richiesta di offerta	659	Trasformare	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	TPH3206	GaNFET (nitruro di gallio)	TO-220AB	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	17A(Tc)	10 V	180 mOhm a 11 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	9,3 nC a 4,5 V	±18 V	760 pF a 480 V	-	96 W (Tc)
TPH3206LDB	-	Richiesta di offerta	5638	Trasformare	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-PowerDFN		GaNFET (nitruro di gallio)	PQFN (8x8)	scaricamento		3 (168 ore)		EAR99	8541.29.0095	60	CanaleN	650 V	16A (Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 8 V	2,6 V a 500 µA	6,2 nC a 4,5 V	±18 V	720 pF a 480 V	-	81 W (Tc)
TP65H480G4JSG	1.5354	Richiesta di offerta	7595	Trasformare	SuperGaN®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	2-PowerTSFN		GaNFET (nitruro di gallio)	2-PQFN (5x6)	scaricamento			1707-TP65H480G4JSG			4.000	CanaleN	650 V	3,6 A(Tc)	8 V	560 mOhm a 3,4 A, 8 V	2,8 V a 500 µA	9 nC a 8 V	±18 V	760 pF a 400 V	-	13,2 W(Tc)
TP65H035G4WS	18.6500	Richiesta di offerta	533	Trasformare	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C	Foro passante	TO-247-3	TP65H035	GaNFET (FET al nitruro di gallio Cascode)	TO-247-3	scaricamento		1 (illimitato)	1707-TP65H035G4WS	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	650 V	46,5 A(Tc)	10 V	41 mOhm a 30 A, 10 V	4,8 V a 1 mA	22 nC a 0 V	±20 V	1500 pF a 400 V	-	156 W(Tc)