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Transistor(201)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
DTA143XCA-HF	0,0534	Richiesta di offerta	2122	Tecnologia ComChip	DTA143XCA-HF	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTA143		200 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		641-DTA143XCA-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100 mA	500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	10 kOhm
MMBTA92-HF	0,0575	Richiesta di offerta	6717	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA92		300 mW	SOT-23-3	-	Conforme alla direttiva RoHS			641-MMBTA92-HFTR	EAR99	8541.21.0095	3.000												300 V	200 mA	250nA (ICBO)	PNP	200 mV a 2 mA, 20 mA	100 a 10 mA, 10 V	50 MHz
BC856AW-HF	0,0517	Richiesta di offerta	5760	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC856		150 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-BC856AW-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												65 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	125 a 2 mA, 5 V	100 MHz
CMS23N06H8-HF	2.1700	Richiesta di offerta	5	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-CMS23N06H8-HFTR	EAR99	8541.29.0095	5.000	CanaleN	60 V	23A (Ta), 125A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	64 nC a 10 V	±20 V	3467 pF a 25 V	-	86 W (Tc)
MJD117-HF	0,2784	Richiesta di offerta	8534	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			1,5 W	TO-252-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-MJD117-HFTR	EAR99	8541.29.0095	2.500												100 V	2A	20μA		3 V a 40 mA, 4 A	1000 a 2 mA, 3 V	25 MHz
CMS01P10TA-HF	0,1592	Richiesta di offerta	3018	Tecnologia ComChip	*	Massa	Attivo								-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000
BSS123T-HF	0,0848	Richiesta di offerta	4193	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS123	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-BSS123T-HFTR	EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	100 V	190mA(Ta)	4,5 V, 10 V	5,6 Ohm a 100 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	2,8 nC a 10 V	±20 V	39 pF a 25 V	-	300 mW (Ta)
AMMBT5551-HF	0,0690	Richiesta di offerta	2109	Tecnologia ComChip	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AMMBT5551		350 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-AMMBT5551-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												160 V	600 mA	50nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 5 V	300 MHz
ABC807-40-HF	0,3200	Richiesta di offerta	2	Tecnologia ComChip	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0075	3.000												45 V	500 mA	200nA	PNP	700mV a 50mA, 500mA	250 a 100 mA, 1 V	100 MHz
CMS13N06H8-HF	-	Richiesta di offerta	1757	Tecnologia ComChip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento				641-CMS13N06H8-HF	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN	60 V	56A(Tc)	4,5 V, 10 V	6,4 mOhm a 25 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	42,8 nC a 10 V	±20 V	1619 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 83 W (Tc)
BC857BW-HF	0,0598	Richiesta di offerta	9251	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857		150 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-BC857BW-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
ABC817-16-HF	0,3200	Richiesta di offerta	3	Tecnologia ComChip	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0075	3.000												45 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
ABC817-25-HF	0,3200	Richiesta di offerta	3	Tecnologia ComChip	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0075	3.000												45 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	100 MHz
CMS46N03V8-HF	-	Richiesta di offerta	8661	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	CMS46	MOSFET (ossido di metallo)		8-PDFN (SPR-PAK) (3,3x3,3)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		641-CMS46N03V8-HFTR	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	30 V	46A(Tc)		9 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	12,8 nC a 4,5 V	±20 V	1317 pF a 15 V	-	1,67 W (Ta), 29 W (Tc)
AMMBT2222A-HF	0,3200	Richiesta di offerta	2	Tecnologia ComChip	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0075	3.000												40 V	600 mA	10nA	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz
MMBTA42-HF	0,0529	Richiesta di offerta	1369	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA42		350 mW	SOT-23-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-MMBTA42-HFTR	EAR99	8541.21.0095	3.000												300 V	300 mA	250nA (ICBO)	NPN	200 mV a 2 mA, 20 mA	100 a 10 mA, 10 V	50 MHz
MMBTA56-HF	0,3300	Richiesta di offerta	3	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA56		225 mW	SOT-23-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000												80 V	500 mA	1μA	PNP	250mV a 10mA, 100mA	100 a 100 mA, 1 V	50 MHz
MMBT2907A-HF	0,0444	Richiesta di offerta	7823	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2907		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-MMBT2907A-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												60 V	600 mA	50nA	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	200 MHz
DTA113ZCA-HF	0,0529	Richiesta di offerta	8687	Tecnologia ComChip	DTA113ZCA-HF	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTA113		200 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		641-DTA113ZCA-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100 mA	500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	33 a 10 mA, 5 V	250 MHz	1 kOhm	10 kOhm
CMS3402-HF	-	Richiesta di offerta	2281	Tecnologia ComChip	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto								-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-CMS3402-HFTR	OBSOLETO		3.000
BC858B-HF	0,0434	Richiesta di offerta	7669	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC858		250 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												30 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP		220 a 2,2 mA, 5 V	100 MHz
CMS06N10V8-HF	-	Richiesta di offerta	3364	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	CMS06	MOSFET (ossido di metallo)		8-PDFN (SPR-PAK) (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-CMS06N10V8-HFTR	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	100 V	6,8 A(Tc)	4,5 V, 10 V	105 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	26,2 nC a 10 V	±20 V	1535 pF a 15 V	-	1,7 W (Ta), 10,4 W (Tc)
CMS09N10D-HF	-	Richiesta di offerta	5221	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252)	scaricamento		1 (illimitato)		641-CMS09N10D-HFTR	EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	100 V	9,6 A(Tc)	10 V	140 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	15,5 nC a 10 V	±20 V	690 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
DTC114YCA-HF	0,0529	Richiesta di offerta	4049	Tecnologia ComChip	DTC114YCA-HF	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC114		200 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		641-DTC114YCA-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	68 a 10 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm	47 kOhm
BC857AW-G	0,0450	Richiesta di offerta	7072	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857		150 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	125 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BC856BW-G	0,0450	Richiesta di offerta	9191	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC856		150 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												65 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2,2 mA, 5 V	100 MHz
SS8050-HF	0,0506	Richiesta di offerta	4704	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SS8050		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-SS8050-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												25 V	1,5 A	100 nA	NPN	500mV a 80mA, 800mA	200 a 100 mA, 1 V	100 MHz
ADTC114ECA-HF	0,0515	Richiesta di offerta	6868	Tecnologia ComChip	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTC114		200 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-ADTC114ECA-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato + Diodo	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm	10 kOhm
CEZ6R40SL-HF	0,8647	Richiesta di offerta	2476	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)		P-PAK (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-CEZ6R40SL-HFTR	EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	65 V	27A (Ta), 93A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,5 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 250 µA	26 nC a 4,5 V	±20 V	1790 pF a 30 V	-	73 W(Tc)
CMS35P03D-HF	-	Richiesta di offerta	9826	Tecnologia ComChip	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	CMS35	MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		641-CMS35P03D-HFTR	EAR99	8541.29.0095	2.500	Canale P	30 V	8,5 A (Ta), 34 A (Tc)	4,5 V, 10 V	25 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	12,5 nC a 4,5 V	±20 V	1345 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 34 W (Tc)