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Transistor(1307)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
BCY59-VII PBFREE	1.0545	Richiesta di offerta	8553	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	BCY59		1 W	TO-18	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000														45 V	100 mA	10nA (ICBO)	NPN	700 mV a 2,5 mA, 100 mA	120 a 2 mA, 5 V	150 MHz
2N5793	-	Richiesta di offerta	7926	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N579		-	TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														-	-	-	-	-	-	-
CENW42	-	Richiesta di offerta	7375	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-237AA			1 W	TO-237	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	-CENW42	EAR99	8541.29.0075	2.000														300 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	500 mV a 2 mA, 20 mA	40 a 30 mA, 10 V	50 MHz
CWDM305ND TR13 PBGRATIS	0,7200	Richiesta di offerta	5	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	CWDM305	MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)			30 V	5,8 A		30 mOhm a 2,9 A, 10 V	3 V a 250 µA	6,3 nC a 5 V		560 pF a 10 V	-
CJD50 BK PBGRATIS	-	Richiesta di offerta	8450	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			1,56 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		1514-CJD50BKPBGRATIS	EAR99	8541.29.0095	150														400 V	1A	200μA	NPN	1 V a 200 mA, 1 A	30 a 300 mA, 10 V	10 MHz
CP773-CMPDM302PH-WN	-	Richiesta di offerta	9386	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire		MOSFET (ossido di metallo)		Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0040	1		Canale P		30 V	2,4A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	91 mOhm a 1,2 A, 4,5 V	1,4 V a 250 µA	9,6 nC a 5 V	12V	800 pF a 10 V	-	-
CP547-2N6287-CM	-	Richiesta di offerta	4810	Central Semiconductor Corp	CP547	Vassoio	Obsoleto		Montaggio superficiale	Morire				Morire	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	49
TIP30B PBGRATIS	-	Richiesta di offerta	6787	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	CONSIGLIO30		30 W	TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50														80 V	1A	300μA	PNP	700 mV a 125 mA, 1 A	40 a 200 mA, 4 V	3 MHz
CEN1131 BK STAGNO/PIOMBO	-	Richiesta di offerta	8033	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto								-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1514-CEN1131BKSTAGNO/PIOMBO	OBSOLETO		1
2N3420	-	Richiesta di offerta	2800	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W	TO-39	scaricamento			REACH Inalterato	1514-2N3420	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	3A	500nA	NPN	500 mV a 200 mA, 2 A	40 a 1 A, 2 V	-
CP302-MPSH10-CT20	-	Richiesta di offerta	8852	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			350 mW	Morire	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0040	20			-											25 V			NPN		60 a 4 mA, 10 V	650 MHz	-
CP588-2N2605-WN	-	Richiesta di offerta	6283	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	Morire			400 mW	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		1514-CP588-2N2605-WN	EAR99	8541.29.0040	1														45 V	30 mA	-		500 mV a 500 µA, 10 mA	100 a 10 µA, 5 V
BCX56BK	-	Richiesta di offerta	1822	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			1,3 W	SOT-89	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0075	900														80 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	130 MHz
TIP42B PBFREE	0,6296	Richiesta di offerta	6766	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO42		65 W	TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50														80 V	6A	400μA	PNP	1,5 V a 600 mA, 6 A	30 a 300 mA, 4 V	3 MHz
CP591X-2N2907A-CT20	150.5200	Richiesta di offerta	4	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire				Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	CP591X-2N2907A-CT20 PBGRATIS	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	600 mA	10nA (ICBO)	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	200 MHz
CP337V-2N4013-CT20	-	Richiesta di offerta	3343	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			360 mW	Morire	scaricamento				1514-CP337V-2N4013-CT20	EAR99	8541.21.0040	20														30 V	1A	10 µA	NPN	750 mV a 100 mA, 1 A	60 a 100 mA, 1 V	300 MHz
CP373-CTLDM303N-CT	-	Richiesta di offerta	5293	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire		MOSFET (ossido di metallo)		Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0040	1		CanaleN		30 V	3,6A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	78 mOhm a 1,8 A, 2,5 V	1,2 V a 250 µA	13 nC a 4,5 V	12V	590 pF a 10 V	-	-
CP618-CM5583-CT	-	Richiesta di offerta	9809	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			-	Morire	-				1514-CP618-CM5583-CT	OBSOLETO		500			-											30 V	500mA		PNP		25 a 100 mA, 2 V	1,3GHz	-
BSX63-10	-	Richiesta di offerta	1125	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			5 W	TO-39	scaricamento			REACH Inalterato	1514-BSX63-10	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	3A	100nA (ICBO)	NPN	800 mV a 200 mA, 2 A	100 a 1 A, 1 V	200 MHz
CP616-CM5160-WN	-	Richiesta di offerta	6013	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			-	Morire	-				1514-CP616-CM5160-WN	OBSOLETO		500			-											40 V	400mA		PNP		10 a 50 mA, 5 V	500 MHz	-
2N4036 PBFREE	2.8200	Richiesta di offerta	462	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W	TO-39	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	500														65 V	1A	1 µA (ICBO)	PNP	650mV a 15mA, 150mA	40 a 150 mA, 10 V	60 MHz
CXDM3069N TR PBFREE	0,6000	Richiesta di offerta	550	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	CXDM3069	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		30 V	6,9A(Ta)	2,5 V, 10 V	30 mOhm a 7 A, 10 V	1,4 V a 250 µA	11 nC a 10 V	12V	580 pF a 15 V	-	1,2 W (Ta)
2N2919A	-	Richiesta di offerta	1590	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N2919		600 mW	TO-78-6	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														60 V	30mA	-	2 NPN (doppio)	-	60 a 10 µA, 5 V	60 MHz
CMPT5401ETR	-	Richiesta di offerta	4487	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														220 V	600 mA	50nA	PNP	150mV a 5mA, 50mA	100 a 10 mA, 5 V	300 MHz
2N6421	-	Richiesta di offerta	4818	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2	-		35 W	TO-66	scaricamento				1514-2N6421	OBSOLETO		1														250 V	2A	5mA	PNP	750 mV a 125 mA, 1 A	8 @ 1A, 2V	10 MHz
CM4957 PBGGRATIS	-	Richiesta di offerta	7220	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AF, TO-72-4 Lattina di metallo			300 mW	TO-72	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.21.0075	2.000			25dB											25 V	30mA		PNP		20 a 2 mA, 10 V	2,5GHz	-
2N4923 PBFREE	1.6200	Richiesta di offerta	49	Central Semiconductor Corp	-	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3			30 W	TO-126	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000														80 V	1A	-	NPN	-	-	3 MHz
CTLT3410-M521TR	-	Richiesta di offerta	9636	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	5-PowerTFDFN			900 mW	TLM521	scaricamento				1514-CTLT3410-M521TR	EAR99	8541.21.0075	1														25 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	450 mV a 100 mA, 1 A	100 a 500 mA, 1 V	100 MHz
CJD13003TR13	-	Richiesta di offerta	6349	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	CJD13003		1,56 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500														400 V	1,5 A	-	NPN	3 V a 500 mA, 1,5 A	5 a 1 A, 2 V	4 MHz
2N5551 STAGNO/PIOMBO	1.0600	Richiesta di offerta	2	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 mW	TO-92-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1														160 V	600 mA	50nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	80 a 10 mA, 5 V	300 MHz