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Transistor(1307)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)	Assorbimento di corrente (Id) -Max
CP226V-2N4392-CT20	-	Richiesta di offerta	3881	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Attivo	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			1,8 W	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1514-CP226V-2N4392-CT20	EAR99	8541.29.0095	20		CanaleN		40 V							20 pF a 20 V					40 V	25 mA a 20 V	2 V a 1 nA		60 Ohm						50 mA
CP210-CEN1308-CT	-	Richiesta di offerta	1398	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-							-				1514-CP210-CEN1308-CT	OBSOLETO		1		-									-
CP232V-2N4416A-CT20	-	Richiesta di offerta	3575	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23	-			REACH Inalterato	1514-CP232V-2N4416A-CT20	EAR99	8541.21.0095	20		CanaleN		35 V							4,5 pF a 15 V					35 V	5 mA a 15 V	2,5 V a 1 nA								5 mA
CP226V-2N4393-CT	-	Richiesta di offerta	5273	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Attivo	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			1,8 W	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1514-CP226V-2N4393-CT	EAR99	8541.29.0095	400		CanaleN		40 V							20 pF a 20 V					40 V	5 mA a 3 V	500 mV a 1 nA		100 ohm						50 mA
2N4859A	-	Richiesta di offerta	7783	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo			360 mW	TO-18	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	2N4859A PBFREE	EAR99	8541.21.0095	2.000		CanaleN		30 V							10 pF a 10 V (VGS)					30 V	50 mA a 15 V	10 V a 500 pA		25 Ohm						250 pA
CP373-CTLDM303N-WN	-	Richiesta di offerta	3536	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire		MOSFET (ossido di metallo)		Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0040	1		CanaleN		30 V	3,6A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	78 mOhm a 1,8 A, 2,5 V	1,2 V a 250 µA	13 nC a 4,5 V	12V	590 pF a 10 V	-	-
CDM2206-800LR	-	Richiesta di offerta	7583	Central Semiconductor Corp	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento		1 (illimitato)		1514-CDM2206-800LR	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		800 V	6A (Tc)	10 V	950 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	24,3 nC a 10 V	30 V	474,7 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
CP327V-MPSA27-CT	-	Richiesta di offerta	1420	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	CP327			Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1514-CP327V-MPSA27-CT	EAR99	8541.21.0040	400														60 V	500 mA				500nA		NPN-Darlington	1,5 V a 100 µA, 100 mA	10000 a 100 mA, 5 V	125 MHz
CP147-2N6284-WN	-	Richiesta di offerta	8120	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			160 W	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		1514-CP147-2N6284-WN	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	20A				1mA		NPN-Darlington	3 V a 200 mA, 20 A	750 a 10 A, 3 V	4 MHz
CMPFJ175 PBGRATIS	-	Richiesta di offerta	2550	Central Semiconductor Corp	*	Nastro tagliato (CT)	Attivo								-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
PN4258TRE	-	Richiesta di offerta	1242	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead			625 mW	TO-92	-				1514-PN4258TRE	EAR99	8541.21.0075	1														12 V	50 mA				10nA		PNP	500mV a 5mA, 50mA	30 a 500 mA, 1 V	700 MHz
2N5038	-	Richiesta di offerta	2771	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			140 W	TO-3	scaricamento		Non applicabile		2N5038CS	EAR99	8541.29.0075	20														90 V	20A				50mA		NPN	2,5 V a 5 A, 20 A	50 a 2 A, 5 V	60 MHz
CEN1372TR	-	Richiesta di offerta	8619	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	-	-				-	-		1 (illimitato)		CEN1372TR	OBSOLETO	0000.00.0000	1																			-		-	-	-	-
CTLDM303N-M832DS TR	-	Richiesta di offerta	6530	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-TDFN	CTLDM303N	MOSFET (ossido di metallo)	1,65 W	TLM832DS	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			30 V	3,6 A		40 mOhm a 1,8 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	13nC a 4,5 V		590 pF a 10 V	-
CP225-2N2218A-WN	-	Richiesta di offerta	5318	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			800 mW	Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		1514-CP225-2N2218A-WNTB	EAR99	8541.21.0075	1.000														40 V	800 mA				10nA (ICBO)		NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	250 MHz
CP211-TIP41C-CT	-	Richiesta di offerta	5970	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto								-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1514-CP211-TIP41C-CT	OBSOLETO		1
CTLT953-M833BK	-	Richiesta di offerta	2625	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-VDFN			2,5 W	TLM833	scaricamento				1514-CTLT953-M833BK	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	5A				50nA		PNP	420 mV a 400 mA, 4 A	100 a 1 A, 1 V	150 MHz
2N6724-18 STAGNO/PIOMBO	1.5200	Richiesta di offerta	501	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-237AA			2 W	TO-237	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000														40 V	2A				100nA (ICBO)		NPN-Darlington	1,5 V a 2 mA, 1 A	25000 a 200 mA, 5 V	1GHz
CMPT3904G TR PBGRATIS	0,5600	Richiesta di offerta	585	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT3904		350 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														40 V	200 mA				-		NPN	300 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	300 MHz
CJD3055 TR13 PBGRATIS	-	Richiesta di offerta	6891	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			1,75 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		1514-CJD3055TR13PBFREETR	EAR99	8541.29.0095	2.500														60 V	10A				50μA		NPN	8 V a 3,3 A, 10 A	20 @ 4A, 4V	2 MHz
2N6109 PBFREE	1.6500	Richiesta di offerta	7882	Central Semiconductor Corp	-	Scatola	Acquisto per l'ultima volta	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			40 W	TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50														50 V	7A				1mA		PNP	3,5 V a 3 A, 7 A	30 a 2,5 A, 4 V	4 MHz
CEDM7002AE TR PBFREE	0,3900	Richiesta di offerta	2	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	CEDM7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-883L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000		CanaleN		60 V	300mA (Ta)	2,5 V, 10 V	1,4 Ohm a 500 mA, 10 V	2 V a 250 µA	0,5 nC a 4,5 V	20 V	50 pF a 25 V	-	100mW (Ta)
CDM22010-650SL	2.1100	Richiesta di offerta	464	Central Semiconductor Corp	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	CDM22010	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		650 V	10A (Ta)	10 V	1 Ohm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	30 V	1168 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 156 W (Tc)
CEN1179	-	Richiesta di offerta	3987	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-					-		-				1514-CEN1179	OBSOLETO		500			-											-	-						-		-	-	-
CXT5401 TR PBFREE	0,6600	Richiesta di offerta	3	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	CXT5401		1,2 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000														150 V	600 mA				50nA (ICBO)		PNP	500mV a 5mA, 50mA	60 a 10 mA, 5 V	300 MHz
2N2904 PBFREE	1.2173	Richiesta di offerta	4074	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			3 W	TO-39	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	500														40 V	600 mA				20nA (ICBO)		PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	200 MHz
2N7002 BK PBFREE	0,0959	Richiesta di offerta	9092	Central Semiconductor Corp	-	Scatola	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.500		CanaleN		60 V	115 mA(Tc)	5 V, 10 V	7,5 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	0,59 nC a 4,5 V	40 V	50 pF a 25 V	-	350 mW(Ta)
2N6099 PBFREE	1.2243	Richiesta di offerta	4441	Central Semiconductor Corp	-	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-	Foro passante	TO-220-3			75 W	TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50														60 V	10A				-		NPN	-	-	5 MHz
CZT2222A BK PBFREE	0,4611	Richiesta di offerta	2862	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	CZT2222		2 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	350														40 V	600 mA				10nA (ICBO)		NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz
CMLDM5757 TR PBFREE	0,6300	Richiesta di offerta	6	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	CMLDM5757	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)			20 V	430 mA		900 mOhm a 430 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,2 nC a 4,5 V		175 pF a 16 V	Porta a livello logico