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Transistor(1307)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
CEDM8004TR PBFREE	0,6100	Richiesta di offerta	539	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	CEDM8004	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-883VL	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000		Canale P	30 V	450mA(Ta)	1,8 V, 4,5 V	1,1 Ohm a 430 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	0,88 nC a 4,5 V	8 V	55 pF a 25 V	-	100mW (Ta)
CTLT853-M833S BK	-	Richiesta di offerta	1335	Central Semiconductor Corp	-	Scatola	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			2,5 W	TLM833S	scaricamento		1 (illimitato)		CTLT853-M833SBK	EAR99	8541.29.0075	5.000													100 V	6A	10nA	NPN	340 mV a 500 mA, 5 A	100 a 2 A, 2 V	190 MHz
BUX11 PBGRATIS	-	Richiesta di offerta	5960	Central Semiconductor Corp	-	Tubo	Obsoleto	-							-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		1514-BUX11PBGRATIS	OBSOLETO		20														20A	-	NPN	-	-	8 MHz
TIP41C PBFREE	0,6296	Richiesta di offerta	2881	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO41		65 W	TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50													100 V	6A	700μA	NPN	1,5 V a 600 mA, 6 A	30 a 300 mA, 4 V	3 MHz
CP337V-2N3725-CT20	-	Richiesta di offerta	2853	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			800 mW	Morire	scaricamento				1514-CP337V-2N3725-CT20	EAR99	8541.29.0040	20													50 V	1,2A	10μA	NPN	950 mV a 100 mA, 1 A	60 a 100 mA, 1 V	300 MHz
2N5771 TRE	-	Richiesta di offerta	2466	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead			625 mW	TO-92	scaricamento				1514-2N5771TRE	EAR99	8541.21.0075	1													15 V	50 mA	10nA	PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 10 mA, 300 mV	850 MHz
TIP31C SL PBFREE	0,6296	Richiesta di offerta	5434	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO31		40 W	TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50													100 V	3A	300μA	NPN	1,2 V a 375 mA, 3 A	25 a 1 A, 4 V	3 MHz
CMPT6428 TR PBFREE	0,4400	Richiesta di offerta	6	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT6428		350 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	200 mA	100 nA	NPN	600mV a 5mA, 100mA	250 a 100 µA, 5 V	700 MHz
CP775-CWDM3011P-CM	-	Richiesta di offerta	6889	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire		MOSFET (ossido di metallo)		Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1514-CP775-CWDM3011P-CM	EAR99	8541.29.0095	100		Canale P	30 V	11A (Ta)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 11 A, 10 V	3 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±20 V	3100 pF a 8 V	-	2,5 W(Ta)
CMKT5087 TR PBGRATIS	0,6800	Richiesta di offerta	17	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CMKT5087		350 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	50mA	50nA (ICBO)	2 PNP (doppio)	300 mV a 1 mA, 10 mA	250 a 100 µA, 5 V	40 MHz
CP798X-CPDM302PH-WN	-	Richiesta di offerta	3076	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	CP798	MOSFET (ossido di metallo)		Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		Canale P	30 V	2,4A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	91 mOhm a 1,2 A, 4,5 V	1,4 V a 250 µA	9,6 nC a 5 V	12V	800 pF a 10 V	-	-
SE9301	-	Richiesta di offerta	7990	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			70 W	TO-220-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400													80 V	10A	200μA (ICBO)	NPN-Darlington	2,5 V a 150 mA, 7,5 A	100 a 7,5 A, 3 V	-
2N6290 PBGRATIS	1.8600	Richiesta di offerta	38	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			40 W	TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50													50 V	7A	1mA	NPN	3,5 V a 3 A, 7 A	30 a 2,5 A, 4 V	4 MHz
PN5910-18	-	Richiesta di offerta	7358	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			310 mW	TO-92-3	-				1514-PN5910-18	EAR99	8541.21.0075	1													20 V	50 mA	10nA	PNP	500mV a 5mA, 50mA	30 a 50 mA, 1 V	700 MHz
CMLT5088E TR PBFREE	0,7300	Richiesta di offerta	20	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	CMLT5088		350 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	50nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	400mV a 10mA, 100mA	300 a 100 µA, 5 V	100 MHz
2N5039	-	Richiesta di offerta	5888	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			140 W	TO-3	scaricamento		Non applicabile		2N5039CS	EAR99	8541.29.0075	20													75 V	20A	50mA	NPN	2,5 V a 5 A, 20 A	30 a 2 A, 5 V	60 MHz
PN5910-5	-	Richiesta di offerta	2941	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			310 mW	TO-92-3	-				1514-PN5910-5	EAR99	8541.21.0075	1													20 V	50 mA	10nA	PNP	500mV a 5mA, 50mA	30 a 50 mA, 1 V	700 MHz
2N3690	-	Richiesta di offerta	1323	Central Semiconductor Corp	-	Scatola	Obsoleto								-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	2.500
2N7002 TR PBFREE	0,3800	Richiesta di offerta	388	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	115 mA(Tc)	5 V, 10 V	7,5 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA		40 V	50 pF a 25 V	-	350 mW(Ta)
CMPTA92E TR PBFREE	0,5600	Richiesta di offerta	7	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPTA92		350 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													350 V	500 mA	250nA (ICBO)	PNP	350 mV a 5 mA, 50 mA	105 a 30 mA, 10 V	75 MHz
2N6422 PBFREE	-	Richiesta di offerta	9231	Central Semiconductor Corp	*	Massa	Obsoleto								scaricamento					OBSOLETO		30
BCY79-IX PBFREE	1.0545	Richiesta di offerta	6358	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	BCY79		1 W	TO-18	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	800 mV a 2,5 mA, 100 mA	250 a 2 mA, 5 V	100 MHz
CP337V-2N3725-CT	-	Richiesta di offerta	4227	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire			800 mW	Morire	scaricamento				1514-CP337V-2N3725-CT	EAR99	8541.29.0040	400													50 V	1,2A	10μA	NPN	950 mV a 100 mA, 1 A	60 a 100 mA, 1 V	300 MHz
CP403-CZDM0605N-CT	-	Richiesta di offerta	4105	Central Semiconductor Corp	-	Vassoio	Attivo								-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1514-CP403-CZDM0605N-CT			340
CBCP68 TR PBFREE	0,9700	Richiesta di offerta	1	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	CBCP68		2 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													20 V	1A	10 µA (ICBO)	NPN	500 mV a 100 mA, 1 A	85 a 500 mA, 1 V	65 MHz
CP647-PMD19K100-WN	-	Richiesta di offerta	5184	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	CP647			Morire	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0040	1													100 V	30A	-	PNP-Darlington	2,8 V a 60 mA, 15 A	800 a 15 A, 3 V	4 MHz
CMUT3904 BK PBFREE	0,0789	Richiesta di offerta	3881	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	CMUT3904		250 mW	SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	5.000													40 V	200 mA	-	NPN	300 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	300 MHz
CTLDM304P-M832DS TR	0,9000	Richiesta di offerta	2	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-TDFN	CTLDM304P	MOSFET (ossido di metallo)	1,65 W	TLM832DS	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)		30 V	4.2A		70 mOhm a 4,2 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	6,4 nC a 4,5 V		760 pF a 15 V	-
CMKT3906 TR PBFREE	0,1660	Richiesta di offerta	8610	Central Semiconductor Corp	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CMKT3906		350 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													40 V	200mA	-	2 PNP (doppio)	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
CZT5551EBK	-	Richiesta di offerta	8586	Central Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	CZT5551		2 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1													220 V	600 mA	50nA	NPN	100mV a 5mA, 50mA	120 a 10 mA, 5 V	300 MHz