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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AONS66612T | 3.0800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 48A (Ta), 100A (Tc) | 6 V, 10 V | 1,65 mOhm a 20 A, 10 V | 3,5 V a 250 µA | 110 nC a 10 V | ±20 V | 5300 pF a 30 V | - | 7,5 W (Ta), 250 W (Tc) | |||||
![]() | AOTF12T60P | - | ![]() | 5767 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF12 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 12A (Tc) | 10 V | 520 mOhm a 6 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 50 nC a 10 V | ±30 V | 2028 pF a 100 V | - | 50 W (Tc) | |||||
![]() | AOD240 | 1.5600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD24 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 40 V | 23A (Ta), 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | 4300 pF a 20 V | - | 2,7 W (Ta), 150 W (Tc) | ||||
| AOL1412 | - | ![]() | 5629 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SRFET™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-PowerSMD, conduttori piatti | AOL14 | MOSFET (ossido di metallo) | UltraSO-8™ | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 17A (Ta), 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,9 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 115 nC a 10 V | ±12V | 7716 pF a 15 V | Diodo Schottky (corpo) | 2,1 W (Ta), 36 W (Tc) | ||||||
![]() | AO4292E | 0,3624 | ![]() | 9751 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO42 | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 8A (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AOT416L_001 | - | ![]() | 1922 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 | AOT41 | TO-220 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 50 | - | |||||||||||||||||
![]() | AOB66916L | 3.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | AOB66916 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 100 V | 35,5 A (Ta), 120 A (Tc) | 6 V, 10 V | 3,6 mOhm a 20 A, 10 V | 3,5 V a 250 µA | 78 nC a 10 V | ±20 V | 6180 pF a 50 V | - | 8,3 W (Ta), 277 W (Tc) | ||||
![]() | AOC3878 | 0,3603 | ![]() | 4006 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 10-SMD, senza piombo | AOC387 | MOSFET (ossido di metallo) | 3,1 W (Ta) | 10-AlfaDFN (3,55x1,77) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AOC3878TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canali N | 12V | 35A (Ta) | 2 Ohm a 5 A, 4,5 V | 1,1 V a 250 µA | 60nC a 4,5 V | - | Standard | ||||||
![]() | AOI450A70 | 0,7509 | ![]() | 7087 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | aMOS5™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak | AOI450 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-251A | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AOI450A70 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.500 | CanaleN | 700 V | 11A(Tc) | 10 V | 450 mOhm a 2,3 A, 10 V | 3,6 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±20 V | 1115 pF a 100 V | - | 125 W (Tc) | ||||
| AON6354 | 0,2817 | ![]() | 4094 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON63 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 83A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,3 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 35 nC a 10 V | ±20 V | 1330 pF a 15 V | - | 36 W (Tc) | |||||
![]() | AOI4T60 | - | ![]() | 3347 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -50°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak | AOI4 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-251A | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | CanaleN | 600 V | 4A(Tc) | 10 V | 2,1 Ohm a 1 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 15 nC a 10 V | ±30 V | 460 pF a 100 V | - | 83 W (Tc) | |||||
![]() | AOD4144_003 | - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD41 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 30 V | 13A (Ta), 55A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 28 nC a 10 V | ±20 V | 1430 pF a 15 V | - | 2,3 W (Ta), 50 W (Tc) | |||||
| AOW298 | - | ![]() | 8673 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | AOW29 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-262 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-1379-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 100 V | 9A(Ta), 58A(Tc) | 10 V | 14,5 mOhm a 20 A, 10 V | 4,1 V a 250 µA | 27 nC a 10 V | ±20 V | 1670 pF a 50 V | - | 2,1 W (Ta), 100 W (Tc) | ||||
![]() | AOD512 | - | ![]() | 3325 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD51 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 27A (Ta), 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,4 mOhm a 20 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 64 nC a 10 V | ±20 V | 3430 pF a 15 V | - | 2,5 W (Ta), 83 W (Tc) | ||||
![]() | AON7402_101 | - | ![]() | 5612 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON740 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 30 V | 13,5 A (Ta), 39 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 10 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 17,8 nC a 10 V | ±20 V | 770 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 26 W (Tc) | |||||
![]() | AOT296L | 1.0064 | ![]() | 6824 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT296 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 100 V | 9,5 A (Ta), 70 A (Tc) | 6 V, 10 V | 10 mOhm a 20 A, 10 V | 3,4 V a 250 µA | 52 nC a 10 V | ±20 V | 2785 pF a 50 V | - | 2,1 W (Ta), 107 W (Tc) | ||||
![]() | AOCA24108E | 0,2821 | ![]() | 7725 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-SMD, senza piombo | AOCA24108 | MOSFET (ossido di metallo) | 2,2 W(Ta) | 6-AlfaDFN (1,79x1,18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AOCA24108ETR | EAR99 | 8541.29.0095 | 8.000 | Scarico comune a 2 canali N (doppio). | 12V | 14A (Ta) | 7,5 mOhm a 4 A, 4,5 V | 1,1 V a 250 µA | 15nC a 4,5 V | - | - | |||||
![]() | AOCA72104E | 0,3699 | ![]() | 3299 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 10-SMD, senza piombo | AOCA72104 | MOSFET (ossido di metallo) | 3,1 W (Ta) | 10-AlfaDFN (2,98x1,49) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AOCA72104ETR | EAR99 | 8541.29.0095 | 8.000 | Scarico comune a 2 canali N (doppio). | 12V | 30A (Ta) | 2,6 mOhm a 5 A, 4,5 V | 1,3 V a 250 µA | 45 nC a 4,5 V | - | Standard | ||||||
![]() | AO3404A_104 | - | ![]() | 2675 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | AO34 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 5,8A(Ta) | ||||||||||||||||||||
![]() | AOT2910L | 1.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT2910 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 100 V | 6A (Ta), 30A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 24 mOhm a 20 A, 10 V | 2,7 V a 250 µA | 25 nC a 10 V | ±20 V | 1190 pF a 50 V | - | 2,1 W (Ta), 50 W (Tc) | ||||
![]() | AOT292L | 1.7111 | ![]() | 7883 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT292 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-1636-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 100 V | 14,5 A(Ta), 105 A(Tc) | 6 V, 10 V | 4,5 mOhm a 20 A, 10 V | 3,4 V a 250 µA | 126 nC a 10 V | ±20 V | 6775 pF a 50 V | - | 2,1 W (Ta), 300 W (Tc) | |||
![]() | AO4800L | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO480 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 6,9 A | 27 mOhm a 6,9 A, 10 V | 1,5 V a 250 µA | 7nC a 4,5 V | 630 pF a 15 V | - | |||||||
![]() | AO3414L | - | ![]() | 6421 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 3A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 62 mOhm a 3 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 3,8 nC a 4,5 V | ±8 V | 320 pF a 10 V | - | 1,4 W(Ta) | |||||
![]() | AOSN32338C | 0,0982 | ![]() | 6467 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | AOSN32338 | MOSFET (ossido di metallo) | SC-70-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AOSN32338CTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 3,7A(Ta) | 2,5 V, 10 V | 51 mOhm a 3,7 A, 10 V | 1,5 V a 250 µA | 16 nC a 10 V | ±12V | 340 pF a 15 V | - | 1,1 W (Ta) | |||
![]() | AOD4120L | - | ![]() | 2657 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD41 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 20 V | 25A (Tc) | 2,5 V, 10 V | 18 mOhm a 20 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 18 nC a 10 V | ±16V | 900 pF a 10 V | - | 2,5 W (Ta), 33 W (Tc) | |||||
![]() | AON6932A | 0,5439 | ![]() | 7661 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON693 | MOSFET (ossido di metallo) | 3,6 W, 4,3 W | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali N (mezzo ponte) | 30 V | 22A, 36A | 5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 22nC a 10 V | 1037 pF a 15 V | Porta a livello logico | ||||||
![]() | AON7902 | - | ![]() | 2400 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerWDFN | AON790 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,8 W | 8-DFN-EP (3,3x3,3) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canali N (mezzo ponte) | 30 V | 8A, 13A | 21 mOhm a 8 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 11nC a 10V | 710 pF a 15 V | Porta a livello logico |

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