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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima)
AONS66612T Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS66612T 3.0800
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ECAD 3 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. AlphaSGT™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerSMD, conduttori piatti MOSFET (ossido di metallo) 8-DFN (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 60 V 48A (Ta), 100A (Tc) 6 V, 10 V 1,65 mOhm a 20 A, 10 V 3,5 V a 250 µA 110 nC a 10 V ±20 V 5300 pF a 30 V - 7,5 W (Ta), 250 W (Tc)
AOTF12T60P Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF12T60P -
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ECAD 5767 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo AOTF12 MOSFET (ossido di metallo) TO-220F scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 12A (Tc) 10 V 520 mOhm a 6 A, 10 V 5 V a 250 µA 50 nC a 10 V ±30 V 2028 pF a 100 V - 50 W (Tc)
AOD240 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD240 1.5600
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ECAD 14 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 AOD24 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 (DPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 23A (Ta), 70A (Tc) 4,5 V, 10 V 3 mOhm a 20 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 60 nC a 10 V ±20 V 4300 pF a 20 V - 2,7 W (Ta), 150 W (Tc)
AOL1412 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOL1412 -
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ECAD 5629 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. SRFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-PowerSMD, conduttori piatti AOL14 MOSFET (ossido di metallo) UltraSO-8™ scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 17A (Ta), 70A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,9 mOhm a 20 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 115 nC a 10 V ±12V 7716 pF a 15 V Diodo Schottky (corpo) 2,1 W (Ta), 36 W (Tc)
AO4292E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4292E 0,3624
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ECAD 9751 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) AO42 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 8A (Ta)
AOT416L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT416L_001 -
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ECAD 1922 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. SDMOS™ Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 AOT41 TO-220 - 1 (illimitato) REACH Inalterato OBSOLETO 0000.00.0000 50 -
AOB66916L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66916L 3.8100
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ECAD 2 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. AlphaSGT™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB AOB66916 MOSFET (ossido di metallo) TO-263 (D2Pak) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 100 V 35,5 A (Ta), 120 A (Tc) 6 V, 10 V 3,6 mOhm a 20 A, 10 V 3,5 V a 250 µA 78 nC a 10 V ±20 V 6180 pF a 50 V - 8,3 W (Ta), 277 W (Tc)
AOC3878 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOC3878 0,3603
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ECAD 4006 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 10-SMD, senza piombo AOC387 MOSFET (ossido di metallo) 3,1 W (Ta) 10-AlfaDFN (3,55x1,77) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 785-AOC3878TR EAR99 8541.29.0095 5.000 2 canali N 12V 35A (Ta) 2 Ohm a 5 A, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 60nC a 4,5 V - Standard
AOI450A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI450A70 0,7509
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ECAD 7087 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. aMOS5™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak AOI450 MOSFET (ossido di metallo) TO-251A scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 785-AOI450A70 EAR99 8541.29.0095 3.500 CanaleN 700 V 11A(Tc) 10 V 450 mOhm a 2,3 A, 10 V 3,6 V a 250 µA 20 nC a 10 V ±20 V 1115 pF a 100 V - 125 W (Tc)
AON6354 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6354 0,2817
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ECAD 4094 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerSMD, conduttori piatti AON63 MOSFET (ossido di metallo) 8-DFN (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 83A(Tc) 4,5 V, 10 V 3,3 mOhm a 20 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 35 nC a 10 V ±20 V 1330 pF a 15 V - 36 W (Tc)
AOI4T60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4T60 -
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ECAD 3347 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Obsoleto -50°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak AOI4 MOSFET (ossido di metallo) TO-251A scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 70 CanaleN 600 V 4A(Tc) 10 V 2,1 Ohm a 1 A, 10 V 5 V a 250 µA 15 nC a 10 V ±30 V 460 pF a 100 V - 83 W (Tc)
AOD4144_003 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4144_003 -
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ECAD 1400 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. SDMOS™ Massa Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 AOD41 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 (DPAK) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 30 V 13A (Ta), 55A (Tc) 4,5 V, 10 V 8 mOhm a 20 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 28 nC a 10 V ±20 V 1430 pF a 15 V - 2,3 W (Ta), 50 W (Tc)
AOW298 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW298 -
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ECAD 8673 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA AOW29 MOSFET (ossido di metallo) TO-262 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-1379-5 EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 100 V 9A(Ta), 58A(Tc) 10 V 14,5 mOhm a 20 A, 10 V 4,1 V a 250 µA 27 nC a 10 V ±20 V 1670 pF a 50 V - 2,1 W (Ta), 100 W (Tc)
AOD512 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD512 -
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ECAD 3325 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 AOD51 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 (DPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 27A (Ta), 70A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,4 mOhm a 20 A, 10 V 2 V a 250 µA 64 nC a 10 V ±20 V 3430 pF a 15 V - 2,5 W (Ta), 83 W (Tc)
AON7402_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7402_101 -
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ECAD 5612 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN AON740 MOSFET (ossido di metallo) 8-DFN-EP (3x3) - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 30 V 13,5 A (Ta), 39 A (Tc) 4,5 V, 10 V 10 mOhm a 20 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 17,8 nC a 10 V ±20 V 770 pF a 15 V - 3,1 W (Ta), 26 W (Tc)
AOT296L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT296L 1.0064
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ECAD 6824 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 AOT296 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 100 V 9,5 A (Ta), 70 A (Tc) 6 V, 10 V 10 mOhm a 20 A, 10 V 3,4 V a 250 µA 52 nC a 10 V ±20 V 2785 pF a 50 V - 2,1 W (Ta), 107 W (Tc)
AOCA24108E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA24108E 0,2821
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ECAD 7725 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, senza piombo AOCA24108 MOSFET (ossido di metallo) 2,2 W(Ta) 6-AlfaDFN (1,79x1,18) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-AOCA24108ETR EAR99 8541.29.0095 8.000 Scarico comune a 2 canali N (doppio). 12V 14A (Ta) 7,5 mOhm a 4 A, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 15nC a 4,5 V - -
AOCA72104E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOCA72104E 0,3699
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ECAD 3299 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 10-SMD, senza piombo AOCA72104 MOSFET (ossido di metallo) 3,1 W (Ta) 10-AlfaDFN (2,98x1,49) scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 785-AOCA72104ETR EAR99 8541.29.0095 8.000 Scarico comune a 2 canali N (doppio). 12V 30A (Ta) 2,6 mOhm a 5 A, 4,5 V 1,3 V a 250 µA 45 nC a 4,5 V - Standard
AO3404A_104 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3404A_104 -
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ECAD 2675 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto AO34 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 5,8A(Ta)
AOT2910L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2910L 1.2600
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ECAD 1 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 AOT2910 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 100 V 6A (Ta), 30A (Tc) 4,5 V, 10 V 24 mOhm a 20 A, 10 V 2,7 V a 250 µA 25 nC a 10 V ±20 V 1190 pF a 50 V - 2,1 W (Ta), 50 W (Tc)
AOT292L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT292L 1.7111
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ECAD 7883 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Design non per nuovi -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 AOT292 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-1636-5 EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 100 V 14,5 A(Ta), 105 A(Tc) 6 V, 10 V 4,5 mOhm a 20 A, 10 V 3,4 V a 250 µA 126 nC a 10 V ±20 V 6775 pF a 50 V - 2,1 W (Ta), 300 W (Tc)
AO4800L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4800L -
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ECAD 6580 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) AO480 MOSFET (ossido di metallo) 2 W 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 2 canali N (doppio) 30 V 6,9 A 27 mOhm a 6,9 A, 10 V 1,5 V a 250 µA 7nC a 4,5 V 630 pF a 15 V -
AO3414L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3414L -
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ECAD 6421 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Variante 3-SMD, SOT-23-3 AO34 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 20 V 3A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 62 mOhm a 3 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 3,8 nC a 4,5 V ±8 V 320 pF a 10 V - 1,4 W(Ta)
AOSN32338C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSN32338C 0,0982
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ECAD 6467 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 AOSN32338 MOSFET (ossido di metallo) SC-70-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-AOSN32338CTR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 3,7A(Ta) 2,5 V, 10 V 51 mOhm a 3,7 A, 10 V 1,5 V a 250 µA 16 nC a 10 V ±12V 340 pF a 15 V - 1,1 W (Ta)
AOD4120L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4120L -
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ECAD 2657 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 AOD41 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 (DPAK) - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 20 V 25A (Tc) 2,5 V, 10 V 18 mOhm a 20 A, 10 V 2 V a 250 µA 18 nC a 10 V ±16V 900 pF a 10 V - 2,5 W (Ta), 33 W (Tc)
AON6932A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6932A 0,5439
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ECAD 7661 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN AON693 MOSFET (ossido di metallo) 3,6 W, 4,3 W 8-DFN (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (mezzo ponte) 30 V 22A, 36A 5 mOhm a 20 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 22nC a 10 V 1037 pF a 15 V Porta a livello logico
AON7902 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7902 -
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ECAD 2400 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN AON790 MOSFET (ossido di metallo) 1,8 W 8-DFN-EP (3,3x3,3) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 2 canali N (mezzo ponte) 30 V 8A, 13A 21 mOhm a 8 A, 10 V 2,3 V a 250 µA 11nC a 10V 710 pF a 15 V Porta a livello logico
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock