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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C
AOK10N90 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK10N90 -
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ECAD 2897 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 OK10 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 240 CanaleN 900 V 10A (Tc) 10 V 980 mOhm a 5 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 75 nC a 10 V ±30 V 3160 pF a 25 V - 403 W(Tc)
AON6734 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6734 -
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ECAD 2667 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerSMD, conduttori piatti AON67 MOSFET (ossido di metallo) 8-DFN (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 37A (Ta), 85A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,8 mOhm a 20 A, 10 V 2 V a 250 µA 45 nC a 10 V ±12V 1900 pF a 15 V - 6,2 W (Ta), 32,2 W (Tc)
AOD66406 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD66406 0,6000
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ECAD 44 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. AlphaSGT™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 AOD66 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 (DPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 25A (Ta), 60A (Tc) 4,5 V, 10 V 6,1 mOhm a 20 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 1480 pF a 20 V - 6,2 W (Ta), 52 W (Tc)
AOT2146L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2146L 0.9409
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ECAD 9974 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. AlphaSGT™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 AOT2146 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 785-AOT2146LTR EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 40 V 42A (Ta), 105A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,8 mOhm a 20 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 70 nC a 10 V ±20 V 3830 pF a 20 V - 8,3 W (Ta), 119 W (Tc)
AO4430 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4430 0,9700
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ECAD 8 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) AO44 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 18A (Ta) 4,5 V, 10 V 5,5 mOhm a 18 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 124 nC a 10 V ±20 V 7270 pF a 15 V - 3 W (Ta)
AON3825_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON3825_001 -
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ECAD 5325 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Massa Obsoleto - - - AON3825 - - - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
AOD7N60M Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD7N60M -
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ECAD 4034 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Massa Acquisto per l'ultima volta -50°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 AOD7 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 (DPAK) - REACH Inalterato 785-AOD7N60M 1 CanaleN 600 V 7A(Tc) 10 V 1,3 Ohm a 3,5 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 24 nC a 10 V ±30 V 1170 pF a 25 V - 178 W(Tc)
AOGF60B65H2AL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOGF60B65H2AL 2.1920
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ECAD 6586 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. AlphaIGBT™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 AOGF60 Standard 74 W TO-3PF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 785-AOGF60B65H2AL EAR99 8541.29.0095 480 400 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V 318 ns - 650 V 120A 180A 2,5 V a 15 V, 60 A 2,36 mJ (acceso), 1,17 mJ (spento) 84 nC 35ns/168ns
AON7556 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7556 -
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ECAD 6005 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. AlphaMOS Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN AON75 MOSFET (ossido di metallo) 8-DFN-EP (3x3) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 30 V 12A (Ta), 12A (Tc) 4,5 V, 10 V 10,5 mOhm a 12 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 15 nC a 10 V ±20 V 600 pF a 15 V - 4,1 W (Ta), 12,5 W (Tc)
AO4406AL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4406AL -
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ECAD 6441 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) AO44 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 13A(Tc) 4,5 V, 10 V 11,5 mOhm a 12 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 17 nC a 10 V ±20 V 910 pF a 15 V - 3,1 W (TC)
AON6912A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6912A 0,4234
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ECAD 5066 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN AON6912 MOSFET (ossido di metallo) 1,9 W, 2,1 W 8-DFN (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (mezzo ponte) 30 V 10A, 13,8A 13,7 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 17nC a 10V 910 pF a 15 V Porta a livello logico
AOI4286 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI4286 0,6300
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ECAD 1 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak AOI42 MOSFET (ossido di metallo) TO-251A scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-1647-5 EAR99 8541.29.0095 70 CanaleN 100 V 4A(Ta), 14A(Tc) 4,5 V, 10 V 68 mOhm a 5 A, 10 V 2,9 V a 250 µA 10 nC a 10 V ±20 V 390 pF a 50 V - 2,5 W (Ta), 30 W (Tc)
AON6532 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6532 -
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ECAD 1624 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerSMD, conduttori piatti AON653 MOSFET (ossido di metallo) 8-DFN (5x6) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 27A (Ta), 68A (Tc) 4,5 V, 10 V 5 mOhm a 20 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 23 nC a 10 V ±20 V 1080 pF a 15 V - 5,7 W (Ta), 35,5 W (Tc)
AON6504_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6504_002 -
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ECAD 9889 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. AlphaMOS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerSMD, conduttori piatti AON650 MOSFET (ossido di metallo) 8-DFN (5x6) scaricamento REACH Inalterato 785-AON6504_002TR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 51A (Ta), 85A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,1 mOhm a 20 A, 10 V 2,1 V a 250 µA 60 nC a 10 V ±20 V 2719 pF a 15 V - 7,3 W (Ta), 83 W (Tc)
AOD4185_DELTA Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD4185_DELTA -
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ECAD 2858 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto AOD418 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 40A (Tc)
AOB462L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB462L -
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ECAD 9028 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB AOB462 MOSFET (ossido di metallo) TO-263 (D2Pak) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 60 V 7A (Ta), 35A (Tc) 10 V 17,7 mOhm a 30 A, 10 V 4 V a 250 µA 36 nC a 10 V ±20 V 2400 pF a 30 V - 2,1 W (Ta), 100 W (Tc)
AOD421_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD421_001 -
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ECAD 5408 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Massa Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 AOD42 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 (DPAK) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 Canale P 20 V 12,5A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 75 mOhm a 12,5 A, 10 V 1,4 V a 250 µA 4,6 nC a 4,5 V ±12V 620 pF a 10 V - 2 W (Ta), 18,8 W (Tc)
AOTF8N65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF8N65L -
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ECAD 1032 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Massa Acquisto per l'ultima volta -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo AOTF8 MOSFET (ossido di metallo) TO-220F - REACH Inalterato 785-AOTF8N65L 1 CanaleN 650 V 8A (Tc) 10 V 1,15 Ohm a 4 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 28 nC a 10 V ±30 V 1400 pF a 25 V - 50 W
AOTF2610L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2610L 0,6710
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ECAD 1888 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo AOTF2610 MOSFET (ossido di metallo) TO-220F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-1638-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 9A (Ta), 35A (Tc) 4,5 V, 10 V 10,7 mOhm a 20 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 2007 pF a 30 V - 2,1 W (Ta), 31 W (Tc)
AOE6920 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOE6920 -
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ECAD 9473 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto AOE692 - - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-AOE6920TR OBSOLETO 3.000 -
AONR36366 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR36366 0,6400
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ECAD 58 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN AONR363 MOSFET (ossido di metallo) 8-DFN-EP (3x3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 30 V 30A (Ta), 34A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,5 mOhm a 20 A, 10 V 2,1 V a 250 µA 35 nC a 10 V ±20 V 1835 pF a 15 V - 5 W (Ta), 28 W (Tc)
AOT8N65 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT8N65 0,6647
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ECAD 1157 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Tubo Acquisto per l'ultima volta -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 AOT8 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 650 V 8A (Tc) 10 V 1,15 Ohm a 4 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 28 nC a 10 V ±30 V 1400 pF a 25 V - 208 W(Tc)
AOT10B65M1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10B65M1 1.9900
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ECAD 18 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. Alfa IGBT™ Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 AOT10 Standard 150 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-1761 EAR99 8541.29.0095 1.000 400 V, 10 A, 30 Ohm, 15 V 262 ns - 650 V 20A 30A 2 V a 15 V, 10 A 180μJ (acceso), 130μJ (spento) 24 nC 12ns/91ns
AO3415_108 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3415_108 -
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ECAD 7428 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto AO34 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 4A (Ta)
AON7532E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7532E -
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ECAD 1020 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. AlphaMOS Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto AON75 MOSFET (ossido di metallo) 8-DFN (3x3) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 30 V 30,5 A (Ta), 28 A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,5 mOhm a 20 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 40 nC a 10 V ±20 V 1950 pF a 15 V - 5 W (Ta), 28 W (Tc)
AOD600A60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD600A60 1.2600
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ECAD 128 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. aMOS5™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 AOD600 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 (DPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 600 V 8A (Tc) 10 V 600 mOhm a 2,1 A, 10 V 3,5 V a 250 µA 11,5 nC a 10 V ±20 V 608 pF a 100 V - 96 W (Tc)
AOW29S50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW29S50 2.4520
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ECAD 8875 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. aMOS™ Tubo Acquisto per l'ultima volta -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA AOW29 MOSFET (ossido di metallo) TO-262 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-1427-5 EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 500 V 29A(Tc) 10 V 150 mOhm a 14,5 A, 10 V 3,9 V a 250 µA 26,6 nC a 10 V ±30 V 1312 pF a 100 V - 357 W(Tc)
AOD5N50_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD5N50_001 -
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ECAD 9851 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Massa Acquisto per l'ultima volta -50°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 AOD5 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 (DPAK) - REACH Inalterato 785-AOD5N50_001 1 CanaleN 500 V 5A (Tc) 10 V 1,6 Ohm a 2,5 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 14 nC a 10 V ±30 V 670 pF a 25 V - 104 W(Tc)
AOWF600A60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF600A60 0,9866
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ECAD 7717 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. aMOS5™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA AOWF600 MOSFET (ossido di metallo) TO-262F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 785-AOWF600A60 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 8A(Tj) 10 V 600 mOhm a 2,1 A, 10 V 3,5 V a 250 µA 11,5 nC a 10 V ±20 V 608 pF a 100 V - 23 W (Tc)
AOL1440 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOL1440 -
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ECAD 8525 0.00000000 Alpha & Omega Semiconduttori Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 3-PowerSMD, conduttori piatti AOL14 MOSFET (ossido di metallo) UltraSO-8™ scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 25 V 21A (Ta), 85A (Tc) 10 V, 20 V 3,2 mOhm a 20 A, 20 V 4 V a 250 µA 50 nC a 10 V ±30 V 2400 pF a 12,5 V - 2,3 W (Ta), 75 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock