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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AOT1606L	-	Richiesta di offerta	1390	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT1606		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1411-5	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		60 V	12A (Ta), 178A (Tc)	10 V	6,3 mOhm a 20 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	102 nC a 10 V	±20 V	4500 pF a 25 V	-	2,1 W (Ta), 417 W (Tc)
AO4862	0,1473	Richiesta di offerta	4389	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO486		MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			30 V	4,5 A		50 mOhm a 4,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10nC a 10V		200 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOL1432A	-	Richiesta di offerta	1537	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SDMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerSMD, conduttori piatti	AOL14		MOSFET (ossido di metallo)		UltraSO-8™	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		25 V	12A (Ta), 44A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm a 30 A, 10 V	3 V a 250 µA	26 nC a 10 V	±20 V	1450 pF a 12,5 V	-	2,1 W (Ta), 30 W (Tc)
AOTF20S60_900	-	Richiesta di offerta	6973	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-	-	-	AOTF20		MOSFET (ossido di metallo)		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			-	-	-	-		-		-	-
AO4480	0,7400	Richiesta di offerta	153	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		40 V	14A (Ta)	4,5 V, 10 V	11,5 mOhm a 14 A, 10 V	3 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1920 pF a 20 V	-	3,1 W (Ta)
AON7510	0,5968	Richiesta di offerta	8709	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	AON75		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	45A (Ta), 75A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,25 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 250 µA	140 nC a 10 V	±20 V	4500 pF a 15 V	-	4,1 W (Ta), 46 W (Tc)
AOTF42S60L	6.6400	Richiesta di offerta	3	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF42		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	39A(Tc)	10 V	99 mOhm a 21 A, 10 V	3,8 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±30 V	2154 pF a 100 V	-	37,9 W(Tc)
AOTF8N65_006	-	Richiesta di offerta	4299	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF8		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-			REACH Inalterato	785-AOTF8N65_006			1		CanaleN		650 V	8A (Tc)	10 V	1,15 Ohm a 4 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	28 nC a 10 V	±30 V	1.400 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
AOWF11A60	-	Richiesta di offerta	6941	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo				AOWF11					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000
AO4620	0,2619	Richiesta di offerta	3701	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO462		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P			30 V	-		24 mOhm a 7,2 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	11nC a 10V		448 pF a 15 V	Porta a livello logico
AO4629	0,4400	Richiesta di offerta	243	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO462		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P, scarico comune			30 V	6A, 5,5A		30 mOhm a 6 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	6,3 nC a 10 V		310 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOT416_002	-	Richiesta di offerta	1033	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SDMOS™	Tubo	Obsoleto		Foro passante	TO-220-3	AOT41				TO-220	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50					-
AON6266E	0,6000	Richiesta di offerta	5824	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	24A (Tc)	4,5 V, 10 V	13,2 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	10 nC a 4,5 V	±20 V	755 pF a 30 V	-	26 W (TC)
AOTF12N50_007	-	Richiesta di offerta	9262	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-	-	-	AOTF12		MOSFET (ossido di metallo)		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			-	-	-	-		-		-	-
AONR66406	0,2132	Richiesta di offerta	3668	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AONR664		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		40 V	22A (Ta), 30A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,1 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1480 pF a 20 V	-	5 W (Ta), 27 W (Tc)
AONS66612T	3.0800	Richiesta di offerta	3	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti			MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	48A (Ta), 100A (Tc)	6 V, 10 V	1,65 mOhm a 20 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	5300 pF a 30 V	-	7,5 W (Ta), 250 W (Tc)
AON7520	-	Richiesta di offerta	5932	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	AON75		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	48A (Ta), 50A (Tc)	2,5 V, 10 V	1,8 mOhm a 20 A, 10 V	1,2 V a 250 µA	105 nC a 10 V	±12V	4175 pF a 15 V	-	6,2 W (Ta), 83,3 W (Tc)
AONR20485	0,2253	Richiesta di offerta	8803	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AONR204		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AONR20485TR	EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P		40 V	14A (Ta), 34A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 13 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	2430 pF a 20 V	-	5 W (Ta), 69 W (Tc)
AON6368P	-	Richiesta di offerta	9275	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON63				8-DFN (5x6)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
AON6534	-	Richiesta di offerta	5025	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON653		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	20A (Ta), 30A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 20 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	22,5 nC a 10 V	±20 V	951 pF a 15 V	-	4,1 W (Ta), 25 W (Tc)
AOTF10N60_003	-	Richiesta di offerta	8216	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		600 V	10A (Tc)	10 V	750 mOhm a 5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±30 V	1600 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
AOTS40B65H1	2.9100	Richiesta di offerta	1661	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOTS40	Standard		300 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1774	EAR99	8541.29.0095	1.000			400 V, 40 A, 7,5 Ohm, 15 V											-	650 V	80A	120A	2,4 V a 15 V, 40 A	1,27 mJ (acceso), 460 µJ (spento)	63 nC	41ns/130ns
AO4818BL	-	Richiesta di offerta	6573	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO481		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			30 V	8A (Ta)		19 mOhm a 8 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	18nC a 10V		888 pF a 15 V	-
AO6704	-	Richiesta di offerta	7906	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO670		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	3,6A(Ta)	2,5 V, 10 V	65 mOhm a 3,6 A, 10 V	1,8 V a 250 µA	3,6 nC a 4,5 V	±12V	270 pF a 15 V	Diodo Schottky (isolato)	1,39 W(Ta)
AOK30B135D2	3.2945	Richiesta di offerta	7074	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-3	AOK30				TO-247	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			0000.00.0000	240
AOL1242	-	Richiesta di offerta	1506	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerSMD, conduttori piatti	AOL12		MOSFET (ossido di metallo)		UltraSO-8™	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		40 V	14A (Ta), 69A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,2 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±20 V	1620 pF a 20 V	-	2,1 W (Ta), 68 W (Tc)
AON6978	-	Richiesta di offerta	5840	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON697		MOSFET (ossido di metallo)	3,6 W, 4,3 W	8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (mezzo ponte)			30 V	20A, 28A		5,7 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	25nC a 10V		1010 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOT416L_001	-	Richiesta di offerta	1922	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SDMOS™	Tubo	Obsoleto		Foro passante	TO-220-3	AOT41				TO-220	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	50					-
AOD240	1.5600	Richiesta di offerta	14	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD24		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		40 V	23A (Ta), 70A (Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	4300 pF a 20 V	-	2,7 W (Ta), 150 W (Tc)
AOL1412	-	Richiesta di offerta	5629	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerSMD, conduttori piatti	AOL14		MOSFET (ossido di metallo)		UltraSO-8™	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	17A (Ta), 70A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,9 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±12V	7716 pF a 15 V	Diodo Schottky (corpo)	2,1 W (Ta), 36 W (Tc)