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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON6426 | - | ![]() | 4960 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON642 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 14A (Ta), 65A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 45 nC a 10 V | ±20 V | 2300 pF a 15 V | - | 2 W (Ta), 42 W (Tc) | ||||||
| AON6484 | 0,3969 | ![]() | 5736 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON648 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 3,3 A (Ta), 12 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 79 mOhm a 7,5 A, 10 V | 2,7 V a 250 µA | 24 nC a 10 V | ±20 V | 942 pF a 50 V | - | 2 W (Ta), 25 W (Tc) | |||||
![]() | AO4454 | - | ![]() | 8390 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 6,5A(Ta) | 7 V, 10 V | 36 mOhm a 6,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 23 nC a 10 V | ±25 V | 1450 pF a 50 V | - | 3,1 W (Ta) | |||||
![]() | AO3403L_102 | - | ![]() | 5925 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 2,6A(Ta) | 2,5 V, 10 V | 130 mOhm a 2,6 A, 10 V | 1,4 V a 250 µA | 5,3 nC a 4,5 V | ±12V | 500 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | |||||
![]() | AOTF10N60CL_0C1 | - | ![]() | 6689 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF10 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | - | REACH Inalterato | 785-AOTF10N60CL_0C1 | 1 | CanaleN | 600 V | 10A (Tj) | 10 V | 750 mOhm a 5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 30 nC a 10 V | ±30 V | 1500 pF a 25 V | - | 50 W (Tc) | |||||||
![]() | AO3403L | - | ![]() | 4991 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 2,6A(Ta) | 2,5 V, 10 V | 130 mOhm a 2,6 A, 10 V | 1,4 V a 250 µA | 5,3 nC a 4,5 V | ±12V | 500 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | |||||
| AON6242 | 2.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON62 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 18,5 A (Ta), 85 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,6 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 72 nC a 10 V | ±20 V | 6370 pF a 30 V | - | 2,3 W (Ta), 83 W (Tc) | |||||
![]() | AO6409A | 0,4600 | ![]() | 9557 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | AO640 | MOSFET (ossido di metallo) | 6-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 20 V | 5,5A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 41 mOhm a 5,5 A, 4,5 V | 900 mV a 250 µA | 11 nC a 4,5 V | ±8 V | 905 pF a 10 V | - | 2,1 W (Ta) | ||||
![]() | AO3406L_107 | - | ![]() | 1197 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 3,6A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 65 mOhm a 3,6 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 8,5 nC a 10 V | ±20 V | 375 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | |||||
| AOWF2606 | - | ![]() | 7404 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | AOWF26 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-262F | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-1448-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 60 V | 13A (Ta), 51A (Tc) | 10 V | 6,5 mOhm a 20 A, 10 V | 3,5 V a 250 µA | 75 nC a 10 V | ±20 V | 4050 pF a 30 V | - | 2,1 W (Ta), 33,3 W (Tc) | |||||
![]() | AO4807L_102 | - | ![]() | 4795 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO480 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W (Ta) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AO4807L_102TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali P (doppio) | 30 V | 6A (Ta) | 35 mOhm a 6 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 16nC a 10V | 760 pF a 15 V | - | |||||
![]() | AOSN21319C | 0,4400 | ![]() | 6413 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | AOSN21319 | MOSFET (ossido di metallo) | SC-70-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 2,6A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 100 mOhm a 2,6 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 12 nC a 10 V | ±20 V | 320 pF a 15 V | - | 1,1 W (Ta) | ||||
![]() | AON2705_001 | - | ![]() | 5936 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | 6-WDFN Tampone esposto | AON27 | 6-DFN (2x2) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 3A (Ta) | |||||||||||||||||
![]() | AO4411 | 0,6300 | ![]() | 162 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 8A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 32 mOhm a 8 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 16 nC a 10 V | ±20 V | 760 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | ||||
![]() | AON2809 | - | ![]() | 5267 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-WDFN Tampone esposto | AON280 | MOSFET (ossido di metallo) | 2,1 W | 6-DFN (2x2) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali P (doppio) | 12V | 2A | 68 mOhm a 2 A, 4,5 V | 900 mV a 250 µA | 4,4 nC a 4,5 V | 415 pF a 6 V | Porta a livello logico | |||||||
| AOWF10N65 | 0,7871 | ![]() | 5517 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | AOWF10 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-262F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 650 V | 10A (Tc) | 10 V | 1 Ohm a 5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 33 nC a 10 V | ±30 V | 1645 pF a 25 V | - | 25 W (Tc) | |||||
![]() | AOD518 | - | ![]() | 1160 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD51 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 15A (Ta), 54A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8 mOhm a 20 A, 10 V | 2,6 V a 250 µA | 22,5 nC a 10 V | ±20 V | 951 pF a 15 V | - | 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) | |||||
![]() | AOTF8N50_003 | - | ![]() | 2581 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | AOTF8 | MOSFET (ossido di metallo) | - | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||
![]() | AO3481 | - | ![]() | 8474 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AO3481TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 4A (Ta) | 2,5 V, 10 V | 50 mOhm a 4 A, 10 V | 1,3 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±12V | 645 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | |||
| AON6504_001 | - | ![]() | 7487 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaMOS | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON650 | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 85A (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AO6604_001 | - | ![]() | 8749 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | AO660 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,1 W | 6-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canali N e P | 20 V | 3,4 A, 2,5 A | 60 mOhm a 3,4 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 3,8 nC a 4,5 V | 320 pF a 10 V | Porta a livello logico | ||||||
| AOL1414 | - | ![]() | 1815 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-PowerSMD, conduttori piatti | AOL14 | MOSFET (ossido di metallo) | UltraSO-8™ | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 14A (Ta), 85A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 6,5 mOhm a 20 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 24 nC a 4,5 V | ±12V | 2520 pF a 15 V | - | 2,08 W (Ta), 100 W (Tc) | ||||||
![]() | AOD2N100 | 0,5630 | ![]() | 4509 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD2 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 1000 V | 2A(Tc) | 10 V | 9 Ohm a 1 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 15 nC a 10 V | ±30 V | 580 pF a 25 V | - | 83 W (Tc) | ||||
![]() | AOB1100L | 2.2310 | ![]() | 2772 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | AOB1100 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 100 V | 8A (Ta), 130A (Tc) | 10 V | 11,7 mOhm a 20 A, 10 V | 3,8 V a 250 µA | 100 nC a 10 V | ±20 V | 4833 pF a 25 V | - | 2,1 W (Ta), 500 W (Tc) | ||||
![]() | AO4801AL_001 | - | ![]() | 1173 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO480 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali P (doppio) | 30 V | 5A | 48 mOhm a 5 A, 10 V | 1,3 V a 250 µA | 9nC a 4,5 V | 780 pF a 15 V | Porta a livello logico | |||||||
![]() | AOT410L | 2.7900 | ![]() | 2806 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT410 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-1237-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 100 V | 12A (Ta), 150A (Tc) | 7 V, 10 V | 6,5 mOhm a 20 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 129 nC a 10 V | ±25 V | 7950 pF a 50 V | - | 1,9 W (Ta), 333 W (Tc) | |||
![]() | AOB66920L | 2.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | AOB66920 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 100 V | 22,5 A (Ta), 80 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 50 nC a 10 V | ±20 V | 2500 pF a 50 V | - | 8,3 W (Ta), 100 W (Tc) | ||||
![]() | AOD516_050 | - | ![]() | 6558 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD51 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 30 V | 18A (Ta), 46A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 33 nC a 10 V | ±20 V | 1229 pF a 15 V | - | 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) | |||||
| AONS36314 | 0,8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AONS363 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 36,5 A (Ta), 85 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,9 mOhm a 20 A, 10 V | 1,9 V a 250 µA | 40 nC a 10 V | ±12V | 1890 pF a 15 V | - | 6,2 W (Ta), 42 W (Tc) | |||||
![]() | AON7400AL_102 | - | ![]() | 5075 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, cavo piatto | AON740 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (3x3) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 30 V | 15A (Ta), 40A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7,5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 24 nC a 10 V | ±20 V | 1380 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 25 W (Tc) |

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