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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AOB290L	3.8100	Richiesta di offerta	4652	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB290		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		100 V	18A (Ta), 140A (Tc)	10 V	3,2 mOhm a 20 A, 10 V	4,1 V a 250 µA	126 nC a 10 V	±20 V	9550 pF a 50 V	-	2,1 W (Ta), 500 W (Tc)
AO4268	0,6292	Richiesta di offerta	9117	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO42		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	19A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,8 mOhm a 19 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	65 nC a 10 V	±20 V	2500 pF a 30 V	-	3,1 W (Ta)
AO4407A	0,7100	Richiesta di offerta	102	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	12A (Ta)	6 V, 20 V	11 mOhm a 12 A, 20 V	3 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±25 V	2600 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AO3409_103	-	Richiesta di offerta	2181	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				AO34					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000					2,6A(Ta)
AON6884	0,5410	Richiesta di offerta	5667	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON688		MOSFET (ossido di metallo)	1,6 W	8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			40 V	9A		11,3 mOhm a 10 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	33nC a 10 V		1950 pF a 20 V	Porta a livello logico
AOWF125A60	2.3211	Richiesta di offerta	2894	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOWF125		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOWF125A60	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	28A(Tj)	10 V	125 mOhm a 14 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2993 pF a 100 V	-	32,5 W(Tc)
AOD508	0,9000	Richiesta di offerta	36	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD50		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		30 V	22A (Ta), 70A (Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	49 nC a 10 V	±20 V	2010 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
AOD409G	0,3821	Richiesta di offerta	6841	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD40		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOD409GTR	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		60 V	9A(Ta), 28A(Tc)	4,5 V, 10 V	40 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	65 nC a 10 V	±20 V	2350 pF a 30 V	-	6,2 W (Ta), 60 W (Tc)
AON6244	-	Richiesta di offerta	1269	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	15A (Ta), 85A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,7 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	64 nC a 10 V	±20 V	4610 pF a 30 V	-	2,3 W (Ta), 83 W (Tc)
AOB20C60PL	-	Richiesta di offerta	3053	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB20		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	260 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±30 V	3607 pF a 100 V	-	463 W(Tc)
AOT27S60L	4.0100	Richiesta di offerta	6	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT27S60		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1252-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	27A(Tc)	10 V	160 mOhm a 13,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	26 nC a 10 V	±30 V	1294 pF a 100 V	-	357 W(Tc)
AONS66614	1.6900	Richiesta di offerta	2447	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONS666		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	34,5 A (Ta), 85 A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,9 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	3310 pF a 30 V	-	6,2 W (Ta), 78 W (Tc)
AOD3N50_003	-	Richiesta di offerta	8730	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		500 V	2,8 A(Tc)	10 V	3 Ohm a 1,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	8 nC a 10 V	±30 V	331 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
AON2810	0,2116	Richiesta di offerta	1003	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	AON281		MOSFET (ossido di metallo)	2,5 W	6-DFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			30 V	2A		44 mOhm a 2 A, 10 V	1,4 V a 250 µA	10nC a 10V		235 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOB12N50L	0,9097	Richiesta di offerta	2340	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB12		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	520 mOhm a 6 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±30 V	1633 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
AOTF7T60P	-	Richiesta di offerta	6874	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF7		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	7A(Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±30 V	965 pF a 100 V	-	38 W (Tc)
AOKS30B60D1	3.1100	Richiesta di offerta	45	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOKS30	Standard		208 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1758	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V											-	600 V	60A	96A	2,5 V a 15 V, 30 A	1,1 mJ (acceso), 240 µJ (spento)	34 nC	20ns/58ns
AO3406L_106	-	Richiesta di offerta	6188	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	3,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	65 mOhm a 3,6 A, 10 V	3 V a 250 µA	8,5 nC a 10 V	±20 V	375 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)
AOC2870	0,9800	Richiesta di offerta	2791	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-XDFN	AOC287		MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W	4-DFN (1,7x1,7)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Scarico comune a 2 canali N (doppio).			-	-		-	1,3 V a 250 µA	11,5 nC a 4,5 V		-	-
AO6400	0,4900	Richiesta di offerta	5	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO640		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	6,9A(Ta)	2,5 V, 10 V	28 mOhm a 6,9 A, 10 V	1,4 V a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±12V	1030 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
AOD452	-	Richiesta di offerta	1103	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD45		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		25 V	55A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,5 mOhm a 30 A, 10 V	3 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	1476 pF a 12,5 V	-	2,5 W (Ta), 51,5 W (Tc)
AO4946	-	Richiesta di offerta	9155	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO494		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			30 V	-		16 mOhm a 8,6 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	31nC a 10 V		1885 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOD454AL	-	Richiesta di offerta	9378	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD45		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		40 V	12A (Tc)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	10,8 nC a 10 V	±20 V	650 pF a 20 V	-	2,5 W (Ta), 37 W (Tc)
AON6780	-	Richiesta di offerta	7560	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON67		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	30A (Ta), 85A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,7 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 250 µA	76 nC a 10 V	±12V	9600 pF a 15 V	Diodo Schottky (corpo)	2,5 W (Ta), 83 W (Tc)
AOD417	0,5800	Richiesta di offerta	99	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		30 V	25A (Ta)	4,5 V, 10 V	34 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 250 µA	16,2 nC a 10 V	±20 V	920 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
AO3452	-	Richiesta di offerta	9062	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AO3452TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	4A (Ta)	2,5 V, 10 V	52 mOhm a 4 A, 10 V	1,5 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±12V	235 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)
AOB20C60L	-	Richiesta di offerta	4948	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB20		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	250 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	74 nC a 10 V	±30 V	3440 pF a 100 V	-	463 W(Tc)
AO4826	-	Richiesta di offerta	3205	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO482		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			60 V	-		25 mOhm a 6,3 A, 10 V	3 V a 250 µA	58nC a 10V		2300 pF a 30 V	Porta a livello logico
AON6532P	-	Richiesta di offerta	5207	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	-	AON653		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	68A(Tc)	10 V	4,1 mOhm a 20 A, 10 V	710 mV a 1 A	17,2 nC a 10 V	±20 V	1080 pF a 15 V	-	35,5 W(Tc)
AON6426	-	Richiesta di offerta	4960	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON642		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	14A (Ta), 65A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	45 nC a 10 V	±20 V	2300 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 42 W (Tc)