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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AON4703	0,2213	Richiesta di offerta	2261	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AON470		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (3x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		20 V	3,4A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	90 mOhm a 3,4 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	6,1 nC a 4,5 V	±8 V	540 pF a 10 V	Diodo Schottky (isolato)	1,7 W (Ta)
AOC3860A	0,4259	Richiesta di offerta	7901	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	AOC386		MOSFET (ossido di metallo)	2,5 W(Ta)	6-AlfaDFN (3,05x1,77)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	8.000	Scarico comune a 2 canali N (doppio).			12V	25A (Ta)		3,5 mOhm a 5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	44nC a 4,5 V		-	-
AOWF360A70	1.0612	Richiesta di offerta	3221	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOWF360		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOWF360A70	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		700 V	12A(Tj)	10 V	360 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	22,5 nC a 10 V	±20 V	1360 pF a 100 V	-	29,5 W(Tc)
AON7444L	-	Richiesta di offerta	4666	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				AON744					-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
AOD409G	0,3821	Richiesta di offerta	6841	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD40		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOD409GTR	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		60 V	9A(Ta), 28A(Tc)	4,5 V, 10 V	40 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	65 nC a 10 V	±20 V	2350 pF a 30 V	-	6,2 W (Ta), 60 W (Tc)
AON2705_001	-	Richiesta di offerta	5936	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	AON27				6-DFN (2x2)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000					3A (Ta)
AOWF2606	-	Richiesta di offerta	7404	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOWF26		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262F	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1448-5	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		60 V	13A (Ta), 51A (Tc)	10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	4050 pF a 30 V	-	2,1 W (Ta), 33,3 W (Tc)
AOB20C60PL	-	Richiesta di offerta	3053	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB20		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	260 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±30 V	3607 pF a 100 V	-	463 W(Tc)
AOT27S60L	4.0100	Richiesta di offerta	6	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT27S60		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1252-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	27A(Tc)	10 V	160 mOhm a 13,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	26 nC a 10 V	±30 V	1294 pF a 100 V	-	357 W(Tc)
AON6450L_001	-	Richiesta di offerta	5174	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SDMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON645				8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000					52A(Tc)
AON4420	-	Richiesta di offerta	6501	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AON44		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (3x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	660 pF a 15 V	-	1,6 W(Ta)
AOD417	0,5800	Richiesta di offerta	99	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		30 V	25A (Ta)	4,5 V, 10 V	34 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 250 µA	16,2 nC a 10 V	±20 V	920 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
AOTF780A70L	0,7092	Richiesta di offerta	5937	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF780		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOTF780A70LTR	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		700 V	7A(Tj)	10 V	780 mOhm a 1,4 A, 10 V	4,1 V a 250 µA	11,5 nC a 10 V	±20 V	675 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
AOD2N100M	-	Richiesta di offerta	9469	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	-	-	AOD2		MOSFET (ossido di metallo)		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			-	-	-	-		-		-	-
AO5804E	-	Richiesta di offerta	9253	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	AO580		MOSFET (ossido di metallo)	280 mW	SC-89-6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)			20 V	500mA		550 mOhm a 500 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1nC a 4,5 V		45 pF a 10 V	Porta a livello logico
AON6266_101	-	Richiesta di offerta	2324	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±20 V	1340 pF a 30 V	-	38 W (Tc)
AON6405_102	-	Richiesta di offerta	4761	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON640		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AON6405_102TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	28A (Ta), 30A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,2 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	130 nC a 10 V	±20 V	5020 pF a 15 V	-	6,2 W (Ta), 104 W (Tc)
AON6290	2.8900	Richiesta di offerta	8	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	28A (Ta), 85A (Tc)	6 V, 10 V	4,6 mOhm a 20 A, 10 V	3,4 V a 250 µA	90 nC a 10 V	±20 V	4600 pF a 50 V	-	7,3 W (Ta), 208 W (Tc)
AO4423L_102	-	Richiesta di offerta	5526	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	15A (Ta)	6 V, 20 V	7 mOhm a 15 A, 20 V	3,5 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±25 V	5560 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AOE6930	2.2500	Richiesta di offerta	2227	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-VDFN	AOE693		MOSFET (ossido di metallo)	24 W, 75 W	8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio) asimmetrico			30 V	22A (Tc), 85A (Tc)		4,3 mOhm a 20 A, 10 V, 0,83 mOhm a 30 A, 10 V	2,1 V a 250 µA, 1,9 V a 250 µA	15nC a 4,5 V, 65nC a 4,5 V		1075pF a 15V, 5560pF a 15V	-
AOTF14N50	0,9211	Richiesta di offerta	1376	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF14		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		500 V	14A (Tc)	10 V	380 mOhm a 7 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	51 nC a 10 V	±30 V	2297 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
AOTF5B65M2	0,6659	Richiesta di offerta	4821	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaIGBT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF5	Standard		25 W	TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOTF5B65M2TR	EAR99	8541.29.0095	1.000			400 V, 5 A, 60 Ohm, 15 V											-	650 V	10A	15A	1,98 V a 15 V, 5 A	80μJ (acceso), 70μJ (spento)	14 nC	8,5 n/106 n
AOTF11N60	-	Richiesta di offerta	5601	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF11		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-			REACH Inalterato	785-AOTF11N60			1		CanaleN		600 V	11A	10 V	650 mOhm a 5,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	30,6 nC a 10 V	±30 V	1656 pF a 25 V	-	50 W
AOW10T60	-	Richiesta di offerta	4344	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOW10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		600 V	10A (Tc)	10 V	700 mOhm a 5 A, 10 V	5 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±30 V	1346 pF a 100 V	-	208 W(Tc)
AON6266	-	Richiesta di offerta	3835	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	13A (Ta), 30A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1340 pF a 30 V	-	5 W (Ta), 38 W (Tc)
AO6409	0,4400	Richiesta di offerta	14	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO640		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		20 V	5,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	45 mOhm a 5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	17,2 nC a 4,5 V	±8 V	1450 pF a 10 V	-	2,1 W (Ta)
AO4447	-	Richiesta di offerta	6167	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	15A (Ta)	4 V, 10 V	7,5 mOhm a 15 A, 10 V	1,6 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	6600 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AOSN21319C	0,4400	Richiesta di offerta	6413	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	AOSN21319		MOSFET (ossido di metallo)		SC-70-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	2,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	100 mOhm a 2,6 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	320 pF a 15 V	-	1,1 W (Ta)
AO4807L_102	-	Richiesta di offerta	4795	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO480		MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta)	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AO4807L_102TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)			30 V	6A (Ta)		35 mOhm a 6 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	16nC a 10V		760 pF a 15 V	-
AOB20C60L	-	Richiesta di offerta	4948	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB20		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	250 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	74 nC a 10 V	±30 V	3440 pF a 100 V	-	463 W(Tc)