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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Condizione di prova | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AO3416L_103 | - | ![]() | 3755 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 6,5A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 22 mOhm a 6,5 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 16 nC a 4,5 V | ±8 V | 1160 pF a 10 V | - | 1,4 W(Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF15S65L | 3.0400 | ![]() | 872 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | aMOS™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF15 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 650 V | 15A (Tc) | 10 V | 290 mOhm a 7,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 17,2 nC a 10 V | ±30 V | 841 pF a 100 V | - | 34 W (Tc) | |||||||||||||||
| AON6796 | 0,2497 | ![]() | 5618 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SRFET™ | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON67 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 32A (Ta), 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,9 mOhm a 20 A, 10 V | 1,9 V a 250 µA | 23 nC a 10 V | ±12V | 1350 pF a 15 V | - | 6,2 W (Ta), 31 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AON7290 | 0,7584 | ![]() | 1278 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerWDFN | AON72 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 15A (Ta), 50A (Tc) | 6 V, 10 V | 12,6 mOhm a 15 A, 10 V | 3,4 V a 250 µA | 38 nC a 10 V | ±20 V | 2075 pF a 50 V | - | 6,25 W (Ta), 83 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AOTF15B60D2 | - | ![]() | 4303 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | Alfa IGBT™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF15 | Standard | 42 W | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 10 A, 30 Ohm, 15 V | 105 n | - | 600 V | 23A | 40A | 1,8 V a 15 V, 10 A | 260μJ (acceso), 70μJ (spento) | 17,4 nC | 10ns/72ns | |||||||||||||||
![]() | AONR34332C | 0,4969 | ![]() | 7087 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaMOS | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerWDFN | AONR34332 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3,3x3,3) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AONR34332CTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 48A (Ta), 50A (Tc) | 2,5 V, 10 V | 1,8 mOhm a 20 A, 10 V | 1,2 V a 250 µA | 105 nC a 10 V | ±12V | 4175 pF a 15 V | - | 6,2 W (Ta), 83,3 W (Tc) | ||||||||||||||
![]() | AOT5N50 | 1.0000 | ![]() | 607 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT5 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-1173-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 500 V | 5A (Tc) | 10 V | 1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 19 nC a 10 V | ±30 V | 620 pF a 25 V | - | 104 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | AON7702 | - | ![]() | 7695 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SRFET™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON77 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 30 V | 13,5 A (Ta), 36 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 10 mOhm a 13,5 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 48 nC a 10 V | ±20 V | 4250 pF a 15 V | Diodo Schottky (corpo) | 3,1 W (Ta), 23 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AONR62921 | 0,6733 | ![]() | 4871 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | AONR629 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON7280 | 1.7200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerWDFN | AON72 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 80 V | 20A (Ta), 50A (Tc) | 6 V, 10 V | 8,5 mOhm a 20 A, 10 V | 3,4 V a 250 µA | 38 nC a 10 V | ±20 V | 1871 pF a 40 V | - | 6,3 W (Ta), 83 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AOD4T60 | - | ![]() | 8301 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD4 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 600 V | 4A(Tc) | 10 V | 2,1 Ohm a 1 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 15 nC a 10 V | ±30 V | 460 pF a 100 V | - | 83 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOD2NL60 | - | ![]() | 8434 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | AOD2 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AOD2NL60TR | OBSOLETO | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4484_101 | - | ![]() | 5552 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 40 V | 10A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 10 mOhm a 10 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 37 nC a 10 V | ±20 V | 1950 pF a 20 V | - | 1,7 W (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AO3413L_101 | - | ![]() | 3376 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 20 V | 3A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 97 mOhm a 3 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 6,1 nC a 4,5 V | ±8 V | 540 pF a 10 V | - | 1,4 W(Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AON4807 | - | ![]() | 8703 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, cavo piatto | AON480 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,9 W | 8-DFN (3x2) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali P (doppio) | 30 V | 4A | 68 mOhm a 4 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 10nC a 10V | 290 pF a 15 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||||||
![]() | AOT190A60CL | 2.4800 | ![]() | 7912 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | aMOS5™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT190 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AOT190A60CL | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 20A (Tc) | 10 V | 190 mOhm a 7,6 A, 10 V | 4,6 V a 250 µA | 34 nC a 10 V | ±30 V | 1935 pF a 100 V | - | 208 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | AOI2610E | 0,3304 | ![]() | 4306 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | * | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak | AOI261 | TO-251A | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-3750 | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOK40B60D | 3.9024 | ![]() | 7945 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | Alfa IGBT™ | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | AOK40 | Standard | 312,5 W | TO-247 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-1622-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400 V, 40 A, 7,5 Ohm, 15 V | 138 ns | - | 600 V | 80A | 160A | 2,1 V a 15 V, 40 A | 1,72 mJ (acceso), 300 µJ (spento) | 63,5 nC | 28ns/77ns | ||||||||||||||
![]() | AON7264C | 0,2503 | ![]() | 1271 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON72 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AON7264CTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 60 V | 13A (Ta), 24A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 13,2 mOhm a 13 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 21 nC a 10 V | ±20 V | 895 pF a 30 V | - | 4,1 W (Ta), 24 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AONS36304 | 0,3032 | ![]() | 3625 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AONS363 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AONS36304TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 37A (Ta), 85A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3 mOhm a 20 A, 10 V | 1,9 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | 2430 pF a 15 V | - | 6,2 W (Ta), 42 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AON7401_101 | - | ![]() | 3379 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON740 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 30 V | 12A (Ta), 35A (Tc) | 6 V, 10 V | 14 mOhm a 9 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 39 nC a 10 V | ±25 V | 2600 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 29 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AO3402 | 0,4600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 4A (Ta) | 2,5 V, 10 V | 55 mOhm a 4 A, 10 V | 1,4 V a 250 µA | 4,34 nC a 4,5 V | ±12V | 390 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | |||||||||||||||
![]() | AO4443 | 0,3015 | ![]() | 3382 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 40 V | 6A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 42 mOhm a 6 A, 10 V | 2,6 V a 250 µA | 22 nC a 10 V | ±20 V | 1175 pF a 20 V | - | 3,1 W (Ta) | |||||||||||||||
![]() | AON7402 | - | ![]() | 9107 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON740 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 30 V | 13,5 A (Ta), 39 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 10 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 17,8 nC a 10 V | ±20 V | 770 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 26 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOD256_001 | - | ![]() | 6662 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD25 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 150 V | 3A (Ta), 19A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 85 mOhm a 10 A, 10 V | 2,8 V a 250 µA | 22 nC a 10 V | ±20 V | 1165 pF a 75 V | - | 2,5 W (Ta), 83 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AON7502 | 0,2537 | ![]() | 1940 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON75 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 30 V | 21A (Ta), 30A (Tc) | 6 V, 10 V | 4,7 mOhm a 20 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 22 nC a 10 V | ±25 V | 1022 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 31 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AON7702B | - | ![]() | 5533 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SRFET™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON77 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 30 V | 13,5 A (Ta), 20 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 9,5 mOhm a 13,5 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 24 nC a 10 V | ±20 V | 810 pF a 15 V | Diodo Schottky (corpo) | 3,1 W (Ta), 23 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AO4448L | - | ![]() | 2654 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 80 V | 10A (Ta) | 7 V, 10 V | 16 mOhm a 10 A, 10 V | 4,2 V a 250 µA | 34 nC a 10 V | ±25 V | 2005 pF a 40 V | - | 3,1 W (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AOC3844 | - | ![]() | 1442 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | AOC384 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AOC3844TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOD280A60 | 2.0100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | aMOS5™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD280 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 600 V | 14A (Tc) | 10 V | 280 mOhm a 7 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 23,5 nC a 10 V | ±20 V | 1350 pF a 100 V | - | 138 W(Tc) |

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