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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
AO4946	-	Richiesta di offerta	9155	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO494	MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		30 V	-		16 mOhm a 8,6 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	31nC a 10 V		1885 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOD452	-	Richiesta di offerta	1103	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD45	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	25 V	55A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,5 mOhm a 30 A, 10 V	3 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	1476 pF a 12,5 V	-	2,5 W (Ta), 51,5 W (Tc)
AOT410L	2.7900	Richiesta di offerta	2806	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SDMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT410	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1237-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	100 V	12A (Ta), 150A (Tc)	7 V, 10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 250 µA	129 nC a 10 V	±25 V	7950 pF a 50 V	-	1,9 W (Ta), 333 W (Tc)
AON7403L_001	-	Richiesta di offerta	2709	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON740	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		Canale P	30 V	11A (Ta), 29A (Tc)	5 V, 10 V	18 mOhm a 8 A, 10 V	3 V a 250 µA	24 nC a 15 V	±25 V	1400 pF a 15 V	-	4,1 W (Ta), 25 W (Tc)
AO8801	-	Richiesta di offerta	3315	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	AO880	MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W	8-TSSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)		20 V	4,7A		42 mOhm a 4,7 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	17,2 nC a 4,5 V		1450 pF a 10 V	-
AO4302	-	Richiesta di offerta	8308	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO43	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	23A (Ta)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	63 nC a 10 V	±20 V	3470 pF a 15 V	-	3,6 W(Ta)
AONS36314	0,8000	Richiesta di offerta	1	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONS363	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	36,5 A (Ta), 85 A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,9 mOhm a 20 A, 10 V	1,9 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±12V	1890 pF a 15 V	-	6,2 W (Ta), 42 W (Tc)
AON7400AL_102	-	Richiesta di offerta	5075	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AON740	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (3x3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	30 V	15A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1380 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta), 25 W (Tc)
AOTF8N50_003	-	Richiesta di offerta	2581	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-	-	-	AOTF8	MOSFET (ossido di metallo)		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		-	-	-	-		-		-	-
AON7400AL_103	-	Richiesta di offerta	9350	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AON740	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	30 V	15A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1380 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta), 25 W (Tc)
AOB66811L	3.0700	Richiesta di offerta	9285	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT2™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB66811	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOB66811L	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	80 V	44A (Ta), 140A (Tc)	8 V, 10 V	2,7 mOhm a 20 A, 10 V	3,8 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	5750 pF a 40 V	-	10 W (Ta), 310 W (Tc)
AOWF10N65	0,7871	Richiesta di offerta	5517	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOWF10	MOSFET (ossido di metallo)		TO-262F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	650 V	10A (Tc)	10 V	1 Ohm a 5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	33 nC a 10 V	±30 V	1645 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
AO4801AL_001	-	Richiesta di offerta	1173	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO480	MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali P (doppio)		30 V	5A		48 mOhm a 5 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	9nC a 4,5 V		780 pF a 15 V	Porta a livello logico
AO6604_001	-	Richiesta di offerta	8749	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO660	MOSFET (ossido di metallo)	1,1 W	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Canali N e P		20 V	3,4 A, 2,5 A		60 mOhm a 3,4 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	3,8 nC a 4,5 V		320 pF a 10 V	Porta a livello logico
AOD518	-	Richiesta di offerta	1160	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD51	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	30 V	15A (Ta), 54A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 20 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	22,5 nC a 10 V	±20 V	951 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
AO3481	-	Richiesta di offerta	8474	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AO3481TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	4A (Ta)	2,5 V, 10 V	50 mOhm a 4 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±12V	645 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)
AOB1100L	2.2310	Richiesta di offerta	2772	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB1100	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	100 V	8A (Ta), 130A (Tc)	10 V	11,7 mOhm a 20 A, 10 V	3,8 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	4833 pF a 25 V	-	2,1 W (Ta), 500 W (Tc)
AON6560	1.0107	Richiesta di offerta	7361	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON656	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	84A (Ta), 200A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,62 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	325 nC a 10 V	±20 V	11.500 pF a 15 V	-	7,3 W (Ta), 208 W (Tc)
AON5802BG	-	Richiesta di offerta	2188	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WFDFN Tampone esposto	AON5802	MOSFET (ossido di metallo)	3,1 W (Ta)	6-DFN-EP (2x5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AON5802BGTR	EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N (doppio)		30 V	10A (Ta)		18 mOhm a 7 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	32nC a 10 V		1050 pF a 15 V	-
AON6850	0,8165	Richiesta di offerta	7098	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SDMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON685	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W	8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		100 V	5A		35 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	29nC a 10V		1840 pF a 50 V	-
AOT13N50	0,8770	Richiesta di offerta	3075	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT13	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	500 V	13A(Tc)	10 V	510 mOhm a 6,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±30 V	1633 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
AOU7S65	-	Richiesta di offerta	1718	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	AOU7	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN	600 V	7A(Tc)	10 V	650 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	9,2 nC a 10 V	±30 V	434 pF a 100 V	-	89 W(Tc)
AOM065V120X2Q	12.3888	Richiesta di offerta	2408	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4	AOM065	SiC (transistor alla giunzione in carburo di silicio)		TO-247-4L	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOM065V120X2Q	EAR99	8541.29.0095	240		CanaleN	1200 V	40,3 A(Tc)	15 V	85 mOhm a 10 A, 15 V	3,5 V a 10 mA	62,3 nC a 15 V	+15 V, -5 V	1716 pF a 800 V	-	187,5 W(Ta)
AOTF25S65	2.0360	Richiesta di offerta	7494	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF25	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	650 V	25A (Tc)	10 V	190 mOhm a 12,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	26,4 nC a 10 V	±30 V	1278 pF a 100 V	-	50 W (Tc)
AIM5C05B060NH	5.6560	Richiesta di offerta	8903	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Design non per nuovi			-	AIM5C05				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			0000.00.0000	90
AO6801E	-	Richiesta di offerta	3598	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO680	MOSFET (ossido di metallo)	700 mW	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)		30 V	2A		110 mOhm a 2 A, 10 V	1,5 V a 250 µA	12nC a 10V		305 pF a 15 V	Porta a livello logico
AON7758_001	-	Richiesta di offerta	6233	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	AON77	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3,3x3,3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	30 V	36A (Ta), 75A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,85 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±12V	5200 pF a 15 V	-	4,2 W (Ta), 34 W (Tc)
AOI2606	-	Richiesta di offerta	7767	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	AOI260	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251A	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1721-5	EAR99	8541.29.0095	70		CanaleN	60 V	14A (Ta), 46A (Tc)	10 V	6,8 mOhm a 20 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	4050 pF a 30 V	-	2,5 W (Ta), 150 W (Tc)
AON6413_101	-	Richiesta di offerta	1721	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON641	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	22A (Ta), 32A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,5 mOhm a 16 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	58 nC a 10 V	±25 V	2142 pF a 15 V	-	6,2 W (Ta), 48 W (Tc)
AON7428	0,4986	Richiesta di offerta	9008	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	AON742	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	34A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	3120 pF a 15 V	-	6,2 W (Ta), 83 W (Tc)