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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AOTF13N50_002	-	Richiesta di offerta	2001	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF13		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-			REACH Inalterato	785-AOTF13N50_002			1		CanaleN		500 V	13A(Tc)	10 V	510 mOhm a 6,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±30 V	1633 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
AON4605	-	Richiesta di offerta	1857	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AON460		MOSFET (ossido di metallo)	1,9 W	8-DFN (3x2)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P			30 V	4,3 A, 3,4 A		50 mOhm a 4,3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	5nC a 10V		210 pF a 15 V	Porta a livello logico
AO6602	0,1804	Richiesta di offerta	8907	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO660		MOSFET (ossido di metallo)	1,15 W(Ta)	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AO6602TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P complementari			30 V	3,5 A(Ta), 2,7 A(Ta)		50 mOhm a 3,5 A, 10 V, 100 mOhm a 2,7 A, 10 V	2,5 V a 250 µA, 2,4 V a 250 µA	5nC a 10 V, 5,2 nC a 10 V		210pF a 15V, 240pF a 15V	Standard
AOK20B65M1	2.5630	Richiesta di offerta	3797	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	OK20	Standard		227 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	240			400 V, 20 A, 15 Ohm, 15 V											322 ns	-	650 V	40A	60A	2,15 V a 15 V, 20 A	470μJ (acceso), 270μJ (spento)	46 nC	26ns/122ns
AOW2918	-	Richiesta di offerta	4640	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOW29		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1380-5	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		100 V	13A (Ta), 90A (Tc)	10 V	7 mOhm a 20 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	53 nC a 10 V	±20 V	3430 pF a 50 V	-	2,1 W (Ta), 267 W (Tc)
AO4260	-	Richiesta di offerta	4780	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO42		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	18A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,2 mOhm a 18 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	4940 pF a 30 V	-	3,1 W (Ta)
AO4924	-	Richiesta di offerta	9960	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO492		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			30 V	-		15,8 mOhm a 9 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	31nC a 10 V		1885 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOW20S60	1.7111	Richiesta di offerta	3533	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOW20		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	199 mOhm a 10 A, 10 V	4,1 V a 250 µA	19,8 nC a 10 V	±30 V	1038 pF a 100 V	-	266 W(Tc)
AO4447AL_201	-	Richiesta di offerta	9778	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	17A (Ta)	4 V, 10 V	7 mOhm a 17 A, 10 V	1,6 V a 250 µA	105 nC a 10 V	±20 V	5500 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AOT10T60L	-	Richiesta di offerta	7918	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1635-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	10A (Tc)	10 V	700 mOhm a 5 A, 10 V	5 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±30 V	1346 pF a 100 V	-	208 W(Tc)
AOT360A70L	2.0100	Richiesta di offerta	7484	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT360		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOT360A70L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		700 V	12A (Tc)	10 V	360 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	22,5 nC a 10 V	±20 V	1360 pF a 100 V	-	156 W(Tc)
AO5804E	-	Richiesta di offerta	9253	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	AO580		MOSFET (ossido di metallo)	280 mW	SC-89-6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)			20 V	500mA		550 mOhm a 500 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1nC a 4,5 V		45 pF a 10 V	Porta a livello logico
AON6405_102	-	Richiesta di offerta	4761	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON640		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AON6405_102TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	28A (Ta), 30A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,2 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	130 nC a 10 V	±20 V	5020 pF a 15 V	-	6,2 W (Ta), 104 W (Tc)
AOE6930	2.2500	Richiesta di offerta	2227	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-VDFN	AOE693		MOSFET (ossido di metallo)	24 W, 75 W	8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio) asimmetrico			30 V	22A (Tc), 85A (Tc)		4,3 mOhm a 20 A, 10 V, 0,83 mOhm a 30 A, 10 V	2,1 V a 250 µA, 1,9 V a 250 µA	15nC a 4,5 V, 65nC a 4,5 V		1075pF a 15V, 5560pF a 15V	-
AOTF5B65M2	0,6659	Richiesta di offerta	4821	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaIGBT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF5	Standard		25 W	TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOTF5B65M2TR	EAR99	8541.29.0095	1.000			400 V, 5 A, 60 Ohm, 15 V												-	650 V	10A	15A	1,98 V a 15 V, 5 A	80μJ (acceso), 70μJ (spento)	14 nC	8,5 n/106 n
AON6290	2.8900	Richiesta di offerta	8	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	28A (Ta), 85A (Tc)	6 V, 10 V	4,6 mOhm a 20 A, 10 V	3,4 V a 250 µA	90 nC a 10 V	±20 V	4600 pF a 50 V	-	7,3 W (Ta), 208 W (Tc)
AOTF11N60	-	Richiesta di offerta	5601	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF11		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-			REACH Inalterato	785-AOTF11N60			1		CanaleN		600 V	11A	10 V	650 mOhm a 5,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	30,6 nC a 10 V	±30 V	1656 pF a 25 V	-	50 W
AON6266_101	-	Richiesta di offerta	2324	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±20 V	1340 pF a 30 V	-	38 W (Tc)
AOD2N100M	-	Richiesta di offerta	9469	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	-	-	AOD2		MOSFET (ossido di metallo)		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			-	-	-	-		-		-	-
AO6409	0,4400	Richiesta di offerta	14	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO640		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		20 V	5,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	45 mOhm a 5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	17,2 nC a 4,5 V	±8 V	1450 pF a 10 V	-	2,1 W (Ta)
AON6266	-	Richiesta di offerta	3835	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		60 V	13A (Ta), 30A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1340 pF a 30 V	-	5 W (Ta), 38 W (Tc)
AOW10T60	-	Richiesta di offerta	4344	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOW10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		600 V	10A (Tc)	10 V	700 mOhm a 5 A, 10 V	5 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±30 V	1346 pF a 100 V	-	208 W(Tc)
AO4447	-	Richiesta di offerta	6167	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	15A (Ta)	4 V, 10 V	7,5 mOhm a 15 A, 10 V	1,6 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	6600 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AO4423L_102	-	Richiesta di offerta	5526	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	15A (Ta)	6 V, 20 V	7 mOhm a 15 A, 20 V	3,5 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±25 V	5560 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AOB1404L	1.1264	Richiesta di offerta	9065	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB1404		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		40 V	15A (Ta), 220A (Tc)	10 V	3,9 mOhm a 20 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	86 nC a 10 V	±20 V	4300 pF a 20 V	-	2,1 W (Ta), 417 W (Tc)
AOC2423	-	Richiesta di offerta	4350	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	AOC24		MOSFET (ossido di metallo)		4-AlfaDFN (0,97x0,97)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000		Canale P		20 V	2A (Ta)	2,5 V, 10 V	80 mOhm a 1 A, 10 V	1,2 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±12V	470 pF a 10 V	-	600mW(Ta)
AO4407A_102	-	Richiesta di offerta	3169	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		30 V	12A (Ta)	6 V, 20 V	11 mOhm a 12 A, 20 V	3 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±25 V	2600 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AO4862	0,1473	Richiesta di offerta	4389	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO486		MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			30 V	4,5 A		50 mOhm a 4,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10nC a 10V		200 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOI4185	0,3213	Richiesta di offerta	4379	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	AOI41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-251A	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.500		Canale P		40 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 250 µA	55 nC a 10 V	±20 V	2550 pF a 20 V	-	2,5 W (Ta), 62,5 W (Tc)
AOTF12N50_006	-	Richiesta di offerta	6048	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF12		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-			REACH Inalterato	785-AOTF12N50_006			1		CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	520 mOhm a 6 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±30 V	1633 pF a 25 V	-	50 W (Tc)