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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AO3422L_103	-	Richiesta di offerta	9109	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		55 V	2.1A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	160 mOhm a 2,1 A, 4,5 V	2 V a 250 µA	3,3 nC a 4,5 V	±12V	300 pF a 25 V	-	1,25 W(Ta)
AO4435_102	-	Richiesta di offerta	7624	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		30 V	10,5A(Ta)	5 V, 20 V	14 mOhm a 11 A, 20 V	3 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±25 V	1400 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AOB2502L	-	Richiesta di offerta	4437	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB2502		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		150 V	106A(Tc)	10 V	10,7 mOhm a 20 A, 10 V	5,1 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	3010 pF a 75 V	-	277 W(Tc)
AOD2N60	0,6800	Richiesta di offerta	14	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD2		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		600 V	2A(Tc)	10 V	4,4 Ohm a 1 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	11 nC a 10 V	±30 V	325 pF a 25 V	-	56,8 W(Tc)
AOD4158	-	Richiesta di offerta	9542	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		30 V	46A(Tc)	10 V	9 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V	1500 pF a 15 V	-	32 W (Tc)
AON7404G	0,5800	Richiesta di offerta	2201	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON740		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		20 V	20A (Ta), 20A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	5,3 mOhm a 20 A, 4,5 V	1,25 V a 250 µA	45 nC a 4,5 V	±12V	3300 pF a 10 V	-	5 W (Ta), 28 W (Tc)
AOB10B65M1	1.2466	Richiesta di offerta	1149	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB10	Standard		150 W	TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			400 V, 10 A, 30 Ohm, 15 V											262 nn	-	650 V	20A	30A	2 V a 15 V, 10 A	180μJ (acceso), 130μJ (spento)	24 nC	12ns/91ns
AOT2140L	1.4781	Richiesta di offerta	4950	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT2140		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOT2140LTR	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		40 V	57A (Ta), 195A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	9985 pF a 20 V	-	8,3 W (Ta), 272 W (Tc)
AOB600A70L	1.2660	Richiesta di offerta	3294	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB600		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		700 V	8,5 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 2,5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	15,5 nC a 10 V	±20 V	870 pF a 100 V	-	104 W(Tc)
AON5802B	-	Richiesta di offerta	6842	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WFDFN Tampone esposto	AON5802		MOSFET (ossido di metallo)	1,6 W	6-DFN-EP (2x5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000	Scarico comune a 2 canali N (doppio).			30 V	7.2A		19 mOhm a 7 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	24nC a 10V		1150 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOTF125A60L	2.3211	Richiesta di offerta	3791	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF125		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOTF125A60L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	28A(Tj)	10 V	125 mOhm a 14 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2993 pF a 100 V	-	36 W (Tc)
AOI2NL60	-	Richiesta di offerta	5407	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta				AOI2					-			REACH Inalterato	785-AOI2NL60			1
AOT5B60D	0,8115	Richiesta di offerta	3462	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT5	Standard		82,4 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1595-5	EAR99	8541.29.0095	50			400 V, 5 A, 60 Ohm, 15 V											98 ns	-	600 V	23A	20A	1,8 V a 15 V, 5 A	140μJ (acceso), 40μJ (spento)	9,4 nC	12ns/83ns
AOTF290L	1.9757	Richiesta di offerta	5726	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF290		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		100 V	72A(Tc)	10 V	4,2 mOhm a 20 A, 10 V	4,1 V a 250 µA	126 nC a 10 V	±20 V	7180 pF a 50 V	-	48 W(Tc)
AO6424A	-	Richiesta di offerta	8237	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO642		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	6,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	35 mOhm a 5 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	270 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
AOTF13N50_002	-	Richiesta di offerta	2001	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF13		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-			REACH Inalterato	785-AOTF13N50_002			1		CanaleN		500 V	13A(Tc)	10 V	510 mOhm a 6,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±30 V	1633 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
AO4498	0,2634	Richiesta di offerta	1800	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	18A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 18 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	44,5 nC a 10 V	±20 V	2300 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AOTF15S60	-	Richiesta di offerta	8341	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF15		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-			REACH Inalterato	785-AOTF15S60			1		CanaleN		600 V	15A (Tc)	10 V	290 mOhm a 7,5 A, 10 V	3,8 V a 250 µA	15,6 nC a 10 V	±30 V	717 pF a 100 V	-	27,8 W(Tc)
AOK60B65HQ3	2.5038	Richiesta di offerta	6837	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaIGBT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOK60	Standard		500 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOK60B65HQ3	EAR99	8541.29.0095	240			400 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V											106 nn	-	650 V	120A	180A	2,5 V a 15 V, 60 A	2,21 mJ (acceso), 1,2 mJ (spento)	84 nC	36ns/157ns
AON6411	1.6800	Richiesta di offerta	124	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON641		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		20 V	47A (Ta), 85A (Tc)	2,5 V, 10 V	2,1 mOhm a 20 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	330 nC a 10 V	±12V	10290 pF a 10 V	-	7,3 W (Ta), 156 W (Tc)
AO4800BL	-	Richiesta di offerta	6723	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO480		MOSFET (ossido di metallo)	1,9 W(Ta)	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AO4800BLTR	EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			30 V	6,9A(Ta)		27 mOhm a 6,9 A, 10 V	1,5 V a 250 µA	12nC a 4,5 V		1.100 pF a 15 V	-
AOD3N60	0,8000	Richiesta di offerta	2	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		600 V	2,5 A (TC)	10 V	3,5 Ohm a 1,25 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±30 V	370 pF a 25 V	-	56,8 W(Tc)
AOD403_030	-	Richiesta di offerta	2626	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD40		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		30 V	15A (Ta), 70A (Tc)	10 V, 20 V	6,2 mOhm a 20 A, 20 V	3,5 V a 250 µA	61 nC a 10 V	±25 V	3500 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 90 W (Tc)
AOD4128	-	Richiesta di offerta	9483	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		25 V	60A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±20 V	4300 pF a 12,5 V	-	2 W (Ta), 75 W (Tc)
AOD4185L_003	-	Richiesta di offerta	4605	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD418		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		40 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 250 µA	18,6 nC a 4,5 V	±20 V	2550 pF a 20 V	-	62,5 W(Tc)
AOT10T60L	-	Richiesta di offerta	7918	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1635-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	10A (Tc)	10 V	700 mOhm a 5 A, 10 V	5 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±30 V	1346 pF a 100 V	-	208 W(Tc)
AOW20S60	1.7111	Richiesta di offerta	3533	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOW20		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	199 mOhm a 10 A, 10 V	4,1 V a 250 µA	19,8 nC a 10 V	±30 V	1038 pF a 100 V	-	266 W(Tc)
AOT360A70L	2.0100	Richiesta di offerta	7484	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT360		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOT360A70L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		700 V	12A (Tc)	10 V	360 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	22,5 nC a 10 V	±20 V	1360 pF a 100 V	-	156 W(Tc)
AON4605	-	Richiesta di offerta	1857	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AON460		MOSFET (ossido di metallo)	1,9 W	8-DFN (3x2)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P			30 V	4,3 A, 3,4 A		50 mOhm a 4,3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	5nC a 10V		210 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOTF10N62	-	Richiesta di offerta	5940	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				AOTF10					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOTF10N62TR	OBSOLETO		1.000					-