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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AOT7N60_001 | - | ![]() | 6902 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT7 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | - | REACH Inalterato | 785-AOT7N60_001 | 1 | CanaleN | 600 V | 7A(Tc) | 10 V | 1,2 Ohm a 3,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 28 nC a 10 V | ±30 V | 1035 pF a 25 V | - | 192 W(Tc) | |||||||
![]() | AOTF7N60_DELTA | - | ![]() | 7066 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF7 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | - | REACH Inalterato | 785-AOTF7N60_DELTA | 1 | CanaleN | 600 V | 7A(Tc) | 10 V | 1,2 Ohm a 3,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 28 nC a 10 V | ±30 V | 1035 pF a 25 V | - | 38,5 W(Tc) | |||||||
![]() | AO4606L | - | ![]() | 2830 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO46 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canali N e P complementari | 30 V | 6A | 30 mOhm a 6 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 6nC a 10V | 310 pF a 15 V | - | |||||||
![]() | AOB600A70FL | 1.2660 | ![]() | 2952 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | aMOS5™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | AOB600 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 (D2Pak) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 700 V | 8,5 A(Tc) | 10 V | 600 mOhm a 2,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 14,5 nC a 10 V | ±20 V | 900 pF a 100 V | - | 104 W(Tc) | ||||
| AOW20C60 | - | ![]() | 2513 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | AOW20 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-262 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 20A (Tc) | 10 V | 250 mOhm a 10 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 74 nC a 10 V | ±30 V | 3440 pF a 100 V | - | 463 W(Tc) | ||||||
![]() | AOT480L | 1.3703 | ![]() | 5260 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT480 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 80 V | 15A (Ta), 180A (Tc) | 7 V, 10 V | 4,5 mOhm a 20 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 140 nC a 10 V | ±25 V | 7820 pF a 40 V | - | 1,9 W (Ta), 333 W (Tc) | ||||
![]() | AO4290A | 0,7088 | ![]() | 6606 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO42 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 100 V | 15,5A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 6,4 mOhm a 15,5 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 95 nC a 10 V | ±20 V | 4525 pF a 50 V | - | 3,1 W (Ta) | ||||
![]() | AOI472A | - | ![]() | 7043 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak | AOI472 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-251A | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | CanaleN | 25 V | 18A (Ta), 46A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 33 nC a 10 V | ±20 V | 1333 pF a 15 V | - | 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) | |||||
![]() | AONS30300 | 1.2862 | ![]() | 1110 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AONS303 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AONS30300TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 88A (Ta), 710A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 0,58 mOhm a 20 A, 10 V | 1,6 V a 250 µA | 150 nC a 10 V | ±20 V | 12215 pF a 15 V | - | 7,5 W (Ta), 483 W (Tc) | ||||
![]() | AOD413 | - | ![]() | 8609 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD41 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 40 V | 24A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 45 mOhm a 12 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 14,1 nC a 10 V | ±20 V | 850 pF a 20 V | - | 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) | |||||
![]() | AONS66919 | 1.5500 | ![]() | 1159 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AONS669 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 23A (Ta), 85A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,9 mOhm a 20 A, 10 V | 2,6 V a 250 µA | 66 nC a 10 V | ±20 V | 3420 pF a 50 V | - | 6,2 W (Ta), 113 W (Tc) | |||||
| AON6362FD | - | ![]() | 5894 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON63 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AON6362FDTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 27A (Ta), 60A (Tc) | 5,2 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 13 nC a 10 V | ±20 V | 820 pF a 15 V | - | 6,2 W (Ta), 31 W (Tc) | |||||
![]() | AOCA32317 | 0,3699 | ![]() | 2285 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 10-SMD, senza piombo | AOCA323 | MOSFET (ossido di metallo) | 3,1 W (Ta) | 10-AlfaDFN (3,37x1,47) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AOCA32317TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Scarico comune a 2 canali N (doppio). | 30 V | 17A (Ta) | 7,3 mOhm a 5 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 70nC a 10V | - | Standard | ||||||
![]() | AOTF11C60P | - | ![]() | 4442 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF11 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 11A(Tc) | 10 V | 400 mOhm a 5,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 50 nC a 10 V | ±30 V | 2333 pF a 100 V | - | 50 W (Tc) | ||||
![]() | AONS66615 | 1.1100 | ![]() | 5640 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AONS666 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 31A (Ta), 85A (Tc) | 8 V, 10 V | 3,5 mOhm a 20 A, 10 V | 3,8 V a 250 µA | 55 nC a 10 V | ±20 V | 2710 pF a 30 V | - | 6,2 W (Ta), 78 W (Tc) | ||||
| AOW25S65 | 2.1506 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | aMOS™ | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | AOW25 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-262 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 650 V | 25A (Tc) | 10 V | 190 mOhm a 12,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 26,4 nC a 10 V | ±30 V | 1278 pF a 100 V | - | 357 W(Tc) | |||||
![]() | AO4449_101 | - | ![]() | 2292 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AO4449_101TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 7A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 34 mOhm a 7 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 16 nC a 10 V | ±20 V | 760 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | |||
![]() | AO4447A_103 | - | ![]() | 2376 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AO4447A_103TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 18,5A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 5,8 mOhm a 18,5 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 130 nC a 10 V | ±20 V | 5020 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | |||
![]() | AON6264C | 0,3032 | ![]() | 1462 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON62 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AON6264CTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 14,5 A (Ta), 24 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 13,2 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 21 nC a 10 V | ±20 V | 895 pF a 30 V | - | 5 W (Ta), 26 W (Tc) | ||||
![]() | AOD442G | 0,7600 | ![]() | 222 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD44 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 60 V | 13A (Ta), 40A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 18 mOhm a 20 A, 10 V | 2,7 V a 250 µA | 68 nC a 10 V | ±20 V | 1920 pF a 30 V | - | 6,2 W (Ta), 60 W (Tc) | ||||
| AON6508_101 | - | ![]() | 1211 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaMOS | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON650 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 29A (Ta), 32A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,2 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 49 nC a 10 V | ±20 V | 2010 pF a 15 V | - | 4,2 W (Ta), 41 W (Tc) | ||||||
| AO8807 | - | ![]() | 3053 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | AO880 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,4 W | 8-TSSOP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali P (doppio) | 12V | 6,5 A | 20 mOhm a 6,5 A, 4,5 V | 850mV a 250μA | 23nC a 4,5 V | 2100 pF a 6 V | Porta a livello logico | ||||||||
![]() | AOT266L | 2.4200 | ![]() | 865 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT266 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-1415-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 60 V | 18A (Ta), 140A (Tc) | 6 V, 10 V | 3,5 mOhm a 20 A, 10 V | 3,2 V a 250 µA | 90 nC a 10 V | ±20 V | 5650 pF a 30 V | - | 2,1 W (Ta), 268 W (Tc) | |||
| AOWF11S60 | 1.1876 | ![]() | 5151 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | aMOS™ | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | AOWF11 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-262F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 11A(Tc) | 10 V | 399 mOhm a 3,8 A, 10 V | 4,1 V a 250 µA | 11 nC a 10 V | ±30 V | 545 pF a 100 V | - | 28 W (Tc) | |||||
![]() | AOT12N65_001 | - | ![]() | 4142 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT12 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 650 V | 12A (Tc) | 10 V | 720 mOhm a 6 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 48 nC a 10 V | ±30 V | 2150 pF a 25 V | - | 278 W(Tc) | |||||
![]() | AON7596 | - | ![]() | 2630 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | AON75 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AON7596TR | OBSOLETO | 5.000 | - | |||||||||||||||||||
| AON6428 | - | ![]() | 7523 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON642 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 11A (Ta), 43A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 10 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 17,8 nC a 10 V | ±20 V | 770 pF a 15 V | - | 2 W (Ta), 30 W (Tc) | |||||
| AON6510 | 0,5800 | ![]() | 391 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON651 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 28A (Ta), 32A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,4 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 42 nC a 10 V | ±20 V | 2160 pF a 15 V | - | 5 W (Ta), 46 W (Tc) | ||||||
![]() | AON6758_101 | - | ![]() | 2874 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaMOS | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | AON67 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 27A (Ta), 32A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,6 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 40 nC a 10 V | ±20 V | 1975 pF a 15 V | Diodo Schottky (corpo) | 4,1 W (Ta), 41 W (Tc) | ||||
![]() | AOTF10T60P | - | ![]() | 9190 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF10 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 10A (Tc) | 10 V | 700 mOhm a 5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 40 nC a 10 V | ±30 V | 1595 pF a 100 V | - | 43 W (Tc) |

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