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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AOB190A60CL	2.8400	Richiesta di offerta	1	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB190		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 7,6 A, 10 V	4,6 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±30 V	1935 pF a 100 V	-	208 W(Tc)
AOTL66608	6.8600	Richiesta di offerta	13	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSFN	AOTL666		MOSFET (ossido di metallo)		TOLLA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		60 V	73,5 A (Ta), 400 A (Tc)	6 V, 10 V	0,85 mOhm a 20 A, 10 V	3,3 V a 250 µA	300 nC a 10 V	±20 V	14200 pF a 30 V	-	8,3 W (Ta), 500 W (Tc)
AOB66918L	4.3664	Richiesta di offerta	8306	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB66918		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOB66918LTR	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		100 V	33A (Ta), 120A (Tc)	8 V, 10 V	5 mOhm a 20 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	105 nC a 10 V	±20 V	6500 pF a 50 V	-	10 W (Ta), 375 W (Tc)
AONS66909	1.4206	Richiesta di offerta	7234	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONS669		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AONS66909TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	30A (Ta), 160A (Tc)	8 V, 10 V	4,2 mOhm a 20 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	4100 pF a 50 V	-	7,3 W (Ta), 208 W (Tc)
AOD442G	0,7600	Richiesta di offerta	222	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD44		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		60 V	13A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	18 mOhm a 20 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	68 nC a 10 V	±20 V	1920 pF a 30 V	-	6,2 W (Ta), 60 W (Tc)
AO8807	-	Richiesta di offerta	3053	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	AO880		MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W	8-TSSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)			12V	6,5 A		20 mOhm a 6,5 A, 4,5 V	850mV a 250μA	23nC a 4,5 V		2100 pF a 6 V	Porta a livello logico
AOT266L	2.4200	Richiesta di offerta	865	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT266		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1415-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		60 V	18A (Ta), 140A (Tc)	6 V, 10 V	3,5 mOhm a 20 A, 10 V	3,2 V a 250 µA	90 nC a 10 V	±20 V	5650 pF a 30 V	-	2,1 W (Ta), 268 W (Tc)
AON6508_101	-	Richiesta di offerta	1211	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON650		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	29A (Ta), 32A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,2 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	49 nC a 10 V	±20 V	2010 pF a 15 V	-	4,2 W (Ta), 41 W (Tc)
AON7596	-	Richiesta di offerta	2630	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				AON75					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AON7596TR	OBSOLETO		5.000					-
AOWF11S60	1.1876	Richiesta di offerta	5151	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOWF11		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		600 V	11A(Tc)	10 V	399 mOhm a 3,8 A, 10 V	4,1 V a 250 µA	11 nC a 10 V	±30 V	545 pF a 100 V	-	28 W (Tc)
AOT12N65_001	-	Richiesta di offerta	4142	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT12		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		650 V	12A (Tc)	10 V	720 mOhm a 6 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	48 nC a 10 V	±30 V	2150 pF a 25 V	-	278 W(Tc)
AONS66919	1.5500	Richiesta di offerta	1159	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONS669		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	23A (Ta), 85A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,9 mOhm a 20 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	3420 pF a 50 V	-	6,2 W (Ta), 113 W (Tc)
AOD413	-	Richiesta di offerta	8609	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		40 V	24A (Ta)	4,5 V, 10 V	45 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	14,1 nC a 10 V	±20 V	850 pF a 20 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
AO4290A	0,7088	Richiesta di offerta	6606	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO42		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		100 V	15,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	6,4 mOhm a 15,5 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	95 nC a 10 V	±20 V	4525 pF a 50 V	-	3,1 W (Ta)
AO4286	0,2299	Richiesta di offerta	2204	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO42		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	4A(Tc)	4,5 V, 10 V	68 mOhm a 4 A, 10 V	2,9 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±20 V	390 pF a 50 V	-	2,5 W(Ta)
AON7240	0,5027	Richiesta di offerta	7627	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON72		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		40 V	19A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,1 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V	2200 pF a 20 V	-	3,1 W (Ta), 36,7 W (Tc)
AONS66407	2.3200	Richiesta di offerta	4323	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONS664		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		40 V	69A (Ta), 310A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,85 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	162 nC a 10 V	±20 V	9030 pF a 20 V	-	7,3 W (Ta), 215 W (Tc)
AO4476A	0,6800	Richiesta di offerta	109	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	15A (Ta)	4,5 V, 10 V	7,7 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1380 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AONS66405	1.0512	Richiesta di offerta	2326	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONS664		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AONS66405TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		40 V	68A (Ta), 310A (Tc)	8 V, 10 V	0,95 mOhm a 20 A, 10 V	3,4 V a 250 µA	165 nC a 10 V	±20 V	9700 pF a 20 V	-	7,3 W (Ta), 215 W (Tc)
AON6240	2.0100	Richiesta di offerta	36	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		40 V	27A (Ta), 85A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,6 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	88 nC a 10 V	±20 V	6550 pF a 20 V	-	2,3 W (Ta), 83 W (Tc)
AON6514	-	Richiesta di offerta	1569	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON651		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	23A (Ta), 30A (Tc)	4,5 V, 10 V	5 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	22,5 nC a 10 V	±20 V	951 pF a 15 V	-	4,1 W (Ta), 25 W (Tc)
AO4312	-	Richiesta di offerta	6773	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO43		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		36 V	23A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±20 V	2345 pF a 18 V	-	4,2 W(Ta)
AO6409A_102	-	Richiesta di offerta	9120	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				AO640					scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000					5,5A(Ta)
AO3401A	0,4600	Richiesta di offerta	1	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	4A (Ta)	2,5 V, 10 V	44 mOhm a 4,3 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	12,2 nC a 4,5 V	±12V	1200 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)
AO4304_001	-	Richiesta di offerta	7830	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO43				8-SOIC	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000					-	4,5 V, 10 V				±20 V
AONS21309C	1.0300	Richiesta di offerta	2	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONS213		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	200 nC a 10 V	±20 V	7300 pF a 15 V	-	125 W (Tc)
AON6970_001	-	Richiesta di offerta	4133	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	AON697				8-DFN (5x6)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000					-
AOT10B65M2	2.0500	Richiesta di offerta	837	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT10	Standard		150 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1762	EAR99	8541.29.0095	1.000			400 V, 10 A, 30 Ohm, 15 V											262 ns	-	650 V	20A	30A	2 V a 15 V, 10 A	180μJ (acceso), 130μJ (spento)	24 nC	12ns/91ns
AO4406AL_103	-	Richiesta di offerta	2115	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	13A(Tc)	4,5 V, 10 V	11,5 mOhm a 12 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	910 pF a 15 V	-	3,1 W (TC)
AOU7S60	-	Richiesta di offerta	2077	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	AOU7		MOSFET (ossido di metallo)		TO-251-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	80		CanaleN		600 V	7A(Tc)	10 V	600 mOhm a 3,5 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	8,2 nC a 10 V	±30 V	372 pF a 100 V	-	83 W (Tc)