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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Condizione di prova | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON6578 | 0,4175 | ![]() | 7650 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON657 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 28A (Ta), 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,4 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 30 nC a 10 V | ±20 V | 1340 pF a 15 V | - | 5,6 W (Ta), 35 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AO7400L | - | ![]() | 4128 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | - | - | AO740 | - | - | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | AO4722 | - | ![]() | 3118 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SRFET™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO47 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 8,5A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 14 mOhm a 11,6 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±20 V | 1.100 pF a 15 V | Diodo Schottky (corpo) | 1,7 W (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF15B65M3 | - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | Alfa IGBT™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF15 | Standard | 30 W | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 15 A, 20 Ohm, 15 V | 263 ns | - | 650 V | 30A | 45A | 2,5 V a 15 V, 15 A | 280μJ (acceso), 190μJ (spento) | 25,4 nC | 10ns/68ns | |||||||||||||||
![]() | AO3406_104 | - | ![]() | 4572 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | AO34 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 3,6A(Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOT440L | - | ![]() | 8812 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 | AOT44 | TO-220 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 50 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AON7458 | 0,2226 | ![]() | 6777 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON745 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 250 V | 1,5 A (Ta), 5 A (Tc) | 10 V | 560 mOhm a 1,5 A, 10 V | 4,3 V a 250 µA | 7,2 nC a 10 V | ±30 V | 370 pF a 25 V | - | 3,1 W (Ta), 33 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AO4202L | - | ![]() | 9814 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO42 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 30 V | 19A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 5,3 mOhm a 19 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 35 nC a 10 V | ±20 V | 2200 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AO3409L_102 | - | ![]() | 5244 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 2,6A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 130 mOhm a 2,6 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 9 nC a 10 V | ±20 V | 370 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | |||||||||||||||
![]() | AOC3860 | - | ![]() | 9237 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-XDFN | AOC386 | MOSFET (ossido di metallo) | 2,5 W | 6-DFN (3,05x1,77) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 8.000 | Scarico comune a 2 canali N (doppio). | - | - | - | 900 mV a 250 µA | 44nC a 4,5 V | - | - | |||||||||||||||||
![]() | AO4478 | - | ![]() | 7313 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 9A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 19 mOhm a 9 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 11 nC a 10 V | ±25 V | 560 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AOT190A60L | 1.6067 | ![]() | 9249 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | aMOS5™ | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT190 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 20A (Tc) | 10 V | 170 mOhm a 7,6 A, 10 V | 4,6 V a 250 µA | 34 nC a 10 V | ±20 V | 1935 pF a 100 V | - | 208 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | AO4447A_102 | - | ![]() | 9941 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 30 V | 18,5A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 5,8 mOhm a 18,5 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 130 nC a 10 V | ±20 V | 5020 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | |||||||||||||||
![]() | AO3406L | - | ![]() | 9635 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 3,6A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 50 mOhm a 3,6 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 5 nC a 10 V | ±20 V | 210 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AO4614BL_103 | - | ![]() | 8639 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO4614 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canali N e P | 40 V | 6A, 5A | 30 mOhm a 6 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 10,8 nC a 10 V | 650 pF a 20 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||||||
| AOL1454_001 | - | ![]() | 7012 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-PowerSMD, conduttori piatti | AOL14 | MOSFET (ossido di metallo) | UltraSO-8™ | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 40 V | 12A (Ta), 50A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 9 mOhm a 20 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 22 nC a 10 V | ±20 V | 1920 pF a 20 V | - | 2,1 W (Ta), 60 W (Tc) | |||||||||||||||||
| AON6280 | 2.5300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON62 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 80 V | 17A (Ta), 85A (Tc) | 6 V, 10 V | 4,1 mOhm a 20 A, 10 V | 3,2 V a 250 µA | 82 nC a 10 V | ±20 V | 3930 pF a 40 V | - | 7,3 W (Ta), 83 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AO3419_101 | - | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | AO34 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 3,5A(Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AON6362 | 0,2588 | ![]() | 9691 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON63 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 27A (Ta), 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,2 mOhm a 20 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 13 nC a 10 V | ±20 V | 820 pF a 15 V | - | 6,2 W (Ta), 31 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF18N65L | - | ![]() | 5574 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF18 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 650 V | 18A (Tc) | 10 V | 390 mOhm a 9 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 68 nC a 10 V | ±30 V | 3785 pF a 25 V | - | 50 W (Tc) | |||||||||||||||
| AON6413 | - | ![]() | 5777 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON641 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 22A (Ta), 32A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8,5 mOhm a 16 A, 10 V | 2,7 V a 250 µA | 58 nC a 10 V | ±25 V | 2142 pF a 15 V | - | 6,2 W (Ta), 48 W (Tc) | |||||||||||||||||
| AONS66402 | 0,7174 | ![]() | 5671 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AONS664 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | Q12456119B | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 40 V | 49A (Ta), 85A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,6 mOhm a 20 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 105 nC a 10 V | ±20 V | 5570 pF a 20 V | - | 6,2 W (Ta), 119 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AOD3N50_004 | - | ![]() | 4073 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 500 V | 2,8 A(Tc) | 3 Ohm a 1,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 8 nC a 10 V | 331 pF a 25 V | - | 57 W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | AOT440L_001 | - | ![]() | 5267 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 | AOT44 | TO-220 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 50 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOT7N65 | 0,6127 | ![]() | 5091 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT7 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 650 V | 7A(Tc) | 10 V | 1,56 Ohm a 3,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 23 nC a 10 V | ±30 V | 1060 pF a 25 V | - | 192 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | AO6604 | 0,5200 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | AO660 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,1 W | 6-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canali N e P complementari | 20 V | 3,4 A, 2,5 A | 65 mOhm a 3,4 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 3,8 nC a 4,5 V | 320 pF a 10 V | Porta a livello logico, azionamento da 4,5 V | |||||||||||||||||
![]() | AON7410 | 0,4300 | ![]() | 338 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON741 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 30 V | 9,5 A (Ta), 24 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 20 mOhm a 8 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 12 nC a 10 V | ±20 V | 660 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 20 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AO4724 | - | ![]() | 2228 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SRFET™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO47 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 7,7A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 17,5 mOhm a 10,5 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 16 nC a 10 V | ±20 V | 900 pF a 15 V | Diodo Schottky (corpo) | 1,7 W (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AOB440 | - | ![]() | 7488 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | AOB44 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 60 V | 75A (Tc) | 10 V | 7,5 mOhm a 30 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 88 nC a 10 V | ±20 V | 4560 pF a 30 V | - | 150 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF9N90 | 1.3154 | ![]() | 5988 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF9 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 900 V | 9A (Tc) | 10 V | 1,3 Ohm a 4,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 58 nC a 10 V | ±30 V | 2560 pF a 25 V | - | 50 W (Tc) |

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