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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
AOTF160A60L	3.2400	Richiesta di offerta	615	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF160	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOTF160A60L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	24A(Tj)	10 V	160 mOhm a 12 A, 10 V	3,6 V a 250 µA	46 nC a 10 V	±20 V	2340 pF a 100 V	-	34,7 W(Tc)
AO7408	0,0977	Richiesta di offerta	1915	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	AO740	MOSFET (ossido di metallo)		SC-70-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	20 V	2A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	62 mOhm a 2 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	4 nC a 4,5 V	±8 V	320 pF a 10 V	-	350 mW(Ta)
AONR32320C	0,4400	Richiesta di offerta	13	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AONR32320	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	30 V	9,5 A (Ta), 12 A (Tc)	4,5 V, 10 V	21 mOhm a 9,5 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	650 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta), 11 W (Tc)
AON6586	-	Richiesta di offerta	3582	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON658	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	20A (Ta), 35A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1150 pF a 15 V	-	5 W (Ta), 41 W (Tc)
AON5820_101	-	Richiesta di offerta	7165	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WFDFN Tampone esposto	AON582	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W	6-DFN-EP (2x5)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Scarico comune a 2 canali N (doppio).		20 V	10A		9,5 mOhm a 10 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	15nC a 4,5 V		1510 pF a 10 V	Porta a livello logico
AO4447A_201	-	Richiesta di offerta	8043	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AO4447A_201TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	18,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	5,8 mOhm a 18,5 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	130 nC a 10 V	±20 V	5020 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AONR36326C	0,1538	Richiesta di offerta	2729	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AONR363	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AONR36326CTR	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	30 V	12A (Ta), 12A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,8 mOhm a 12 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±20 V	540 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta), 20,5 W (Tc)
AOTF66919L	0,9678	Richiesta di offerta	4178	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF66919	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOTF66919LTR	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	100 V	25A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	3420 pF a 50 V	-	8,3 W (Ta), 32 W (Tc)
AOK160A60	3.0206	Richiesta di offerta	3390	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOK160	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	600 V	24A (Tc)	10 V	160 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	46 nC a 10 V	±20 V	2340 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
AO5803E	-	Richiesta di offerta	5544	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	AO580	MOSFET (ossido di metallo)	400 mW	SC-89-6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)		20 V	-		800 mOhm a 600 mA, 4,5 V	900 mV a 250 µA	-		100 pF a 10 V	Porta a livello logico
AOD6N50	0,3793	Richiesta di offerta	9640	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD6	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	500 V	5,3 A(Tc)	10 V	1,4 Ohm a 2,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±30 V	670 pF a 25 V	-	104 W(Tc)
AOL1428	-	Richiesta di offerta	2030	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerSMD, conduttori piatti	AOL14	MOSFET (ossido di metallo)		UltraSO-8™	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	12,4 A (Ta), 49 A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V	1000 pF a 15 V	-	2,2 W (Ta), 43 W (Tc)
AON3611	0,6000	Richiesta di offerta	50	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AON361	MOSFET (ossido di metallo)	2,1 W, 2,5 W	8-DFN (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P, scarico comune		30 V	5A, 6A		50 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	10nC a 10V		170 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOD418	-	Richiesta di offerta	2353	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD41	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	30 V	13,5 A (Ta), 36 A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1380 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
AOTF66616L	2.8300	Richiesta di offerta	4	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF66616	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1824	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	60 V	38A (Ta), 72,5A (Tc)	6 V, 10 V	3,3 mOhm a 20 A, 10 V	3,4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	2870 pF a 30 V	-	8,3 W (Ta), 30 W (Tc)
AOK42S60L	6.5200	Richiesta di offerta	1	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOK42S60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	600 V	39A(Tc)	10 V	99 mOhm a 21 A, 10 V	3,8 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±30 V	2154 pF a 100 V	-	417 W(Tc)
AO4468	0,5400	Richiesta di offerta	22	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	10,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	14 mOhm a 11,6 A, 10 V	3 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AOWF600A70	1.0490	Richiesta di offerta	1771	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOWF600	MOSFET (ossido di metallo)		TO-262F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOWF600A70	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	700 V	8,5 A(Tj)	10 V	600 mOhm a 2,5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	15,5 nC a 10 V	±20 V	870 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
AO3459	-	Richiesta di offerta	1941	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AO3459TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	2,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	110 mOhm a 2,6 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	197 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)
AOI508	-	Richiesta di offerta	5889	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	AOI50	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251A	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1457-5	EAR99	8541.29.0095	3.500		CanaleN	30 V	22A (Ta), 70A (Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	49 nC a 10 V	±20 V	2010 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
AON7422G	0,6000	Richiesta di offerta	1604	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON742	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	30 V	32A(Tc)	4,5 V, 10 V	4,6 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	2300 pF a 15 V	-	28 W (Tc)
AOD208	-	Richiesta di offerta	3936	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD20	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	30 V	18A (Ta), 54A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,4 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V	2210 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 62 W (Tc)
AOY66919	0,6619	Richiesta di offerta	3868	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	AOY669	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251B	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOY66919	EAR99	8541.29.0095	3.500		CanaleN	100 V	22A (Ta), 70A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	3420 pF a 50 V	-	6,2 W (Ta), 156 W (Tc)
AOY66620	0,4153	Richiesta di offerta	1866	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	AOY666	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251B	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOY66620	EAR99	8541.29.0095	3.500		CanaleN	60 V	20A (Ta), 58A (Tc)	8 V, 10 V	8,5 mOhm a 20 A, 10 V	3,6 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	1070 pF a 30 V	-	6,2 W (Ta), 52 W (Tc)
AOMU66414Q	1.4670	Richiesta di offerta	4111	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	AOMU66414	MOSFET (ossido di metallo)	6,2 W (Ta), 68 W (Tc), 6,2 W (Ta), 65 W (Tc)	8-DFN (8x5)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOMU66414QTR	EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N		40 V	40A (Ta), 85A (Tc)		2,3 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	60nC a 10V		3350 pF a 20 V	Standard
AOD2610	-	Richiesta di offerta	7931	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD26	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	60 V	10A (Ta), 46A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,7 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	2410 pF a 30 V	-	2,5 W (Ta), 71,5 W (Tc)
AOWF160A60	1.6199	Richiesta di offerta	9824	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOWF160	MOSFET (ossido di metallo)		TO-262F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOWF160A60	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	24A (Tc)	10 V	160 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	46 nC a 10 V	±20 V	2340 pF a 100 V	-	27,7 W(Tc)
AON6718L_101	-	Richiesta di offerta	3551	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-DFN	AON67	MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	30 V	18A (Ta), 80A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,7 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	4463 pF a 15 V	Diodo Schottky (corpo)	2,1 W (Ta), 83 W (Tc)
AOTF600A70L	1.7300	Richiesta di offerta	750	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF600	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOTF600A70L	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	700 V	8,5 A(Tj)	10 V	600 mOhm a 2,5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	15,5 nC a 10 V	±20 V	870 pF a 100 V	-	27 W (Tc)
AOSD62666E	1.1600	Richiesta di offerta	15	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AOSD62666	MOSFET (ossido di metallo)	2,5 W(Ta)	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)		60 V	9,5A(Ta)		14,5 mOhm a 9,5 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	10nC a 4,5 V		755 pF a 30 V	Porta a livello logico