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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AOKS40B65H1	3.9100	Richiesta di offerta	124	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOKS40	Standard		300 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1760	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 40 A, 7,5 Ohm, 15 V												-	650 V	80A	120A	2,4 V a 15 V, 40 A	1,27 mJ (acceso), 460 µJ (spento)	63 nC	41ns/130ns
AOB600A60L	1.1907	Richiesta di offerta	1600	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB600		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		600 V	8A (Tc)	10 V	600 mOhm a 2,1 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	11,5 nC a 10 V	±20 V	608 pF a 100 V	-	96 W (Tc)
AOD409_002	-	Richiesta di offerta	6907	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD40		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		60 V	26A (Tc)	4,5 V, 10 V	40 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	54 nC a 10 V	±20 V	3600 pF a 30 V	-	2,5 W (Ta), 60 W (Tc)
AO3424_102	-	Richiesta di offerta	7395	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34				SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000					3,8A(Ta)
AOY66920	0,5595	Richiesta di offerta	6974	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	AOY669		MOSFET (ossido di metallo)		TO-251B	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOY66920	EAR99	8541.29.0095	3.500		CanaleN		100 V	19,5 A (Ta), 70 A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,2 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±20 V	2500 pF a 50 V	-	6,2 W (Ta), 89 W (Tc)
AOT424	-	Richiesta di offerta	5949	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT42		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		30 V	110A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 30 A, 10 V	3 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	4400 pF a 15 V	-	100 W (Tc)
AOT10N60	1.6000	Richiesta di offerta	907	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1191-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	10A (Tc)	10 V	750 mOhm a 5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±30 V	1600 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
AOD5B65N1	0,4035	Richiesta di offerta	5739	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD5	Standard		52 W	TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			400 V, 5 A, 60 Ohm, 15 V											170 n	-	650 V	10A	15A	2,5 V a 15 V, 5 A	81μJ (acceso), 49μJ (spento)	9,2 nC	8ns/73ns
AOT190A60CL	2.4800	Richiesta di offerta	7912	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT190		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOT190A60CL	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 7,6 A, 10 V	4,6 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±30 V	1935 pF a 100 V	-	208 W(Tc)
AON7702	-	Richiesta di offerta	7695	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON77		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	13,5 A (Ta), 36 A (Tc)	4,5 V, 10 V	10 mOhm a 13,5 A, 10 V	3 V a 250 µA	48 nC a 10 V	±20 V	4250 pF a 15 V	Diodo Schottky (corpo)	3,1 W (Ta), 23 W (Tc)
AOB30B65LN2V	1.2167	Richiesta di offerta	5884	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaIGBT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB30	Standard		227 W	TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOB30B65LN2VTR	EAR99	8541.29.0095	800			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V											312 nn	-	650 V	60A	90A	2,35 V a 15 V, 30 A	880μJ (acceso), 350μJ (spento)	52 nC	23ns/109ns
AON6578	0,4175	Richiesta di offerta	7650	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON657		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	28A (Ta), 70A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,4 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1340 pF a 15 V	-	5,6 W (Ta), 35 W (Tc)
AO7400L	-	Richiesta di offerta	4128	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	-	-	AO740		-		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		-			-	-	-	-		-		-	-
AOTF15B65M3	-	Richiesta di offerta	9194	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF15	Standard		30 W	TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			400 V, 15 A, 20 Ohm, 15 V											263 ns	-	650 V	30A	45A	2,5 V a 15 V, 15 A	280μJ (acceso), 190μJ (spento)	25,4 nC	10ns/68ns
AO4722	-	Richiesta di offerta	3118	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO47		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	8,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	14 mOhm a 11,6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	1.100 pF a 15 V	Diodo Schottky (corpo)	1,7 W (Ta)
AON4807	-	Richiesta di offerta	8703	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AON480		MOSFET (ossido di metallo)	1,9 W	8-DFN (3x2)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)			30 V	4A		68 mOhm a 4 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	10nC a 10V		290 pF a 15 V	Porta a livello logico
AO4484_101	-	Richiesta di offerta	5552	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	10 mOhm a 10 A, 10 V	3 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±20 V	1950 pF a 20 V	-	1,7 W (Ta)
AOTF15S65L	3.0400	Richiesta di offerta	872	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF15		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		650 V	15A (Tc)	10 V	290 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17,2 nC a 10 V	±30 V	841 pF a 100 V	-	34 W (Tc)
AOI21357	0,7500	Richiesta di offerta	5283	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	AOI21		MOSFET (ossido di metallo)		TO-251A	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	70		Canale P		30 V	23A (Ta), 70A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±25 V	2830 pF a 15 V	-	6,2 W (Ta), 78 W (Tc)
AOB414_001	-	Richiesta di offerta	9859	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SDMOS™	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	6,6 A (Ta), 51 A (Tc)	7 V, 10 V	25 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±25 V	2200 pF a 50 V	-	2,5 W (Ta), 150 W (Tc)
AOT12N60_001	-	Richiesta di offerta	1644	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT12		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		600 V	12A (Tc)	10 V	550 mOhm a 6 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±30 V	2100 pF a 25 V	-	278 W(Tc)
AOD518_051	-	Richiesta di offerta	1617	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				AOD51					-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500						4,5 V, 10 V				±20 V
AOD603A	0,3807	Richiesta di offerta	5734	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-5, DPak (4 derivazioni + linguatta), TO-252AD	AOD603		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	TO-252-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canali N e P, scarico comune			60 V	3,5 A, 3 A		60 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	10nC a 10V		540 pF a 30 V	Porta a livello logico
AON7410L	-	Richiesta di offerta	9895	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON741		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	8A (Ta), 20A (Tc)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	660 pF a 15 V	-	1,7 W (Ta), 20 W (Tc)
AOI2610	-	Richiesta di offerta	1305	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	AOI261		MOSFET (ossido di metallo)		TO-251A	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1722-5	EAR99	8541.29.0095	70		CanaleN		60 V	10A (Ta), 46A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,7 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	2007 pF a 30 V	-	2,5 W (Ta), 71,5 W (Tc)
AOTF22N50_001	-	Richiesta di offerta	9766	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-	-	-	AOTF22		MOSFET (ossido di metallo)		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			-	-	-	-		-		-	-
AON6200L	-	Richiesta di offerta	7833	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	13A (Ta), 24A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 15 V	-	1,95 W (Ta), 35 W (Tc)
AOD4102	-	Richiesta di offerta	6527	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		30 V	8A (Ta), 19A (Tc)	4,5 V, 10 V	37 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	6,6 nC a 10 V	±20 V	360 pF a 15 V	-	4,2 W (Ta), 21 W (Tc)
AON3825_001	-	Richiesta di offerta	5325	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-	-	-	AON3825		-		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		-			-	-	-	-		-		-	-
AOC3860	-	Richiesta di offerta	9237	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XDFN	AOC386		MOSFET (ossido di metallo)	2,5 W	6-DFN (3,05x1,77)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	8.000	Scarico comune a 2 canali N (doppio).			-	-		-	900 mV a 250 µA	44nC a 4,5 V		-	-