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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AOI2610E	0,3304	Richiesta di offerta	4306	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	*	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak	AOI261				TO-251A	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	800-3750	EAR99	8541.29.0095	70
AOT2618L	1.1200	Richiesta di offerta	1	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT2618		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1438-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		60 V	7A (Ta), 23A (Tc)	4,5 V, 10 V	19 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	950 pF a 30 V	-	2,1 W (Ta), 41,5 W (Tc)
AOK40B60D	3.9024	Richiesta di offerta	7945	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOK40	Standard		312,5 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1622-5	EAR99	8541.29.0095	240			400 V, 40 A, 7,5 Ohm, 15 V											138 ns	-	600 V	80A	160A	2,1 V a 15 V, 40 A	1,72 mJ (acceso), 300 µJ (spento)	63,5 nC	28ns/77ns
AONS36304	0,3032	Richiesta di offerta	3625	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONS363		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AONS36304TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	37A (Ta), 85A (Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 20 A, 10 V	1,9 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	2430 pF a 15 V	-	6,2 W (Ta), 42 W (Tc)
AON7264C	0,2503	Richiesta di offerta	1271	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON72		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AON7264CTR	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		60 V	13A (Ta), 24A (Tc)	4,5 V, 10 V	13,2 mOhm a 13 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±20 V	895 pF a 30 V	-	4,1 W (Ta), 24 W (Tc)
AON7401_101	-	Richiesta di offerta	3379	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON740		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		30 V	12A (Ta), 35A (Tc)	6 V, 10 V	14 mOhm a 9 A, 10 V	3 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±25 V	2600 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta), 29 W (Tc)
AO3402	0,4600	Richiesta di offerta	26	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	4A (Ta)	2,5 V, 10 V	55 mOhm a 4 A, 10 V	1,4 V a 250 µA	4,34 nC a 4,5 V	±12V	390 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)
AO4443	0,3015	Richiesta di offerta	3382	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		40 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	42 mOhm a 6 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1175 pF a 20 V	-	3,1 W (Ta)
AOD4T60	-	Richiesta di offerta	8301	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD4		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		600 V	4A(Tc)	10 V	2,1 Ohm a 1 A, 10 V	5 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±30 V	460 pF a 100 V	-	83 W (Tc)
AOD2NL60	-	Richiesta di offerta	8434	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				AOD2					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOD2NL60TR	OBSOLETO		2.500
AON7280	1.7200	Richiesta di offerta	10	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	AON72		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		80 V	20A (Ta), 50A (Tc)	6 V, 10 V	8,5 mOhm a 20 A, 10 V	3,4 V a 250 µA	38 nC a 10 V	±20 V	1871 pF a 40 V	-	6,3 W (Ta), 83 W (Tc)
AON7290	0,7584	Richiesta di offerta	1278	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	AON72		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	15A (Ta), 50A (Tc)	6 V, 10 V	12,6 mOhm a 15 A, 10 V	3,4 V a 250 µA	38 nC a 10 V	±20 V	2075 pF a 50 V	-	6,25 W (Ta), 83 W (Tc)
AO3416L_103	-	Richiesta di offerta	3755	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		20 V	6,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	22 mOhm a 6,5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	16 nC a 4,5 V	±8 V	1160 pF a 10 V	-	1,4 W(Ta)
AOD4102L	-	Richiesta di offerta	5287	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		30 V	8A (Ta), 19A (Tc)	4,5 V, 10 V	37 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	8,1 nC a 10 V	±20 V	432 pF a 15 V	-	4,2 W (Ta), 21 W (Tc)
AOT254L	0,9135	Richiesta di offerta	1313	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT254		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1430-5	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		150 V	4,2 A (Ta), 32 A (Tc)	4,5 V, 10 V	46 mOhm a 20 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V	2150 pF a 75 V	-	2,1 W (Ta), 125 W (Tc)
AOK40B120N1	5.5556	Richiesta di offerta	7134	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOK40	Standard		600 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AOK40B120N1	EAR99	8541.29.0095	30			600 V, 40 A, 7,5 Ohm, 15 V											300 n	-	1200 V	80A	160A	2,5 V a 15 V, 40 A	3,4 mJ (acceso), 1,4 mJ (spento)	100 nC	57ns/146ns
AO6601	0,1546	Richiesta di offerta	3249	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO660		MOSFET (ossido di metallo)	1,15 W	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P complementari			30 V	3,4 A, 2,3 A		60 mOhm a 3,4 A, 10 V	1,5 V a 250 µA	12nC a 10V		285 pF a 15 V	Porta a livello logico
AONR34332C	0,4969	Richiesta di offerta	7087	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	AONR34332		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3,3x3,3)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AONR34332CTR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	48A (Ta), 50A (Tc)	2,5 V, 10 V	1,8 mOhm a 20 A, 10 V	1,2 V a 250 µA	105 nC a 10 V	±12V	4175 pF a 15 V	-	6,2 W (Ta), 83,3 W (Tc)
AOD413A	0,6100	Richiesta di offerta	368	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		40 V	12A (Tc)	4,5 V, 10 V	44 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±20 V	1125 pF a 20 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
AONR36326C	0,1538	Richiesta di offerta	2729	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AONR363		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-AONR36326CTR	EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	12A (Ta), 12A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,8 mOhm a 12 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±20 V	540 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta), 20,5 W (Tc)
AOK160A60	3.0206	Richiesta di offerta	3390	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOK160		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		600 V	24A (Tc)	10 V	160 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	46 nC a 10 V	±20 V	2340 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
AOTF66919L	0,9678	Richiesta di offerta	4178	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF66919		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOTF66919LTR	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		100 V	25A (Ta), 50A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	3420 pF a 50 V	-	8,3 W (Ta), 32 W (Tc)
AO4430	0,9700	Richiesta di offerta	8	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	18A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 18 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	124 nC a 10 V	±20 V	7270 pF a 15 V	-	3 W (Ta)
AOT2146L	0.9409	Richiesta di offerta	9974	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT2146		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOT2146LTR	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		40 V	42A (Ta), 105A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±20 V	3830 pF a 20 V	-	8,3 W (Ta), 119 W (Tc)
AON2290	0,6100	Richiesta di offerta	291	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	AON22		MOSFET (ossido di metallo)		6-DFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	4,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	72 mOhm a 4,5 A, 10 V	2,8 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	415 pF a 50 V	-	2,8 W(Ta)
AOK75B60D1	4.5321	Richiesta di offerta	8752	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOK75	Standard		500 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1701-5	EAR99	8541.29.0095	240			400 V, 75 A, 4 Ohm, 15 V											147 ns	-	600 V	150A	290A	2,1 V a 15 V, 75 A	3,7 mJ (acceso), 1,3 mJ (spento)	118 nC	33ns/84ns
AONY36302	-	Richiesta di offerta	3494	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONY363		MOSFET (ossido di metallo)	3,1 W (Ta), 21 W (Tc), 3,1 W (Ta), 44,5 W (Tc)	8-DFN (5x6)	scaricamento			REACH Inalterato	785-AANY36302TR			1	2 canali N (doppio) asimmetrico			30 V	20A (Ta), 51A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc)		5,2 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	30nC a 10V		1000 pF a 15 V	Standard
AOB160A60L	3.0700	Richiesta di offerta	755	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB160		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		600 V	24A (Tc)	10 V	160 mOhm a 12 A, 10 V	3,6 V a 250 µA	46 nC a 10 V	±20 V	2340 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
AONR32314	0,1497	Richiesta di offerta	5241	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AONR323		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	17A (Ta), 30A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,7 mOhm a 17 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	1420 pF a 15 V	-	4,1 W (Ta), 24 W (Tc)
AOKS40B65H1	3.9100	Richiesta di offerta	124	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOKS40	Standard		300 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1760	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 40 A, 7,5 Ohm, 15 V												-	650 V	80A	120A	2,4 V a 15 V, 40 A	1,27 mJ (acceso), 460 µJ (spento)	63 nC	41ns/130ns