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Transistor(2247)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
AO4616L_102	-	Richiesta di offerta	5770	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO461		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Canali N e P			30 V	8A, 7A		20 mOhm a 8 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	18nC a 10V		888 pF a 15 V	Porta a livello logico
AOK60B65M3	4.0514	Richiesta di offerta	5830	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	Alfa IGBT™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AOK60	Standard		500 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1757	EAR99	8541.29.0095	240			400 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V											346 ns	-	650 V	120A	180A	2,45 V a 15 V, 60 A	2,6 mJ (acceso), 1,3 mJ (spento)	106 nC	44ns/166ns
AOD280A60	2.0100	Richiesta di offerta	4	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD280		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		600 V	14A (Tc)	10 V	280 mOhm a 7 A, 10 V	3 V a 250 µA	23,5 nC a 10 V	±20 V	1350 pF a 100 V	-	138 W(Tc)
AO3404A	0,4300	Richiesta di offerta	618	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	5,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	28 mOhm a 5,8 A, 10 V	3 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	820 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)
AO4498EL	-	Richiesta di offerta	4785	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO44		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	18A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,8 mOhm a 18 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±20 V	2760 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta)
AOSP66925	0,3226	Richiesta di offerta	7966	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT2™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AOSP669		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOSP66925TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	11A (Ta)	4,5 V, 10 V	12,5 mOhm a 11 A, 10 V	2,6 V a 250 µA	33 nC a 10 V	±20 V	1590 pF a 50 V	-	3,1 W (Ta)
AOD600A70	1.3500	Richiesta di offerta	3	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD600		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		700 V	8,5 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 2,5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	15,5 nC a 10 V	±20 V	870 pF a 100 V	-	104 W(Tc)
AOT8N50L	-	Richiesta di offerta	2123	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT8		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	-			REACH Inalterato	785-AOT8N50L			1		CanaleN		500 V	9A (Tc)	10 V	850 mOhm a 4 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	28 nC a 10 V	±30 V	1042 pF a 25 V	-	192 W(Tc)
AOT12N50	0,8328	Richiesta di offerta	1922	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT12		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		500 V	12A (Tc)	10 V	520 mOhm a 6 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±30 V	1633 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
AON7416	-	Richiesta di offerta	8538	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON741		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	14A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,5 mOhm a 20 A, 10 V	1,7 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±12V	1900 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta), 25 W (Tc)
AOT260L	3.1700	Richiesta di offerta	2	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	AOT260		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	785-1273-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		60 V	20A (Ta), 140A (Tc)	6 V, 10 V	2,5 mOhm a 20 A, 10 V	3,2 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	14200 pF a 30 V	-	1,9 W (Ta), 330 W (Tc)
AON2409	0,6500	Richiesta di offerta	706	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	AON24		MOSFET (ossido di metallo)		6-DFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P		30 V	8A (Ta)	4,5 V, 10 V	32 mOhm a 8 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	14,5 nC a 10 V	±20 V	530 pF a 15 V	-	2,8 W(Ta)
AOSX32128	0,0958	Richiesta di offerta	2637	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	AOSX321		MOSFET (ossido di metallo)		SC-70-6	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AOSX32128TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		20 V	3,2A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	75 mOhm a 3,2 A, 4,5 V	1,3 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±8 V	190 pF a 10 V	-	1,1 W (Ta)
AOD526_DELTA	-	Richiesta di offerta	4670	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaMOS	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD52		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		30 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	5 mOhm a 20 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	33 nC a 10 V	±20 V	1550 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
AOWF7S65	0,9059	Richiesta di offerta	9319	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS™	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AOWF7		MOSFET (ossido di metallo)		TO-262F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		650 V	7A(Tc)	10 V	650 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	9,2 nC a 10 V	±30 V	434 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
AOB418L	-	Richiesta di offerta	4373	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SDMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB41		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		100 V	9,5 A (Ta), 105 A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,7 mOhm a 20 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	83 nC a 10 V	±12V	5200 pF a 50 V	-	2,1 W (Ta), 333 W (Tc)
AON7406	0,4600	Richiesta di offerta	119	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AON740		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN		30 V	9A (Ta), 25A (Tc)	4,5 V, 10 V	17 mOhm a 9 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V	888 pF a 15 V	-	3,1 W (Ta), 15,5 W (Tc)
AONS520A70	0.9010	Richiesta di offerta	2071	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	aMOS5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	AONS520		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN-EP (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	785-AONS520A70TR	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		700 V	1,8 A (Ta), 11 A (Tc)	10 V	520 mOhm a 2,3 A, 10 V	3,6 V a 250 µA	16,5 nC a 10 V	±20 V	1115 pF a 100 V	-	4,2 W (Ta), 166 W (Tc)
AON7826	-	Richiesta di offerta	3654	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON782		MOSFET (ossido di metallo)	3,1 W	8-DFN (3x3)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N (doppio)			20 V	9A		23 mOhm a 9 A, 10 V	1,1 V a 250 µA	15nC a 10V		630 pF a 10 V	Porta a livello logico
AO6404	0,4200	Richiesta di offerta	25	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	AO640		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		20 V	8,6A(Ta)	1,8 V, 10 V	17 mOhm a 8,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	17,9 nC a 4,5 V	±12V	1810 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
AOB270L	-	Richiesta di offerta	7940	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AOB270		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		75 V	21,5 A (Ta), 140 A (Tc)	6 V, 10 V	2,3 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 250 µA	215 nC a 10 V	±20 V	10350 pF a 37,5 V	-	2,1 W (Ta), 500 W (Tc)
AOTF8N65_002	-	Richiesta di offerta	9372	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-	-	-	AOTF8		MOSFET (ossido di metallo)		-	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			-	-	-	-		-		-	-
AON4407L_003	-	Richiesta di offerta	6225	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	AON44		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (3x2)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		12 V	9A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	20 mOhm a 9 A, 4,5 V	850mV a 250μA	23 nC a 4,5 V	±8 V	2100 pF a 6 V	-	2,5 W(Ta)
AO4710	-	Richiesta di offerta	9924	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	SRFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AO47		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	12,7A(Ta)	4,5 V, 10 V	11,8 mOhm a 12,7 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±12V	2376 pF a 15 V	Diodo Schottky (corpo)	3,1 W (Ta)
AON6226	0,5939	Richiesta di offerta	3573	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	AlphaSGT™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AON62		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		100 V	48A(Tc)	4,5 V, 10 V	7,9 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	3130 pF a 50 V	-	108 W(Tc)
AO7600	-	Richiesta di offerta	4091	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	AO760		MOSFET (ossido di metallo)	300 mW	SC-70-6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canali N e P			20 V	900 mA, 600 mA		300 mOhm a 900 mA, 4,5 V	900 mV a 250 µA	1,9 nC a 4,5 V		120 pF a 10 V	Porta a livello logico
AOD254	-	Richiesta di offerta	9883	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AOD25		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		150 V	4,5 A(Ta), 28 A(Tc)	4,5 V, 10 V	46 mOhm a 20 A, 10 V	2,7 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±20 V	2150 pF a 75 V	-	2,5 W (Ta), 115 W (Tc)
AONS32100	2.1100	Richiesta di offerta	14	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSMD, conduttori piatti	AONS321		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		25 V	73A (Ta), 400A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,73 mOhm a 20 A, 10 V	1,6 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	15200 pF a 12,5 V	-	6,2 W (Ta), 250 W (Tc)
AOTF11N70_001	-	Richiesta di offerta	2192	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	AOTF11		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-			REACH Inalterato	785-AOTF11N70_001			1		CanaleN		700 V	11A(Tc)	10 V	870 mOhm a 5,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	45 nC a 10 V	±30 V	2150 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
AO3406	0,4100	Richiesta di offerta	222	Alpha & Omega Semiconduttori Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Variante 3-SMD, SOT-23-3	AO34		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	3,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	50 mOhm a 3,6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	5 nC a 10 V	±20 V	210 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)