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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AON2409 | 0,6500 | ![]() | 706 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | AON24 | MOSFET (ossido di metallo) | 6-DFN (2x2) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 8A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 32 mOhm a 8 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 14,5 nC a 10 V | ±20 V | 530 pF a 15 V | - | 2,8 W(Ta) | ||||
![]() | AOSX32128 | 0,0958 | ![]() | 2637 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | AOSX321 | MOSFET (ossido di metallo) | SC-70-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AOSX32128TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 3,2A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 75 mOhm a 3,2 A, 4,5 V | 1,3 V a 250 µA | 6 nC a 4,5 V | ±8 V | 190 pF a 10 V | - | 1,1 W (Ta) | ||||
![]() | AO6404 | 0,4200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | AO640 | MOSFET (ossido di metallo) | 6-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 8,6A(Ta) | 1,8 V, 10 V | 17 mOhm a 8,5 A, 10 V | 1 V a 250 µA | 17,9 nC a 4,5 V | ±12V | 1810 pF a 10 V | - | 2 W (Ta) | ||||
![]() | AO7801 | - | ![]() | 2466 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | AO780 | MOSFET (ossido di metallo) | 300 mW | SC-70-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canali P (doppio) | 20 V | - | 520 mOhm a 600 mA, 4,5 V | 900 mV a 250 µA | 1,8 nC a 4,5 V | 140 pF a 10 V | Porta a livello logico | ||||||
![]() | AOB270L | - | ![]() | 7940 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | AOB270 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 75 V | 21,5 A (Ta), 140 A (Tc) | 6 V, 10 V | 2,3 mOhm a 20 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 215 nC a 10 V | ±20 V | 10350 pF a 37,5 V | - | 2,1 W (Ta), 500 W (Tc) | ||||
![]() | AOD526_DELTA | - | ![]() | 4670 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaMOS | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD52 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 50A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 33 nC a 10 V | ±20 V | 1550 pF a 15 V | - | 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) | |||||
![]() | AO7600 | - | ![]() | 4091 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | AO760 | MOSFET (ossido di metallo) | 300 mW | SC-70-6 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canali N e P | 20 V | 900 mA, 600 mA | 300 mOhm a 900 mA, 4,5 V | 900 mV a 250 µA | 1,9 nC a 4,5 V | 120 pF a 10 V | Porta a livello logico | |||||||
![]() | AON4407L_003 | - | ![]() | 6225 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, cavo piatto | AON44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (3x2) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 12 V | 9A (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 20 mOhm a 9 A, 4,5 V | 850mV a 250μA | 23 nC a 4,5 V | ±8 V | 2100 pF a 6 V | - | 2,5 W(Ta) | |||||
| AON6226 | 0,5939 | ![]() | 3573 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON62 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 48A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 7,9 mOhm a 20 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | 3130 pF a 50 V | - | 108 W(Tc) | |||||
![]() | AO4710 | - | ![]() | 9924 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SRFET™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO47 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 12,7A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 11,8 mOhm a 12,7 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 43 nC a 10 V | ±12V | 2376 pF a 15 V | Diodo Schottky (corpo) | 3,1 W (Ta) | |||||
![]() | AOTF11N70_001 | - | ![]() | 2192 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF11 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | - | REACH Inalterato | 785-AOTF11N70_001 | 1 | CanaleN | 700 V | 11A(Tc) | 10 V | 870 mOhm a 5,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 45 nC a 10 V | ±30 V | 2150 pF a 25 V | - | 50 W (Tc) | |||||||
![]() | AOTF8N65_002 | - | ![]() | 9372 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | AOTF8 | MOSFET (ossido di metallo) | - | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||
![]() | AO3406 | 0,4100 | ![]() | 222 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 3,6A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 50 mOhm a 3,6 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 5 nC a 10 V | ±20 V | 210 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | ||||
| AONS32100 | 2.1100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AONS321 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 25 V | 73A (Ta), 400A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 0,73 mOhm a 20 A, 10 V | 1,6 V a 250 µA | 240 nC a 10 V | ±20 V | 15200 pF a 12,5 V | - | 6,2 W (Ta), 250 W (Tc) | |||||
![]() | AOD254 | - | ![]() | 9883 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD25 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 150 V | 4,5 A(Ta), 28 A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 46 mOhm a 20 A, 10 V | 2,7 V a 250 µA | 40 nC a 10 V | ±20 V | 2150 pF a 75 V | - | 2,5 W (Ta), 115 W (Tc) | |||||
![]() | AOD409_001 | - | ![]() | 7144 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD40 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 60 V | 26A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 40 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 54 nC a 10 V | ±20 V | 3600 pF a 30 V | - | 2,5 W (Ta), 60 W (Tc) | |||||
![]() | AOI296A | 0,6703 | ![]() | 9654 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak | AOI296 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-251A | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | CanaleN | 100 V | 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8,3 mOhm a 20 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | 3130 pF a 50 V | - | 89 W(Tc) | ||||
![]() | AO4435_103 | - | ![]() | 3092 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 30 V | 10,5A(Ta) | 5 V, 20 V | 14 mOhm a 11 A, 20 V | 3 V a 250 µA | 24 nC a 10 V | ±25 V | 1400 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | |||||
![]() | AOK5N100 | - | ![]() | 2240 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | OK5 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1000 V | 4A(Tc) | 10 V | 4,2 Ohm a 2,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 23 nC a 10 V | ±30 V | 1150 pF a 25 V | - | 195 W(Tc) | ||||
![]() | AOT482L | 1.2789 | ![]() | 2630 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | AOT482 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 80 V | 11A (Ta), 105A (Tc) | 7 V, 10 V | 7,2 mOhm a 20 A, 10 V | 3,7 V a 250 µA | 81 nC a 10 V | ±25 V | 4870 pF a 40 V | - | 2,1 W (Ta), 333 W (Tc) | ||||
![]() | AOTF7N60FD_001 | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF7 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AOTF7N60FD_001 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 7A(Tc) | 10 V | 1,2 Ohm a 3,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 28 nC a 10 V | ±30 V | 1035 pF a 25 V | - | 38,5 W(Tc) | |||
![]() | AO4812L_101 | - | ![]() | 1678 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO481 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 6A | 30 mOhm a 6 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 6,3 nC a 10 V | 310 pF a 15 V | - | |||||||
![]() | AOTF12N60FD | - | ![]() | 2998 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF12 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 12A (Tc) | 10 V | 650 mOhm a 6 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 50 nC a 10 V | ±30 V | 2010 pF a 25 V | - | 50 W (Tc) | ||||
![]() | AOCA33103E | 1.0900 | ![]() | 5190 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 10-SMD, senza piombo | AOCA33103 | MOSFET (ossido di metallo) | 3,1 W (Ta) | 10-AlfaDFN (2,52x2,52) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 8.000 | Scarico comune a 2 canali N (doppio). | 12V | 40A (Ta) | 1,8 mOhm a 5 A, 4,5 V | 1,3 V a 250 µA | 45 nC a 4,5 V | - | - | |||||||
![]() | AOTF11C60PL | - | ![]() | 3850 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF11 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-1715-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 11A(Tc) | 10 V | 400 mOhm a 5,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 50 nC a 10 V | ±30 V | 2333 pF a 100 V | - | 37 W (Tc) | ||||
![]() | AO3404 | - | ![]() | 3326 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 5A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 31 mOhm a 5 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 6,3 nC a 10 V | ±20 V | 310 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | |||||
| AON6284 | 1.5800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON62 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 80 V | 24A (Ta), 78A (Tc) | 6 V, 10 V | 7,1 mOhm a 20 A, 10 V | 3,3 V a 250 µA | 40 nC a 10 V | ±20 V | 2162 pF a 40 V | - | 7,4 W (Ta), 78 W (Tc) | |||||
| AON6410 | - | ![]() | 6694 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON641 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 10A (Ta), 24A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 12 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 28 nC a 10 V | ±12V | 1452 pF a 15 V | - | 2 W (Ta), 35 W (Tc) | ||||||
![]() | AOB15S65L | 1.7604 | ![]() | 1796 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | aMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | AOB15 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 650 V | 15A (Tc) | 10 V | 290 mOhm a 7,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 17,2 nC a 10 V | ±30 V | 841 pF a 100 V | - | 208 W(Tc) | ||||
![]() | AONS36326 | - | ![]() | 3418 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | AONS363 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AONS36326TR | OBSOLETO | 3.000 | - |

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