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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRL3103PBF	1.0000	Richiesta di offerta	2105	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		30 V	64A(Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 34 A, 10 V	1 V a 250 µA	33 nC a 4,5 V	±16V	1650 pF a 25 V	-	94 W (Tc)
AUIRLR2905ZTRL	1.0000	Richiesta di offerta	2228	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	42A(Tc)		13,5 mOhm a 36 A, 10 V	3 V a 250 µA	35 nC a 5 V		1570 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRGS4630DPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5550	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		206 W	PG-TO263-3-2	scaricamento	Non applicabile				EAR99	8541.29.0095	50		400 V, 18 A, 22 Ohm, 15 V											100 n	-	600 V	47A	54A	1,95 V a 15 V, 18 A	95μJ (acceso), 350μJ (spento)	35 nC	40ns/105ns
IRF362	9.1700	Richiesta di offerta	160	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		400 V	22A	-	-	-		-		-	300 W
IRFP4227PBF	-	Richiesta di offerta	9408	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247AC	scaricamento						0000.00.0000	1	CanaleN		200 V	65A (Tc)	10 V	25 mOhm a 46 A, 10 V	5 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±30 V	4600 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRG4IBC30KDPBF	2.1000	Richiesta di offerta	2251	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		45 W	TO220Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	125		480 V, 16 A, 23 Ohm, 15 V											42 ns	-	600 V	17A	34A	2,7 V a 15 V, 16 A	600μJ (acceso), 580μJ (spento)	100 nC	60ns/160ns
IRGP4063D1PBF	-	Richiesta di offerta	9658	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		330 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V											80 ns	-	600 V	100A	200A	2,14 V a 15 V, 48 A	1,4 µJ (acceso), 1,1 µJ (spento)	150 nC	60ns/160ns
IRFR3710ZTRLPBF	-	Richiesta di offerta	1078	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		100 V	42A(Tc)	10 V	18 mOhm a 33 A, 10 V	4 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	2930 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRGP35B60PD-E	-	Richiesta di offerta	2812	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AUIRGP35B	Standard		308 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		390 V, 22 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600 V	60A	120A	2,55 V a 15 V, 35 A	220μJ (acceso), 215μJ (spento)	240 nC	26ns/110ns
IRFB3207ZGPBF	-	Richiesta di offerta	9377	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	145	CanaleN		75 V	120A (Tc)		4,1 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6920 pF a 50 V	-	300 W(Tc)
IRF3704SPBF	1.0000	Richiesta di offerta	6618	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		20 V	77A(Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 15 A, 10 V	3 V a 250 µA	19 nC a 4,5 V	±20 V	1996 pF a 10 V	-	87 W(Tc)
AUIRFR2307Z	-	Richiesta di offerta	2332	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		75 V	42A(Tc)	10 V	16 mOhm a 32 A, 10 V	4 V a 100 µA	75 nC a 10 V	±20 V	2190 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRG4BC20KDSTRLP-IR	-	Richiesta di offerta	8822	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		60 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	3		480 V, 9 A, 50 Ohm, 15 V											37 nn	-	600 V	16A	32A	2,8 V a 15 V, 9 A	340μJ (acceso), 300μJ (spento)	34 nC	54ns/180ns
IRLR3410PBF	-	Richiesta di offerta	8585	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	17A(Tc)	4 V, 10 V	105 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 250 µA	34 nC a 5 V	±16V	800 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
IRF1310NSPBF	-	Richiesta di offerta	6091	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	42A(Tc)	10 V	36 mOhm a 22 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	1900 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 160 W (Tc)
AUIRFL024NTR	-	Richiesta di offerta	5769	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-AUIRFL024NTR-600047			1	CanaleN		55 V	2,8A(Ta)	10 V	75 mOhm a 2,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	18,3 nC a 10 V	±20 V	400 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
IRF6637TRPBF	0,8300	Richiesta di offerta	31	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MP isometrica DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET™MP	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		30 V	14A (Ta), 59A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,7 mOhm a 14 A, 10 V	2,35 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	1330 pF a 15 V	-	2,3 W (Ta), 42 W (Tc)
IRGP20B120UD-EP	5.2900	Richiesta di offerta	11	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		300 W	TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		600 V, 20 A, 5 Ohm, 15 V											300 n	TNP	1200 V	40A	120A	4,85 V a 15 V, 40 A	850μJ (acceso), 425μJ (spento)	254 nC	-
AUIRFSL8405	-	Richiesta di offerta	6271	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		40 V	120A (Tc)	10 V	2,3 mOhm a 100 A, 10 V	3,9 V a 100 µA	161 nC a 10 V	±20 V	5193 pF a 25 V	-	163 W(Tc)
IRFS4615PBF	0,7100	Richiesta di offerta	2582	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	59	CanaleN		150 V	33A(Tc)	10 V	42 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±20 V	1750 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
AURFBA1405	-	Richiesta di offerta	2709	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-273AA			MOSFET (ossido di metallo)		SUPER-220™ (TO-273AA)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	163	CanaleN		55 V	95A (Tc)	10 V	5 mOhm a 101 A, 10 V	4 V a 250 µA	260 nC a 10 V	±20 V	5480 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
IRF343	1.4200	Richiesta di offerta	5900	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	165	CanaleN		350 V	8A (Tc)		800 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
AUIRFR5505-IR	-	Richiesta di offerta	6682	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	Canale P		55 V	18A (Tc)	10 V	110 mOhm a 9,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	650 pF a 25 V	-	57 W(Tc)
IRFB5620PBF	-	Richiesta di offerta	8564	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		Venditore non definito	REACH Inalterato	2156-IRFB5620PBF-600047			1	CanaleN		200 V	25A (Tc)	10 V	72,5 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 100 µA	38 nC a 10 V	±20 V	1710 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
AUIRLZ44Z	-	Richiesta di offerta	2648	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		55 V	51A(Tc)	4,5 V, 10 V	13,5 mOhm a 31 A, 10 V	3 V a 250 µA	36 nC a 5 V	±16V	1620 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
AUIRF6218S-IR	-	Richiesta di offerta	6333	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	Canale P		150 V	27A(Tc)	10 V	150 mOhm a 16 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	2210 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
IRLR024NPBF	1.0000	Richiesta di offerta	1089	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		55 V	17A(Tc)	4 V, 10 V	65 mOhm a 10 A, 10 V	2 V a 250 µA	15 nC a 5 V	±16V	480 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
IRFR1010ZTRLPBF	-	Richiesta di offerta	1966	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1	CanaleN		55 V	42A(Tc)	10 V	7,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 100 µA	95 nC a 10 V	±20 V	2840 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRFSL4310ZPBF	-	Richiesta di offerta	3516	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN		100 V	120A (Tc)	10 V	6 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6860 pF a 50 V	-	250 W(Tc)
AUIRF3808	2.0000	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	151	CanaleN		75 V	140A (Tc)		7 mOhm a 82 A, 10 V	4 V a 250 µA	220 nC a 10 V		5310 pF a 25 V	-	330 W(Tc)