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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRFS7530-7PPBF	-	Richiesta di offerta	5750	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	240A(Tc)		1,4 mOhm a 100 A, 10 V	3,7 V a 250 µA	354 nC a 10 V	±20 V	12960 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
IRG4PH30KDPBF	-	Richiesta di offerta	7345	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		100 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			800 V, 10 A, 23 Ohm, 15 V											50 n	-	1200 V	20A	40A	4,2 V a 15 V, 10 A	950 µJ (acceso), 1,15 mJ (spento)	53 nC	39ns/220ns
IRG4RC20FPBF	0,7700	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRG4RC20FPBF	Standard		66 W	D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 12 A, 50 Ohm, 15 V												-	600 V	22A	44A	2,1 V a 15 V, 12 A	190μJ (acceso), 920μJ (spento)	27 nC	26ns/194ns
AUIRF1010EZ	1.2600	Richiesta di offerta	6	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	75A (Tc)		8,5 mOhm a 51 A, 10 V	4 V a 250 µA	86 nC a 10 V		2810 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRF7805Q	0,8800	Richiesta di offerta	1826	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	90		CanaleN		30 V	13A (Ta)	4,5 V	11 mOhm a 7 A, 4,5 V	3 V a 250 µA	31 nC a 5 V	±12V		-	2,5 W(Ta)
AUIRGP66524D0	-	Richiesta di offerta	5502	Raddrizzatore internazionale	Settore automobilistico, AEC-Q101, COOLiRIGBT™	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		214 W	TO-247AC	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-AUIRGP66524D0-600047			1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											176 ns	Trincea	600 V	60A	72A	1,9 V a 15 V, 24 A	915μJ (acceso), 280μJ (spento)	50 nC	30ns/75ns
AUIRF3805STRL	-	Richiesta di offerta	3942	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	160A(Tc)		3,3 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	290 nC a 10 V		7960 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
SI4420DYPBF	-	Richiesta di offerta	6614	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN		30 V	12,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 12,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	78 nC a 10 V	±20 V	2240 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IRF7389PBF	1.0000	Richiesta di offerta	9724	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF738		MOSFET (ossido di metallo)	2,5 W	8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1	Canali N e P			30 V	-		29 mOhm a 5,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	33nC a 10 V		650 pF a 25 V	Porta a livello logico
IRL8113PBF-IR	-	Richiesta di offerta	8581	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	105A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm a 21 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	35 nC a 4,5 V	±20 V	2840 pF a 15 V	-	110 W (Tc)
IRFAE42	-	Richiesta di offerta	1351	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AA (TO-3)	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		800 V	4.4A	-	-	-		-		-	125 W
AUIRFZ48Z	0,9100	Richiesta di offerta	5	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	61A(Tc)	10 V	11 mOhm a 37 A, 10 V	4 V a 250 µA	64 nC a 10 V	±20 V	1720 pF a 25 V	-	91 W (Tc)
AUIRGSL30B60K-IR	-	Richiesta di offerta	1759	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	AUIRGSL30	Standard		370 W	TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V												TNP	600 V	78A	120A	2,35 V a 15 V, 30 A	350μJ (acceso), 825μJ (spento)	153 nC	46ns/185ns
IRGP50B60PD1-EP	-	Richiesta di offerta	3649	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3		Standard		390 W	TO-247 d.C	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600 V	75A	150A	2,85 V a 15 V, 50 A	255μJ (acceso), 375μJ (spento)	205 nC	30ns/130ns
IRLS3036TRL7PP	-	Richiesta di offerta	6925	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	-						0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	240A(Tc)	4,5 V, 10 V	1,9 mOhm a 180 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	160 nC a 4,5 V	±16V	11270 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
AUIRLR2703TRL	0,9100	Richiesta di offerta	2	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		30 V	20A (Tc)		45 mOhm a 14 A, 10 V	1 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V		450 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
AUIRF7665S2TR	-	Richiesta di offerta	9867	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ SB isometrico	AUIRF7665		MOSFET (ossido di metallo)		DIRECTFET SB	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	4,1 A (Ta), 14,4 A (Tc)	10 V	62 mOhm a 8,9 A, 10 V	5 V a 25 µA	13 nC a 10 V	±20 V	515 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 30 W (Tc)
AUIRFS4010-7P	-	Richiesta di offerta	1043	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	190A(Tc)		4 mOhm a 110 A, 10 V	4 V a 250 µA	230 nC a 10 V	±20 V	9830 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
IRGP4640PBF	1.9000	Richiesta di offerta	10	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		250 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	65A	72A	1,9 V a 15 V, 24 A	100μJ (acceso), 600μJ (spento)	75 nC	40ns/105ns
IRGS4045DPBF	1.0100	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		77 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V											74 ns	-	600 V	12A	18A	2 V a 15 V, 6 A	56μJ (acceso), 122μJ (spento)	19,5 nC	27ns/75ns
IRFR4104PBF	-	Richiesta di offerta	8776	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	42A(Tc)	10 V	5,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 250 µA	89 nC a 10 V	±20 V	2950 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRF640NSTRRPBF	-	Richiesta di offerta	5934	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRF640		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		200 V	18A (Tc)	10 V	150 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	67 nC a 10 V	±20 V	1160 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
AUIRFR8405	1.1600	Richiesta di offerta	14	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	100A (Tc)	10 V	1,98 mOhm a 90 A, 10 V	3,9 V a 100 µA	155 nC a 10 V	±20 V	5171 pF a 25 V	-	163 W(Tc)
AUIRF7343QTR	1.0000	Richiesta di offerta	8885	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	AUIRF7343		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1	Canali N e P			55 V	4,7 A, 3,4 A		50 mOhm a 4,7 A, 10 V	1 V a 250 µA	36nC a 10V		740 pF a 25 V	Porta a livello logico
AUIRFB3806	-	Richiesta di offerta	6614	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	43A(Tc)	10 V	15,8 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 50 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1150 pF a 50 V	-	71 W(Tc)
AUIRF2804S	-	Richiesta di offerta	5701	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	195A(Tc)	10 V	2 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	6450 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRF9143	4.3400	Richiesta di offerta	80	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AE			MOSFET (ossido di metallo)		TO-204AE	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	80		Canale P		80 V	15A		-	-		-		Standard	125 W
94-2403	-	Richiesta di offerta	3334	Raddrizzatore internazionale	*	Massa	Attivo									-						0000.00.0000	1
IRF253	2.0200	Richiesta di offerta	7000	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	19		CanaleN		150 V	25A		-	-		-		-	150 W
IRL3803VPBF	1.0000	Richiesta di offerta	5678	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		30 V	140A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 71 A, 10 V	1 V a 250 µA	76 nC a 4,5 V	±16V	3720 pF a 25 V	-	200 W (Tc)