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Transistor(1222)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C
IRGP35B60PDPBF	-	Richiesta di offerta	9966	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		308 W	TO-247AC	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			390 V, 22 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	TNP	600 V	60A	120A	2,55 V a 15 V, 35 A	220μJ (acceso), 215μJ (spento)	240 nC	26ns/110ns
AUIRL7736M2TR	1.0000	Richiesta di offerta	6393	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico M4			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ isometrico M4	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	179A(Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 67 A, 10 V	2,5 V a 150 µA	78 nC a 4,5 V	±16V	5055 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 63 W (Tc)
IRF9952QPBF	-	Richiesta di offerta	7036	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF995		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	190	Canali N e P			30 V	3,5 A, 2,3 A		100 mOhm a 2,2 A, 10 V	1 V a 250 µA	14nC a 10V		190 pF a 15 V	Porta a livello logico
IRF3710STRRPBF-IR	1.0000	Richiesta di offerta	5353	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	57A(Tc)		23 mOhm a 28 A, 10 V	4 V a 250 µA	130 nC a 10 V	±20 V	3130 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRL7766M2TR	1.7800	Richiesta di offerta	37	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico M4			MOSFET (ossido di metallo)		DirectFET™ isometrico M4	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	10 mOhm a 31 A, 10 V	2,5 V a 150 µA	66 nC a 4,5 V	±16V	5305 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 62,5 W (Tc)
IRLL3303PBF	-	Richiesta di offerta	5319	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	160		CanaleN		30 V	4,6A(Ta)		31 mOhm a 4,6 A, 10 V	1 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±16V	840 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
IRFB4615PBF	-	Richiesta di offerta	8373	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1		CanaleN		150 V	35A (Tc)	10 V	39 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 100 µA	26 nC a 10 V	±20 V	1750 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
IRGR4045DPBF	0,8100	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRGR4045	Standard		77 W	D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V											74 ns	Trincea	600 V	12A	18A	2 V a 15 V, 6 A	56μJ (acceso), 122μJ (spento)	19,5 nC	27ns/75ns
IRG4IBC20UDPBF	0,9700	Richiesta di offerta	272	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		34 W	TO-220AB Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 6,5 A, 50 Ohm, 15 V											37 nn	-	600 V	11,4 A	52A	2,1 V a 15 V, 6,5 A	160μJ (acceso), 130μJ (spento)	27 nC	39ns/93ns
IRG4PH40UDPBF	-	Richiesta di offerta	4910	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	-	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			800 V, 21 A, 10 Ohm, 15 V											63 ns	-	1200 V	41A	82A	3,1 V a 15 V, 21 A	1,8 mJ (acceso), 1,93 mJ (spento)	86 nC	46ns/97ns
IRFF9231	4.3400	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-205AF (TO-39)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	4A(Tc)		-	-		-		-	25 W
IRFL024NPBF	-	Richiesta di offerta	7709	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		55 V	2,8A(Ta)	10 V	75 mOhm a 2,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	18,3 nC a 10 V	±20 V	400 pF a 25 V	-	1 W (Ta)
AUIRLS3034	2.6100	Richiesta di offerta	4	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		40 V	195A(Tc)	4,5 V, 10 V	1,7 mOhm a 195 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	162 nC a 4,5 V	±20 V	10315 pF a 25 V	-	375 W(Tc)
AUIRF4104STRL	1.4000	Richiesta di offerta	456	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		40 V	75A (Tc)		5,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	100 nC a 10 V		3000 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
AUIRFB4410-IR	1.4500	Richiesta di offerta	1	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-3-904	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		100 V	75A (Tc)	10 V	10 mOhm a 58 A, 10 V	4 V a 1.037 mA	180 nC a 10 V	±20 V	5150 pF a 50 V	-	200 W (Tc)
AUIRF3805S-7TRL	-	Richiesta di offerta	5963	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	160A(Tc)	10 V	2,6 mOhm a 140 A, 10 V	4 V a 250 µA	200 nC a 10 V	±20 V	7820 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRFS4115-7PPBF	2.5600	Richiesta di offerta	9405	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	14		CanaleN		150 V	105A (Tc)	10 V	11,8 mOhm a 63 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	5320 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
IRG4BC30F-SPBF	1.3300	Richiesta di offerta	10	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRG4BC30F-SPBF	Standard		100 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	1			480 V, 17 A, 23 Ohm, 15 V												-	600 V	31A	120A	1,8 V a 15 V, 17 A	230 µJ (acceso), 1,18 mJ (spento)	51 nC	21ns/200ns
IRFB4115GPBF	-	Richiesta di offerta	3297	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	104A(Tc)	10 V	11 mOhm a 62 A, 10 V	5 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V	5270 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
IRG7PH35UPBF	2.4500	Richiesta di offerta	3	Raddrizzatore internazionale	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		210 W	TO-247AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Trincea	1200 V	55A	60A	2,2 V a 15 V, 20 A	1,06 mJ (acceso), 620 µJ (spento)	130 nC	30ns/160ns
IRFB61N15DPBF	-	Richiesta di offerta	4102	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		150 V	60A (Tc)		32 mOhm a 36 A, 10 V	5,5 V a 250 µA	140 nC a 10 V	±30 V	3470 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 330 W (Tc)
IRLR8726PBF	-	Richiesta di offerta	4307	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	86A(Tc)		5,8 mOhm a 25 A, 10 V	2,35 V a 50 µA	23 nC a 4,5 V	±20 V	2150 pF a 15 V	-	75 W (Tc)
IRFS7540PBF	-	Richiesta di offerta	3973	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®, StrongIRFET™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		60 V	110A (Tc)	6 V, 10 V	5,1 mOhm a 65 A, 10 V	3,7 V a 100 µA	130 nC a 10 V	±20 V	4555 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
IRLU3103PBF	-	Richiesta di offerta	1234	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		30 V	55A (Tc)		19 mOhm a 33 A, 10 V	1 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±16V	1600 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
AUIRFP4310Z	1.0000	Richiesta di offerta	2800	Raddrizzatore internazionale	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO247-3	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN		100 V	128A(Tc)	10 V	6 mOhm a 77 A, 10 V	4 V a 150 µA	188 nC a 10 V	±20 V	7120 pF a 50 V	-	278 W(Tc)
AUIRL3705ZS	1.4700	Richiesta di offerta	8	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento					EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		55 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 52 A, 10 V	3 V a 250 µA	60 nC a 5 V	±16V	2880 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
IRGS4607DPBF	0,8500	Richiesta di offerta	850	Raddrizzatore internazionale	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		58 W	D2PAK	scaricamento	Non applicabile				EAR99	8541.29.0095	50			400 V, 4 A, 100 Ohm, 15 V											48 ns	-	600 V	11A	12A	2,05 V a 15 V, 4 A	140μJ (acceso), 62μJ (spento)	9 nC	27ns/120ns
AUIRFS4310Z	-	Richiesta di offerta	9242	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento		Venditore non definito	RAGGIUNGERE Interessato	2156-AUIRFS4310Z-600047	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	120A (Tc)	10 V	6 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 150 µA	170 nC a 10 V	±20 V	6860 pF a 50 V	-	250 W(Tc)
AUIRFR3607	-	Richiesta di offerta	7019	Raddrizzatore internazionale	HEXFET®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AUIRFR3607		MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN		75 V	56A(Tc)	10 V	9 mOhm a 46 A, 10 V	4 V a 100 µA	84 nC a 10 V	±20 V	3070 pF a 50 V	-	140 W(Tc)
AUIRF9540N	1.0400	Richiesta di offerta	5	Raddrizzatore internazionale	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1		Canale P		100 V	23A (Tc)	10 V	117 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	97 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	140 W(Tc)